Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Способ упаковки | Количество функций | Напряжение — вход (макс.) | Особенность | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Семья | Пакет устройств поставщика | Уровень скрининга | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Количество битов | Выходное напряжение | Выходной ток | Тип генератора | Количество входов/выходов | Периферийные устройства | Размер оперативной памяти | Прямой ток | Тип выхода | Напряжение – нагрузка | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Прямой ток-макс. | Емкость нагрузки | Время задержки выключения | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Задержка распространения | Функция | Непрерывный ток коллектора | Количество выходов | Количество бит на элемент | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток низкого уровня | Ток покоя | Тип переключателя | Скорость | Конфигурация выхода | Защита от неисправностей | Напряжение – изоляция | Ток-выход (макс.) | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Обратное напряжение пробоя | Максимальное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Топология | Синхронный выпрямитель | Количество входов | Ток — выход/канал | Режим управления | Техника управления | Напряжение - Выход (Макс.) | Тип логики | Макс I(ол) | Тип управления | Опора Delay@Nom-Sup | Задержка распространения (tpd) | Напряжение — вход (мин.) | Темный ток-Макс. | Макс. задержка распространения @ V, Макс. CL | Ток – режим покоя (макс.) | Ток – Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Основной процессор | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Тип памяти программы | Размер ядра | Размер памяти программы | Возможности подключения | Конвертер данных | Логический уровень – низкий | Логический уровень – высокий | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | RDS включен (тип.) | hFE Мин. | Соотношение – Вход:Выход | Частота — переключение | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TC7SZ86FE,LJ(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SZ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sz86feljct-datasheets-6676.pdf | СОТ-553 | 12 недель | 1,65 В~5,5 В | 1 | ЕСВ | ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 5,4 нс | 32 мА | 32 мА | 2мкА | 32 мА 32 мА | 2 | XOR (исключающее ИЛИ) | 5,4 нс при 5 В, 50 пФ | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VCX541FTEL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74VCX | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 | 16 недель | 1 | ДА | 1,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,635 мм | 1 | Водитель автобуса/трансиверы | истинный | 3,3 В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G20 | 3-государство | 30пФ | Буфер | 8 | 24 мА 24 мА | Буферный, неинвертирующий | 0,024 А | ВКЛЮЧИТЬ НИЗКИЙ | 3,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZ00F,LJ(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SZ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sz00fuljct-datasheets-7128.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 200мВт | 1,8 В~5,5 В | 7SZ00 | 1 | 10 нс | NAND | 4,3 нс | 2мкА | 32 мА 32 мА | 2 | И-НЕ-ворота | 4,3 нс при 5 В, 50 пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VHCT540AFTEL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74VHCT | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | 4,4 мм | 20 | нет | 2 | С ВКЛЮЧЕНИЕМ ДВОЙНОГО ВЫХОДА | неизвестный | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | 74VHCT540 | 20 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | 1 | Водитель автобуса/трансиверы | ПЕРЕВЕРНУТЫЙ | 5В | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G20 | AHCT/VHCT | 3-государство | 50пФ | 8 | 8мА 8мА | Буфер, Инвертирование | ВКЛЮЧИТЬ НИЗКИЙ | 9,5 нс | 9,5 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC27FT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 74ВХК | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-74vhc27ft-datasheets-5477.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 14 | 12 недель | 3 | ДА | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 2В | НЕ УКАЗАН | 3 | Р-ПДСО-Г14 | АХК/ВХК/Х/У/В | АЭК-Q100 | 8мА 8мА | 3 | НО-ворота | 15,5 нс | 7,9 нс при 5 В, 50 пФ | 2мкА | 0,1 В ~ 36 В | 2 В ~ 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SH125FSTPL3 | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SH | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshiba-tc7sh125fstpl3-datasheets-1232.pdf | СОТ-953 | 6 | 5 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | Неинвертирующий | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | 7Ш125 | Водитель автобуса/трансиверы | Р-ПДФП-Ф6 | 1 | 3-государство | Буфер, Инвертирование | 15 нс | 2мкА | 8мА 8мА | 1 | Буферный, неинвертирующий | 0,004 А | ВКЛЮЧИТЬ НИЗКИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP290(BL-TP,SE | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp290bltpse-datasheets-6827.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 4 | UL ПРИЗНАЛ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80нА | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСК107АГ,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2012 год | 4-УФБГА, WLCSP | 12 недель | Вкл/Выкл | неизвестный | Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения | СПСТ | P-канал | 1,1 В~5,5 В | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | 1А | Не требуется | 34 м Ом | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292-4(ЛГБТР,Э | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2924v4gbtre-datasheets-6833.pdf | 16-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 16 | УТВЕРЖДЕНО UL | неизвестный | 4 | 4 | 80В | Транзистор | 0,05А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 80нА | 100% при 500 мкА | 600% при 500 мкА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62789APG | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Поднос | Непригодный | Соответствует RoHS | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | Вкл/Выкл | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | P-канал | 4,5 В~50 В | 8 | Общего назначения | Высокая сторона | 400 мА | 2В~5,5В | 1,4 Ом | 1:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2703(TP,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2703tpe-datasheets-0873.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | 1 | Дарлингтон | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,47 В | 20 мА | 80 мА | 18В | 900% при 500 мкА | 8000% при 500 мкА | 330 нс, 2,5 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62783AFWG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2016 год | 18-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | 18 | Вкл/Выкл | 500 мА | N-канал | 50 В Макс. | 8 | Общего назначения | Высокая сторона | Не требуется | 1:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(BL-TPL,SE | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | да | УТВЕРЖДЕНО UL | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80нА | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСК22892Г,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2016 год | 6-УФБГА, ВЛЦП | 12 недель | Вкл/Выкл | Разгрузка нагрузки | P-канал | 1,4 В~5,5 В | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | Ограничение тока (фиксированное), перегрев | 740 мА | Не требуется | 31 м Ом | 1:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(ГБ,Э) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185gre-datasheets-5814.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 2,3 мм | 12 недель | 4 | Нет | 11-4М1С | 200мВт | 1 | 200мВт | 80В | 20 мА | Транзистор | 20 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 80В | 300мВ | 80В | 10 мА | 1,25 В | 5 мкс 9 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 400% при 5 мА | 9 мкс, 9 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСК101Г,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-УФБГА | 5,5 В | 20 мкА | 12 недель | 180мОм | 6 | Вкл/Выкл | Нет | Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения | 800мВт | 1А | 1А | P-канал | 1,1 В~5,5 В | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | Перегрев | Не требуется | 50 м Ом | 1:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLX9309(ТПЛ,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlx9309tplf-datasheets-7204.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,6 В | 15 мА | 25 мА | 15% при 7 мА | 300% при 7 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62004AFG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Инвертирование | Соответствует RoHS | 16-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 17 недель | 16 | Вкл/Выкл | 2,8А | N-канал | 50 В Макс. | 7 | Общего назначения | Низкая сторона | 500 мА | Не требуется | 1:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLX9300(ТПЛ,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 2,69 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlx9300tplf-datasheets-7172.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 30 мА | 50 мА | 40В | 100% при 5 мА | 900% при 5 мА | 15 мкс, 50 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62384AFWG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Инвертирование | Соответствует RoHS | 18-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 17 недель | Вкл/Выкл | N-канал | 0 В~50 В | 8 | Общего назначения | Низкая сторона | 400 мА | 4,5 В~5,5 В | 1,5 Ом | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP188(ТПЛ,Е | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,68 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp188tple-datasheets-0690.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 350В | Транзистор | 50 мА | 0,05А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ7101AF(T5L3.3,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | BCDMOS | 0,85 мм | Соответствует RoHS | 8-SMD, плоский вывод | 2,9 мм | 2,4 мм | 8 | EAR99 | 5,5 В | ДА | ДВОЙНОЙ | 0,65 мм | ТБ7101 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Импульсный регулятор или контроллеры | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф8 | 3,3 В | Зафиксированный | Понижение | 1 | Позитивный | 5В | Бак | Да | РЕЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | 4,3 В | 1А | 3,3 В | 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(GB-TPL,SE | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 2,2 мм | 12 недель | 4 | УТВЕРЖДЕНО UL | 11-4М1С | 1 | 200мВт | 1 | 125°С | 80В | 10 мА | Транзистор | 500 нс | 40 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 5В | 300мВ | 80В | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80нА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ7101Ф(Т5Л3.3,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | BCDMOS | 0,85 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tb7101ft5l33f-datasheets-0883.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 2,9 мм | 2,4 мм | 8 | EAR99 | 5,5 В | ДА | ДВОЙНОЙ | 0,65 мм | ТБ7101 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Импульсный регулятор или контроллеры | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Ф8 | 3,3 В | Зафиксированный | Понижение | 1 | Позитивный | 5В | Бак | Да | РЕЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | 4,3 В | 1А | 3,3 В | 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP291(Y-TP,SE | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,50 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp291gbse-datasheets-5849.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 4 | да | Нет | 200мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1911FE,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СОТ-563, СОТ-666 | 10 недель | 100мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP183(GR-TPL,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp183bltple-datasheets-6889.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | да | Нет | 200мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1907FE,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 3,005049мг | НПН | 100мВт | 100 мА | 50В | 100 мА | 6В | 80 | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMPM36BF10FG(ДББ) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТХ03 | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | 100-LQFP | 18 недель | Внешний | 72 | DMA, LVD, POR, WDT | 258К х 8 | 64 МГц | ARM® Cortex®-M3 | 2,7 В~3,6 В | ВСПЫШКА | 32-битный | 1 МБ 1 М х 8 | EBI/EMI, I2C, ИК-порт, микропровод, SIO, SPI, SSI, SSP, UART/USART | А/Д 16x12b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1964ТЕ85ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 11 недель | НПН | 200мВт | Двойной | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 10 В | 80 | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм |
