Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Емкость | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Емкость при частоте | Приложения | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Размер памяти | Время подъема | Осень (тип.) | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Рабочее напряжение | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Технология полевых транзисторов | Напряжение пробоя | Мощность - Макс. | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Зажимное напряжение | Пиковый импульсный ток | Обратное напряжение запирания | Пиковая импульсная мощность | Максимальное напряжение пробоя | Направление | Количество однонаправленных каналов | Мощность — пиковый импульс | Двунаправленные каналы | Опорное напряжение | Рабочий тестовый ток | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение пробоя стока к источнику | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Напряжение питания, одиночное (В+) | Форм-фактор | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1869-Y(ДЖКТ,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa1869yqj-datasheets-1014.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 10 Вт | 50В | 3А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 600 мВ при 200 мА, 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2229-Y,Ф(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2229omitifm-datasheets-1094.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 800мВт | 150 В | 50 мА | 100нА ИКБО | НПН | 70 @ 10 мА 5 В | 120 МГц | 500 мВ при 1 мА, 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SA1020-Y(T6OMI,FM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sa1020ofj-datasheets-0961.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | ПНП | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2235-Y(Т6НД,АФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2235ot6asnfm-datasheets-1115.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 120 В | 800 мА | 100нА ИКБО | НПН | 80 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 1 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2655-И(Т6НД1,АФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2655yt6canofm-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4793,ВНЛФ(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc4793fm-datasheets-6713.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 230В | 1А | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 100 МГц | 1,5 В при 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5171,MATUDQ(J | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5171qj-datasheets-1207.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 180 В | 2А | 5 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 200 МГц | 1 В при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5930(ТПФ2,Ф,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5930t2mitumfm-datasheets-1208.pdf | СК-71 | 1 Вт | 600В | 1А | 100 мкА ИКБО | НПН | 40 @ 200 мА 5 В | 1 В при 75 мА, 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5201,Ф(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc5201t6murafj-datasheets-1204.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 900мВт | 600В | 50 мА | 1 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 20 мА 5 В | 1 В @ 500 мА, 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC4116SU-Y,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | СК-70, СОТ-323 | 100мВт | 2SC4116 | 80 МГц | 100мВт | 50В | 50В | 250 мВ | 150 мА | 5В | 70 | 100нА ИКБО | НПН | 70 при 2 мА 6 В | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2705-И(ТЭ6,Ф,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без ограничений) | 200 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2705yte6fm-datasheets-0730.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | 3 | неизвестный | 800мВт | 800мВт | 1 | 150 В | 1В | 50 мА | 50 мА | 150 В | 5В | 100нА ИКБО | НПН | 120 @ 10 мА 5 В | 1 В при 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2257,НИККИК(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2257kehinqj-datasheets-6764.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 2 Вт | 100 В | 3А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 2А 2В | 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4W53FU,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,110, 2,80 мм) | 12 недель | 2 | 160Ом | 3В~18В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDEPV11GEA51F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | MG06ACA | 5°К~55°К | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 6 недель | 5В 12В | 8 ТБ | 3,5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6P47NU,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-WDFN Открытая площадка | 16 недель | 6 | 1 Вт | 1 Вт | 4А | 8В | 20 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 290пФ при 10В | 95 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 4,6 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6L14FE(TE85L,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | EAR99 | ДА | Другие транзисторы | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 0,15 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 150 мВт Та | 0,8А | N и P-канал | 90пФ 110пФ при 10В | 240 мОм при 500 мА, 4,5 В, 300 м Ом при 400 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 800 мА Та 720 мА Та | 2 нК, 1,76 нК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Л61НУ,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | База | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | 6-WDFN Открытая площадка | 6 | 12 недель | неизвестный | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | С-ПДСО-Н6 | 4А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | N-КАНАЛ И P-КАНАЛ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4А | 0,033Ом | N и P-канал | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПХ5200ФНХ,L1Q | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2015 год | 8-PowerVDFN | 12 недель | 8 | 8-СОП «Аванс» (5x5) | 2,2 нФ | 26А | 250 В | 78 Вт Тс | N-канал | 2200пФ при 100В | 52 мОм при 13 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 26А Тк | 22 нК при 10 В | 52 мОм | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3К341Р,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,26 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСVIII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~175°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2016 год | SOT-23-3 Плоские выводы | 3 | 12 недель | да | ДВОЙНОЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 6А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1,2 Вт Та | 6А | 24А | 0,036Ом | 28,9 мДж | N-канал | 550пФ при 10 В | 36 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В @ 100 мкА | 6А Та | 9,3 нК при 10 В | 4В 10В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3К15АМФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСIII | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-723 | 3 | 18 недель | EAR99 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 100 мА | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | 30 В | 150 мВт Та | 0,1 А | 6Ом | N-канал | 13,5 пФ при 3 В | 3,6 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 100 мА Та | 2,5 В 4 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ2С5.1ФС,Л3М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s51fsl3m-datasheets-2687.pdf | СОД-923 | 12 недель | EAR99 | 45пФ при 1 МГц | Общего назначения | Нет | 4,8 В | 1,5 В Макс. | 1 | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCF8201(TE85L,F,M | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 2003 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 20 В | 330мВт | 2 N-канала (двойной) | 590пФ при 10 В | 49 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 200 мкА | 3А | 7,5 нК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2B6M4SL,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | ЛАВИНА | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2b6m4sll3f-datasheets-3741.pdf | 0201 (0603 Метрическая система) | 300 FF | 2 | 12 недель | 2 | да | НИЗКАЯ ЕМКОСТЬ | 0,2 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 1 | 5,5 В | КРЕМНИЙ | Нет | 5,6 В | 2А 8/20 мкс | 5,5 В Макс. | 25 В | 2А | 5,5 В | 30 Вт | Двунаправленный | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8212-H(TE12LQ,М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2006 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 8-СОП (5,5х6,0) | 30 В | 450мВт | 2 N-канала (двойной) | 840пФ при 10 В | 21 мОм при 3 А, 10 В | 2,3 В @ 1 мА | 6А | 16 нК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF5A5.6FUTE85LF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | СМД/СМТ | 125°С | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df5a56fute85lf-datasheets-9089.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 12 недель | EAR99 | 65пФ при 1 МГц | Общего назначения | Однонаправленный | 200мВт | 4 | Диоды опорного напряжения | 2,5 В | 5,3 В | Нет | 2,5 В | 4 | 5,6 В | 5мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCL4203(TE85L,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 4-XFLGA | 4 | Нет | 500мВт | 85нс | 210 нс | 12 В | 2 N-канала (полумост) | 685пФ при 10 В | 1,2 В @ 200 мкА | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ5Г6М4Н,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df5g6m4nlf-datasheets-1364.pdf | 5-XFDFN | 12 недель | 0,2 пФ @ 1 МГц | Общего назначения | Нет | 5,6 В | 2А 8/20 мкс | 15 В | 5,5 В Макс. | 5 | 30 Вт | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPCA8052-H(T2L1,ВМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,90 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСВИ-Х | Поверхностный монтаж | 150°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | 8-PowerVDFN | 12 недель | EAR99 | 40В | 1,6 Вт Та 30 Вт Тс | N-канал | 2110пФ при 10 В | 11,3 мОм при 10 А, 10 В | 2,3 В @ 200 мкА | 20А Та | 25 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ2С8.2АСЛ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s56asll3f-datasheets-2826.pdf | 0201 (0603 Метрическая система) | 12 недель | 20пФ @ 1МГц | Общего назначения | Нет | 7,7 В | 6,5 В Макс. | 1 | 6,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3ДЖ325Ф,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСВИ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 270пФ | 12 недель | Одинокий | 2А | 8В | 20 В | 600мВт Та | -20В | P-канал | 270пФ при 10В | 150 мОм при 1 А, 4,5 В | 2А Та | 4,6 нК при 4,5 В | 1,5 В 4,5 В | ±8 В |
