Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | Импеданс | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Достичь кода соответствия | Максимальное входное напряжение | Толерантность | Приложения | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество каналов | Конфигурация элемента | Рассеяние мощности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Размер памяти | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Размер оперативной памяти | Прямой ток | Тип выхода | Напряжение – нагрузка | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Среднеквадратичный ток (Irms) | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальный обратный ток утечки | Стабилитронное напряжение | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тестовый ток | Функция | Скорость | Конфигурация выхода | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Удерживать ток | Обратное напряжение пробоя | Защита от ЭСР | Код JEDEC-95 | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Тип дисплея | Напряжение – выключенное состояние | Ток — удержание (Ih) | Ток - Макс. | Ток — выход/канал | Зона просмотра | Режим отображения | Пиксельный формат | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Размер экрана по диагонали | Размер диагонали | Напряжение - Выход (Макс.) | Скорость - Чтение | Скорость — запись | Схема пересечения нуля | Статическое dV/dt (мин) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Импеданс-Макс. | Подсветка | Точечные пиксели | Цвет графики | Шаг точки | Тип подсветки | Контрастность | Яркость | Ток - Выход | Основной процессор | Тип памяти программы | Размер ядра | Размер памяти программы | Возможности подключения | Конвертер данных | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Формат отображения | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Тип двигателя - переменный, постоянный ток | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Форм-фактор | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP161J(У,Ц,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp161jtprucf-datasheets-1872.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | Без свинца | 16 недель | УР | 4 | Нет | 1,15 В | 1,3 В | 1 | 70 мА | 420В | 70 мА | 10 мА | Триак | 70 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 5В | 1,15 В | 50 мА | 600В | 600 мкА тип. | Да | 200 В/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550(МЕЙДЕН,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTA084C271F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 70°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-lta084c271f-datasheets-9492.pdf | Модуль | 149,5 мм | 199,5 мм | 3,3 В | Без свинца | 11,5 мм | ЛВДС | неизвестный | 3,3 В | 17 мс | ГРАФИЧЕСКИЙ ТОЧЕЧНО-МАТРИЧНЫЙ ЖК-ДИСПЛЕЙ | TFT — цветной | 170,40 мм Ш x 127,80 мм В | Трансмиссивный | 800X600 | 600 пикселей | 800 пикселей | 8,4 213,36 мм | 8,4 дюйма | Светодиод - Белый | 800 х 600 (SVGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,21 мм Ш x 0,21 мм В | ВЕЛ | 370:1 | 400 кд/м^2 | 2 х 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP632(GR-TP1,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК65А10Н1,С4С | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСVIII-H | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tk65a10n1s4x-datasheets-1964.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 3 | 12 недель | 6.000006г | 3 | да | Нет | 1 | Одинокий | 1 | 44 нс | 19нс | 26 нс | 85 нс | 65А | 20 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 45 Вт Тс | ТО-220АБ | 296А | 0,0048Ом | N-канал | 5400пФ при 50В | 4,8 мОм при 32,5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 65А Тс | 81 нК при 10 В | 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП331(БВ-ЛФ2,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК14А65В5,С5С | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ДТМОСИВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk14a65w5s5x-datasheets-3644.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | 16 недель | 6.000006г | 3 | Нет | 1 | Одинокий | ТО-220СИС | 1,3 нФ | 90 нс | 40 нс | 7 нс | 110 нс | 13,7А | 30В | 650В | 40 Вт Тс | 250мОм | N-канал | 1300пФ при 300В | 300 мОм при 6,9 А, 10 В | 4,5 В @ 690 мкА | 13,7А Та | 40 нК при 10 В | 300 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP512(NEMIC-LF1,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3К15Ф,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | π-МОСИВ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm3k15flf-datasheets-7374.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | 30В | 200мВт Та | N-канал | 7,8 пФ при 3 В | 4 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | 100 мА Та | 2,5 В 4 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734F(Д4-ГБ,М,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDKGB13A2A01T | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | САТА III | MQ01ABDxxx | 5°С ~ 55°С | 100,45 мм х 69,85 мм х 9,50 мм | 4,13 унции (117 г) | 5В | 1 ТБ | Магнитный диск (HDD) | - | - | - | 2,5 дюйма | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2719(LF4,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 1 | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,6 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 20% при 16 мА | 55% при 16 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4908,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП785(Д4ГР-Ф6,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2903,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4-Y-LF7,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2910,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 120 при 1 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | - | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6Н136Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-6n136f-datasheets-9563.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 недель | СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА UL | неизвестный | НЕТ | 6Н136 | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | Транзистор с базой | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 0,008А | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 25 мА | 8мА | 15 В | 19% при 16 мА | 200 нс, 500 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2906,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP504A(ГБ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp504af-datasheets-3743.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 | Золото, Олово | Нет | 250мВт | 250мВт | 2 | 55В | 55В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 2 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 55В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4990FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 100нА (ИКБО) | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 120 при 1 мА, 5 В | 250 МГц, 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | - | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMP91FY22FG | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛКС-900/Л1 | Поверхностный монтаж | -20°C~70°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tmp91fy22fg-datasheets-2628.pdf | 100-БКФП | ТМП91 | 100-КФП (14х20) | Внутренний | 81 | прямой доступ к памяти | 16К х 8 | 27 МГц | 900/Л1 | ВСПЫШКА | 16-битный | 256 КБ 256 КБ x 8 | EBI/EMI, ИК-порт, UART/USART | А/Д 8x10b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1107,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК208-ГР(ТЭ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 52 недели | 3 | Нет | 100мВт | Одинокий | СК-59 | 8,2 пФ | 6,5 мА | 100мВт | N-канал | 8,2 пФ при 10 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | 6,5 мА | 2,6 мА при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2903FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRZ30(TE85L,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОД-123Ф | 12 недель | 2 | Нет | ±10% | 700мВт | Одинокий | 10 мкА | 30В | 30Ом | 10 мкА при 21 В | 1 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1402,ЛХХФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 50 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRY75(TE85L,Q,M) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-crz47te85lqm-datasheets-4095.pdf | СОД-123Ф | 2 | 30Ом | ±10% | 700мВт | CRY7V5 | Одинокий | 10 мкА | 7,5 В | 10 мА | Нет | 30Ом | 10 мкА при 4,5 В | 1 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1904FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6569FG,8,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Би-КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | /хранилище/загрузка/FEILIDI-TB6569FG8EL.pdf | 16-BSOP (ширина 0,252, 6,40 мм) + 2 нагревательных вкладки | 17 недель | Параллельный, ШИМ | Общего назначения | 10 В~45 В | 10 В~45 В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (2) | 1,5 А | Матовый DC |
