Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Количество функций | Напряжение — вход (макс.) | Особенность | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Количество цепей | Статус квалификации | Максимальная температура перехода (Tj) | Код JESD-30 | Семья | Пакет устройств поставщика | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Размер памяти | Максимальное выходное напряжение | Минимальное выходное напряжение | Количество каналов АЦП | Выходное напряжение | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Прямой ток | Стиль завершения | Тип выхода | Схема | Напряжение — вход | Напряжение – нагрузка | Ток нагрузки | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Полярность/Тип канала | Задержка распространения | Функция | Непрерывный ток коллектора | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток низкого уровня | Ток покоя | Тип переключателя | Скорость | Конфигурация выхода | Защита от неисправностей | Напряжение – изоляция | Ток-выход (макс.) | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Обратное напряжение пробоя | Максимальное напряжение пробоя | Обратное напряжение | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Ограничение пикового выходного тока-ном. | Встроенная защита | Направление выходного тока | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Топология | Синхронный выпрямитель | Количество входов | Ток — выход/канал | Количество выходных линий | Режим управления | Техника управления | Напряжение - Выход (Макс.) | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Тип логики | Напряжение — вход (мин.) | Макс. задержка распространения @ V, Макс. CL | Ток – режим покоя (макс.) | Ток – Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Основной процессор | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Тип памяти программы | Размер ядра | Размер памяти программы | Возможности подключения | Конвертер данных | Логический уровень – низкий | Логический уровень – высокий | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | RDS включен (тип.) | hFE Мин. | Соотношение – Вход:Выход | Частота — переключение | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP293-4(V4-TR,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2934latre-datasheets-9453.pdf | 16-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 16 | 4 | 80В | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62084AFNG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2016 год | 18-LSSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 18 | Вкл/Выкл | 2,8А | N-канал | 50 В Макс. | 8 | Общего назначения | Низкая сторона | 500 мА | Не требуется | 1:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP184(ГБ-ТПЛ,Э) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp184tpre-datasheets-0152.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 6 | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 80В | 16 мА | Транзистор | 20 мА | 5 мкс | 9 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,25 В | 5 мкс 9 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 400% при 5 мА | 9 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСК22925Г,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2016 год | 6-УФБГА, ВЛЦП | 12 недель | Вкл/Выкл | Разгрузка нагрузки, контроль скорости нарастания напряжения | P-канал | 1,1 В~5,5 В | 1 | Общего назначения | Высокая сторона | Обратный ток | 2А | Не требуется | 25 м Ом | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП185(Е) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,18 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185gre-datasheets-5814.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | Без свинца | 12 недель | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 80В | 16 мА | Транзистор | 20 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 80В | 10 мА | 1,25 В | 5 мкс 9 мкс | 50 мА | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 9 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62004AFWG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Инвертирование | Соответствует RoHS | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 17 недель | 16 | Вкл/Выкл | 7 | 16-СОП | 2,8А | 50В | N-канал | 50 В Макс. | 7 | Общего назначения | Низкая сторона | 500 мА | Не требуется | 1:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLX9291A(GBTPL,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlx9291agbtplf-datasheets-7156.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,27 В | 3 мкс 5 мкс | 30 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 5 мкс, 5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62003APG | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | ДМОС | Инвертирование | 4,45 мм | Соответствует RoHS | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,25 мм | 16 | 12 недель | Вкл/Выкл | 7 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | 25 В | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДИП-Т16 | 2,8А | N-канал | 50 В Макс. | 7 | Общего назначения | Низкая сторона | 500 мА | 0,4 А | ПЕРЕХОДНЫЙ | РАКОВИНА | Не требуется | 1:1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(GR-TPR,SE | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TBD62084AFG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2016 год | 18-SOIC (ширина 0,276, 7,00 мм) | 12 недель | 18 | Вкл/Выкл | 2,8А | N-канал | 50 В Макс. | 8 | Общего назначения | Низкая сторона | 500 мА | Не требуется | 1:1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(GR-TP6,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 3,95 мм | 12 недель | 4 | УТВЕРЖДЕНО UL | 240мВт | 1 | 240мВт | 1 | 125°С | 80В | 10 мА | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 5В | 400мВ | 80В | 10 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCV7101F(TE12L,К) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2013 год | 8-PowerTDFN | 5 мм | 5 мм | 8 | EAR99 | 5,5 В | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | ТКВ71* | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Импульсный регулятор или контроллеры | Не квалифицирован | С-ПДСО-Ф8 | Регулируемый | Понижение | 1 | Позитивный | 3,3 В | Бак | Да | РЕЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ | 2,7 В | 3,8А | 0,8 В | 600 кГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP293(GR-TPL,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp293bltple-datasheets-4551.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 4 | да | Нет | 200мВт | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ7102Ф(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | BCDMOS | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tb7102fte85lf-datasheets-7805.pdf | 8-SMD, плоский вывод | 2,9 мм | 2,4 мм | 5,5 В | 8 | 8 | EAR99 | Нет | ДВОЙНОЙ | 0,65 мм | ТБ7102 | КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР | Импульсный регулятор или контроллеры | 1А | 4,5 В | 800мВ | 6В | Регулируемый | Понижение | 1 | Позитивный | 5В | Бак | Да | РЕЖИМ НАПРЯЖЕНИЯ | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | 4,5 В | 2,7 В | 0,8 В | 1 МГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3317(TP15,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП3317 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp3317tp15f-datasheets-0090.pdf | 4-СМД (0,128, 3,25 мм) | 20 недель | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,15 В постоянного тока | 0В~80В | 120 мА | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ССР | 12Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2901,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 30 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2301(ТПЛ,Е | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2301tple-datasheets-4193.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | УТВЕРЖДЕНО UL | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 0,02 МБ/с | 40В | 10 мА | Транзистор | 50 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 50 мА | 50% при 1 мА | 600% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4989(Т5Л,Ф,Т) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 18 недель | 6 | НПН, ПНП | 200мВт | Двойной | 200мВт | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100 мкА ИКБО | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMPM3HQFDFG(DBB) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tmpm3hqfdfgdbb-datasheets-4476.pdf | 144-ФКФП | 16 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1507(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 11 недель | НПН | 300мВт | Двойной | 1 | Малые сигналы общего назначения BIP | КРЕМНИЙ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 6В | 80 | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМП86ФС49БФГ(ЧЖЗ) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TLCS-870/C | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 16 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tmp86fs49bfgczhz-datasheets-9054.pdf | 64-БКФП | 5,5 В | 16 недель | 342,689036мг | 64 | I2C, УАРТ, УАРТ | 16 МГц | 64-КФП (14x14) | 60 КБ | 16 | Внутренний | 56 | ВСПЫШКА | Светодиод, ШИМ, WDT | 2К х 8 | 8б | 16 МГц | 870/С | 2,7 В~5,5 В | ВСПЫШКА | 8-битный | 60 КБ 60 КБ x 8 | I2C, SIO, УАРТ/УСАРТ | А/Д 16x10b | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1965(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | неизвестный | 200мВт | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZ14FU,LJ(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SZ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sz14fljct-datasheets-6819.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | 5 | 16 недель | 1 | Триггер Шмитта | 1,65 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,65 мм | 7СЗ14 | 5,5 В | 1 | Р-ПДСО-Г5 | ЛВК/LCX/Z | 15,6 нс | 5,9 нс | 1 мкА | 32 мА 32 мА | 1 | Инвертор | 5,9 нс при 5 В, 50 пФ | 0,2 В ~ 1,2 В | 1,4 В ~ 3,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4604(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74, СОТ-457 | 12 недель | неизвестный | 300мВт | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН/ПНП | 300мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100нА ИКБО | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZ86F,LJ(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SZ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sz86fuljct-datasheets-6617.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 1,8 В~5,5 В | 1 | ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 5,4 нс | 2мкА | 32 мА 32 мА | 2 | XOR (исключающее ИЛИ) | 5,4 нс при 5 В, 50 пФ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4984FE,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 3,005049мг | НПН, ПНП | 100мВт | 2 | -100 мА | -50В | 50В | 100 мА | -10 В | 80 | 100нА ИКБО | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SH04FE,ЛМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SH | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sh04felm-datasheets-2741.pdf | СОТ-553 | 5В | 5,5 В | 2В | 5 | 2В~5,5В | 1 | ЕСВ | ТТЛ | 3,8 нс | Инвертор | 7,5 нс | 8мА | 8мА | 2мкА | 8мА 8мА | 1 | 1 | Инвертор | 7,5 нс при 5 В, 50 пФ | 2мкА | 0,5 В | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1906FE,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | EAR99 | 100мВт | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SH32FS,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SH | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc7sh32fsl3f-datasheets-3527.pdf | СОТ-953 | 2В~5,5В | 1 | ИЛИ | 7,5 нс | 2мкА | 8мА 8мА | 2 | ИЛИ Ворота | 7,5 нс при 5 В, 50 пФ | 0,5 В | 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2903,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 6,010099мг | ПНП | 200мВт | США6 | -100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | -10 В | 70 | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм |
