Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | Импеданс | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Емкость при частоте | Напряжение — вход (макс.) | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Приложения | Напряжение | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Базовый номер детали | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Конфигурация элемента | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Пакет устройств поставщика | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Падение напряжения | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Максимальное напряжение изоляции | Особенности монтажа | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальный обратный ток утечки | Стабилитронное напряжение | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тестовый ток | Технология полевых транзисторов | Время отклика-Макс. | Конфигурация выхода | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Обратное напряжение пробоя | Защита от ЭСР | Мощность — пиковый импульс | Код JEDEC-95 | Прямое напряжение-Макс. | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Тип дисплея | Ток — выход/канал | Зона просмотра | Режим отображения | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Размер экрана по диагонали | Размер диагонали | Напряжение - Выход (Макс.) | Ток – состояние покоя (Iq) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Импеданс-Макс. | Функции управления | Подсветка | Точечные пиксели | Цвет графики | Шаг точки | Ток – Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Количество регуляторов | Функции защиты | Падение напряжения (макс.) | ПСРР | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP552 МРОН,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTA149B781F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ЛВДС | TFT — цветной | 360,94 мм Ш x 109,98 мм В | Трансмиссивный | 390 пикселей | 1280 пикселей | 14,9 378,46 мм | 14,9 дюйма | CCFL | 1280 х 390 | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,28 мм Ш x 0,28 мм В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP512(NEMIC-TP1,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE135,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,27 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2EE | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | СОТ-553 | 12 недель | 5,5 В | ЕСВ | 1,35 В | 350 мВ | Зафиксированный | Позитивный | 60 мкА | Давать возможность | 200 мА | 1,35 В | 1 | Перегрузка по току | 0,47 В при 150 мА | 73 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП731(Д4,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | НЕТ | 100°С | -55°С | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 0,06А | 0,05А | 4000В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 0,00001 с | 0,15 Вт | 1,3 В | 50% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК100А10Н1,С4С | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | $3,37 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСVIII-H | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk100a10n1s4x-datasheets-3075.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 12 недель | 6.000006г | 3 | да | Нет | 1 | Одинокий | 1 | 59 нс | 32нс | 45 нс | 140 нс | 100А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100 В | 45 Вт Тс | ТО-220АБ | 222 мДж | N-канал | 8800пФ при 50В | 3,8 мОм при 50 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 100А Тс | 140 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP532(GR-TP5,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК1К9А60Ф,С4С | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСИКС | Сквозное отверстие | 150°С | Трубка | Непригодный | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk1k9a60fs4x-datasheets-4196.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 12 недель | 600В | 30 Вт Тс | N-канал | 490пФ при 300В | 1,9 Ом при 1,9 А, 10 В | 4 В @ 400 мкА | 3,7А Та | 14 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734F(D4-GRL,M,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК560П65И,РК | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,13 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ДТМОСВ | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk560p65yrq-datasheets-1568.pdf | ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63 | 16 недель | ДПАК | 650В | 60 Вт Тс | N-канал | 380пФ при 300В | 560 мОм при 3,5 А, 10 В | 4 В @ 240 мкА | 7А Тк | 14,5 нК при 10 В | 10 В | ±30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП627-4(ХИТОМК,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CEZ6V2,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | ЧЭЗ | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | СК-79, СОД-523 | 105пФ при 1 МГц | Общего назначения | ЭКУ | Нет | 5,8 В | 11 А (8/20 мкс) | 10 В (тип.) | 6,2 В | 1 | 175 Вт | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4BLL-LF6,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1307,LXHF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СК-70, СОТ-323 | СК-70 | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП785(Д4ГЛ-Ф6,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2307,LXHF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | СК-70, СОТ-323 | СК-70 | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП785(Д4ГБ-Ф6,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2306,ЛХХФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СК-70, СОТ-323 | СК-70 | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4N32(КОРОТКИЙ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-4n32shortf-datasheets-9603.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | 6 | Нет | 250мВт | 4Н32 | 1 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 30 В | 80 мА | 1,5 В | Дарлингтон с базой | 80 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 30 В | 100 мА | 1,15 В | 80 мА | 100 мА | 500 % | 100 мА | 30 В | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | 1В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4982FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц, 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП281(ГБ-ТП,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2814tpjf-datasheets-3860.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 4 | UL ПРИЗНАЛ | неизвестный | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 6В | 200мВт | 200мВт | 1 | 80В | 80В | 50 мА | Транзистор | 2 мкс | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 80В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 5В | 50 мА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2115,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 10 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК208-И(ТЭ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2002 г. | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 52 недели | 7,994566мг | 3 | НИЗКИЙ ШУМ | 8541.21.00.95 | 100мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | 6,5 мА | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10 В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 8,2 пФ при 10 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | 1,2 мА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2905FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRZ15(TE85L,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | СОД-123Ф | 12 недель | 2 | 30Ом | ±10% | 700мВт | CRZ15 | Одинокий | 10 мкА | 15 В | 10 мА | 30Ом | 10 мкА при 10 В | 1 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4989FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 10 мА, 5 В | 250 МГц, 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMZ12(TE12L,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,44 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОД-128 | 12 недель | 2 | 30Ом | ±10% | Одинокий | 10 мкА | 12 В | 10 мА | 2 Вт | Нет | 30Ом | 10 мкА при 8 В | 1,2 В при 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1104,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRZ43(TE85L,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-crz47te85lqm-datasheets-4095.pdf | СОД-123Ф | 2 | 40Ом | ±10% | 700мВт | Одинокий | 10 мкА | 43В | 7мА | Нет | 40Ом | 10 мкА при 34,4 В | 1 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1405,ЛХХФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных |
