Toshiba Полупроводники и системы хранения данных

Toshiba Semiconductor and Storage(13104)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Тип входа Высота сидя (Макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Рабочее напряжение питания Максимальный ток питания Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса Сопротивление Количество контактов Интерфейс Код Pbfree Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Идентификатор упаковки производителя Достичь кода соответствия Способ упаковки Количество функций Напряжение — вход (макс.) Особенность Полярность Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Напряжение питания Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Базовый номер детали Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Количество каналов Аналоговая микросхема — другой тип Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Выходная полярность Источники питания Количество цепей Статус квалификации Максимальная температура перехода (Tj) Код JESD-30 Семья Пакет устройств поставщика Уровень скрининга Максимальный выходной ток Максимальное выходное напряжение Количество битов Выходное напряжение Выходной ток Тип генератора Количество входов/выходов Периферийные устройства Размер оперативной памяти Прямой ток Тип выхода Напряжение – нагрузка Максимальный входной ток Включить время задержки Прямой ток-макс. Емкость нагрузки Время задержки выключения Логическая функция Материал транзисторного элемента Конфигурация Задержка распространения Функция Непрерывный ток коллектора Количество выходов Количество бит на элемент Выходной ток высокого уровня Выходной ток низкого уровня Ток покоя Тип переключателя Скорость Конфигурация выхода Защита от неисправностей Напряжение – изоляция Ток-выход (макс.) Мощность - Макс. Входное напряжение-ном. Обратное напряжение пробоя Максимальное напряжение пробоя Обратное напряжение Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Ток — выходной высокий, низкий Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Выходной ток на канал Топология Синхронный выпрямитель Количество входов Ток — выход/канал Режим управления Техника управления Напряжение - Выход (Макс.) Тип логики Макс I(ол) Тип управления Опора Delay@Nom-Sup Задержка распространения (tpd) Напряжение — вход (мин.) Темный ток-Макс. Макс. задержка распространения @ V, Макс. CL Ток – режим покоя (макс.) Ток – Выход Напряжение — выход (мин./фикс.) Основной процессор Напряжение-питание (Vcc/Vdd) Тип памяти программы Размер ядра Размер памяти программы Возможности подключения Конвертер данных Логический уровень – низкий Логический уровень – высокий Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) RDS включен (тип.) hFE Мин. Соотношение – Вход:Выход Частота — переключение Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
TC7SZ86FE,LJ(CT TC7SZ86FE,LJ(CT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7SZ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2014 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sz86feljct-datasheets-6676.pdf СОТ-553 12 недель 1,65 В~5,5 В 1 ЕСВ ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ 5,4 нс 32 мА 32 мА 2мкА 32 мА 32 мА 2 XOR (исключающее ИЛИ) 5,4 нс при 5 В, 50 пФ 2мкА
TC74VCX541FTEL TC74VCX541FTEL Toshiba Полупроводники и системы хранения данных 0,37 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC74VCX Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 20 16 недель 1 ДА 1,2 В~3,6 В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 3,3 В 0,635 мм 1 Водитель автобуса/трансиверы истинный 3,3 В Не квалифицирован Р-ПДСО-G20 3-государство 30пФ Буфер 8 24 мА 24 мА Буферный, неинвертирующий 0,024 А ВКЛЮЧИТЬ НИЗКИЙ 3,5 нс
TC7SZ00F,LJ(CT TC7SZ00F,LJ(CT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7SZ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2015 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sz00fuljct-datasheets-7128.pdf СК-74А, СОТ-753 12 недель 200мВт 1,8 В~5,5 В 7SZ00 1 10 нс NAND 4,3 нс 2мкА 32 мА 32 мА 2 И-НЕ-ворота 4,3 нс при 5 В, 50 пФ
TC74VHCT540AFTEL TC74VHCT540AFTEL Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC74VHCT Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS 2009 год 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм 20 нет 2 С ВКЛЮЧЕНИЕМ ДВОЙНОГО ВЫХОДА неизвестный ЛЕНТА И КАТУШКА 1 ДА 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 0,65 мм 74VHCT540 20 5,5 В 4,5 В НЕ УКАЗАН 1 Водитель автобуса/трансиверы ПЕРЕВЕРНУТЫЙ Не квалифицирован Р-ПДСО-G20 AHCT/VHCT 3-государство 50пФ 8 8мА 8мА Буфер, Инвертирование ВКЛЮЧИТЬ НИЗКИЙ 9,5 нс 9,5 нс
74VHC27FT 74VHC27FT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных 0,40 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 74ВХК Поверхностный монтаж -40°К~125°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП 1,2 мм Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-74vhc27ft-datasheets-5477.pdf 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 5 мм 4,4 мм 14 12 недель 3 ДА 2В~5,5В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 0,65 мм 5,5 В НЕ УКАЗАН 3 Р-ПДСО-Г14 АХК/ВХК/Х/У/В АЭК-Q100 8мА 8мА 3 НО-ворота 15,5 нс 7,9 нс при 5 В, 50 пФ 2мкА 0,1 В ~ 36 В 2 В ~ 4,5 В
TC7SH125FSTPL3 TC7SH125FSTPL3 Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7SH Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS 2009 год /files/toshiba-tc7sh125fstpl3-datasheets-1232.pdf СОТ-953 6 5 Нет ЛЕНТА И КАТУШКА 1 Неинвертирующий 2В~5,5В ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 7Ш125 Водитель автобуса/трансиверы Р-ПДФП-Ф6 1 3-государство Буфер, Инвертирование 15 нс 2мкА 8мА 8мА 1 Буферный, неинвертирующий 0,004 А ВКЛЮЧИТЬ НИЗКИЙ
TLP290(BL-TP,SE TLP290(BL-TP,SE Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp290bltpse-datasheets-6827.pdf 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) 12 недель 4 UL ПРИЗНАЛ Нет 200мВт 1 1 80В Транзистор 50 мА 0,05А ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 80нА 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TCK107AG,LF ТСК107АГ,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Неинвертирующий Соответствует RoHS 2012 год 4-УФБГА, WLCSP 12 недель Вкл/Выкл неизвестный Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения СПСТ P-канал 1,1 В~5,5 В 1 Общего назначения Высокая сторона Не требуется 34 м Ом 1:1
TLP292-4(LGBTR,E TLP292-4(ЛГБТР,Э Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~125°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2002 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2924v4gbtre-datasheets-6833.pdf 16-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) 12 недель 16 УТВЕРЖДЕНО UL неизвестный 4 4 80В Транзистор 0,05А 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 80В 80нА 100% при 500 мкА 600% при 500 мкА 3 мкс, 3 мкс
TBD62789APG TBD62789APG Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -40°C~85°C ТА Поднос Непригодный Соответствует RoHS 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) 12 недель Вкл/Выкл НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН P-канал 4,5 В~50 В 8 Общего назначения Высокая сторона 400 мА 2В~5,5В 1,4 Ом 1:1
TLP2703(TP,E TLP2703(TP,E Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~125°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2703tpe-datasheets-0873.pdf 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 12 недель 1 Дарлингтон 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,47 В 20 мА 80 мА 18В 900% при 500 мкА 8000% при 500 мкА 330 нс, 2,5 мкс
TBD62783AFWG,EL TBD62783AFWG,EL Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Неинвертирующий Соответствует RoHS 2016 год 18-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 12 недель 18 Вкл/Выкл 500 мА N-канал 50 В Макс. 8 Общего назначения Высокая сторона Не требуется 1:1
TLP185(BL-TPL,SE TLP185(BL-TPL,SE Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода 12 недель 4 да УТВЕРЖДЕНО UL Нет 200мВт 1 1 80В Транзистор 50 мА 0,05А ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 80нА 200% при 5 мА 400% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TCK22892G,LF ТСК22892Г,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Неинвертирующий Соответствует RoHS 2016 год 6-УФБГА, ВЛЦП 12 недель Вкл/Выкл Разгрузка нагрузки P-канал 1,4 В~5,5 В 1 Общего назначения Высокая сторона Ограничение тока (фиксированное), перегрев 740 мА Не требуется 31 м Ом 1:1
TLP185(GB,E) TLP185(ГБ,Э) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185gre-datasheets-5814.pdf 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода 2,3 мм 12 недель 4 Нет 11-4М1С 200мВт 1 200мВт 80В 20 мА Транзистор 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 80В 300мВ 80В 10 мА 1,25 В 5 мкс 9 мкс 50 мА 100% при 5 мА 400% при 5 мА 9 мкс, 9 мкс 300мВ
TCK101G,LF ТСК101Г,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Неинвертирующий Соответствует RoHS 2014 год 6-УФБГА 5,5 В 20 мкА 12 недель 180мОм 6 Вкл/Выкл Нет Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения 800мВт P-канал 1,1 В~5,5 В 1 Общего назначения Высокая сторона Перегрев Не требуется 50 м Ом 1:1
TLX9309(TPL,F TLX9309(ТПЛ,Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -40°К~125°К 1 (без ограничений) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlx9309tplf-datasheets-7204.pdf 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов 12 недель 1 Транзистор 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,6 В 15 мА 25 мА 15% при 7 мА 300% при 7 мА
TBD62004AFG,EL TBD62004AFG,EL Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Инвертирование Соответствует RoHS 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 17 недель 16 Вкл/Выкл 2,8А N-канал 50 В Макс. 7 Общего назначения Низкая сторона 500 мА Не требуется 1:1
TLX9300(TPL,F TLX9300(ТПЛ,Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных 2,69 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Автомобильная промышленность, AEC-Q101 Поверхностный монтаж -40°К~125°К 1 (без ограничений) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlx9300tplf-datasheets-7172.pdf 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода 12 недель 1 Транзистор 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,25 В 30 мА 50 мА 40В 100% при 5 мА 900% при 5 мА 15 мкс, 50 ​​мкс 400мВ
TBD62384AFWG,EL TBD62384AFWG,EL Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Инвертирование Соответствует RoHS 18-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) 17 недель Вкл/Выкл N-канал 0 В~50 В 8 Общего назначения Низкая сторона 400 мА 4,5 В~5,5 В 1,5 Ом 1:1
TLP188(TPL,E TLP188(ТПЛ,Е Toshiba Полупроводники и системы хранения данных 0,68 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp188tple-datasheets-0690.pdf 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода 12 недель 4 Нет 200мВт 1 1 350В Транзистор 50 мА 0,05А 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 400мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TB7101AF(T5L3.3,F) ТБ7101AF(T5L3.3,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~125°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) BCDMOS 0,85 мм Соответствует RoHS 8-SMD, плоский вывод 2,9 мм 2,4 мм 8 EAR99 5,5 В ДА ДВОЙНОЙ 0,65 мм ТБ7101 КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР Импульсный регулятор или контроллеры Не квалифицирован Р-ПДСО-Ф8 3,3 В Зафиксированный Понижение 1 Позитивный Бак Да РЕЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ 4,3 В 3,3 В 1 МГц
TLP185(GB-TPL,SE TLP185(GB-TPL,SE Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода 2,2 мм 12 недель 4 УТВЕРЖДЕНО UL 11-4М1С 1 200мВт 1 125°С 80В 10 мА Транзистор 500 нс 40 мкс ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 80В 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 50 мА 80нА 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TB7101F(T5L3.3,F) ТБ7101Ф(Т5Л3.3,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~125°C ТДж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) BCDMOS 0,85 мм Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tb7101ft5l33f-datasheets-0883.pdf 8-SMD, плоский вывод 2,9 мм 2,4 мм 8 EAR99 5,5 В ДА ДВОЙНОЙ 0,65 мм ТБ7101 КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР Импульсный регулятор или контроллеры Не квалифицирован Р-ПДСО-Ф8 3,3 В Зафиксированный Понижение 1 Позитивный Бак Да РЕЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ 4,3 В 3,3 В 1 МГц
TLP291(Y-TP,SE TLP291(Y-TP,SE Toshiba Полупроводники и системы хранения данных 0,50 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp291gbse-datasheets-5849.pdf 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) 12 недель 4 да Нет 200мВт 1 80В Транзистор 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
RN1911FE,LF(CT RN1911FE,LF(CT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) СОТ-563, СОТ-666 10 недель 100мВт 50В 100 мА 100нА ИКБО 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 120 @ 1 мА 5 В 250 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 10 кОм
TLP183(GR-TPL,E TLP183(GR-TPL,E Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~125°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp183bltple-datasheets-6889.pdf 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода 12 недель 4 да Нет 200мВт 1 80В Транзистор 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
RN1907FE,LF(CT RN1907FE,LF(CT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS СОТ-563, СОТ-666 12 недель 3,005049мг НПН 100мВт 100 мА 50В 100 мА 80 100нА ИКБО 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 80 @ 10 мА 5 В 250 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 10 кОм 47 кОм
TMPM36BF10FG(DBB) TMPM36BF10FG(ДББ) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТХ03 Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Поднос 3 (168 часов) Соответствует RoHS 100-LQFP 18 недель Внешний 72 DMA, LVD, POR, WDT 258К х 8 64 МГц ARM® Cortex®-M3 2,7 В~3,6 В ВСПЫШКА 32-битный 1 МБ 1 М х 8 EBI/EMI, I2C, ИК-порт, микропровод, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART А/Д 16x12b
RN1964TE85LF РН1964ТЕ85ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 11 недель НПН 200мВт Двойной 2 BIP Малый сигнал общего назначения КРЕМНИЙ 100 мА 50В 50В 300мВ 100 мА 10 В 80 100нА ИКБО 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 80 @ 10 мА 5 В 250 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 47 кОм 47 кОм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.