Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь кода соответствия | Код HTS | Способ упаковки | Количество функций | Особенность | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество каналов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Код JESD-30 | Семья | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Количество каналов АЦП | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Тип выхода | Включить время задержки | Емкость нагрузки | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Задержка распространения | Непрерывный ток коллектора | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток низкого уровня | Ток покоя | Скорость | Мощность - Макс. | Максимальное напряжение пробоя | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входов | Количество ворот | Количество выходных линий | Тип логики | Триггер Шмитта | Задержка распространения (tpd) | Вход триггера Шмитта | Макс. задержка распространения @ V, Макс. CL | Ток – режим покоя (макс.) | Основной процессор | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Тип памяти программы | Размер ядра | Размер памяти программы | Возможности подключения | Конвертер данных | Логический уровень – низкий | Логический уровень – высокий | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN4989(Т5Л,Ф,Т) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 18 недель | 6 | НПН, ПНП | 200мВт | Двойной | 200мВт | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100 мкА ИКБО | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 250 МГц 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMPM3HQFDFG(DBB) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tmpm3hqfdfgdbb-datasheets-4476.pdf | 144-ФКФП | 16 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1507(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 11 недель | НПН | 300мВт | Двойной | 1 | Малые сигналы общего назначения BIP | КРЕМНИЙ | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 6В | 80 | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТМП86ФС49БФГ(ЧЖЗ) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TLCS-870/C | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 16 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tmp86fs49bfgczhz-datasheets-9054.pdf | 64-БКФП | 5,5 В | 16 недель | 342,689036мг | 64 | I2C, УАРТ, УАРТ | 16 МГц | 64-КФП (14x14) | 60 КБ | 16 | Внутренний | 56 | ВСПЫШКА | Светодиод, ШИМ, WDT | 2К х 8 | 8б | 16 МГц | 870/С | 2,7 В~5,5 В | ВСПЫШКА | 8-битный | 60 КБ 60 КБ x 8 | I2C, SIO, УАРТ/УСАРТ | А/Д 16x10b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1965(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | неизвестный | 200мВт | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZ14FU,LJ(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SZ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sz14fljct-datasheets-6819.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | 5 | 16 недель | 1 | Триггер Шмитта | 1,65 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,8 В | 0,65 мм | 7СЗ14 | 5,5 В | 1 | Р-ПДСО-Г5 | ЛВК/LCX/Z | 15,6 нс | 5,9 нс | 1 мкА | 32 мА 32 мА | 1 | Инвертор | 5,9 нс при 5 В, 50 пФ | 0,2 В ~ 1,2 В | 1,4 В ~ 3,6 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН4604(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74, СОТ-457 | 12 недель | неизвестный | 300мВт | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН/ПНП | 300мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100нА ИКБО | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SZ86F,LJ(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SZ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sz86fuljct-datasheets-6617.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 1,8 В~5,5 В | 1 | ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 5,4 нс | 2мкА | 32 мА 32 мА | 2 | XOR (исключающее ИЛИ) | 5,4 нс при 5 В, 50 пФ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4984FE,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 3,005049мг | НПН, ПНП | 100мВт | 2 | -100 мА | -50В | 50В | 100 мА | -10 В | 80 | 100нА ИКБО | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SH04FE,ЛМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SH | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sh04felm-datasheets-2741.pdf | СОТ-553 | 5В | 5,5 В | 2В | 5 | 2В~5,5В | 1 | ЕСВ | ТТЛ | 3,8 нс | Инвертор | 7,5 нс | 8мА | 8мА | 2мкА | 8мА 8мА | 1 | 1 | Инвертор | 7,5 нс при 5 В, 50 пФ | 2мкА | 0,5 В | 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1906FE,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | EAR99 | 100мВт | 100мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7SH32FS,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7SH | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc7sh32fsl3f-datasheets-3527.pdf | СОТ-953 | 2В~5,5В | 1 | ИЛИ | 7,5 нс | 2мкА | 8мА 8мА | 2 | ИЛИ Ворота | 7,5 нс при 5 В, 50 пФ | 0,5 В | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2903,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 6,010099мг | ПНП | 200мВт | США6 | -100 мА | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | -10 В | 70 | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74LCX32FTELM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 2,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 74LCX | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74lcx32ftelm-datasheets-0672.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 3,6 В | 1,65 В | 14 | Нет | 1,65 В~3,6 В | 74LCX32 | 4 | 4 | 14-ЦСОП | ИЛИ | 5,5 нс | 1 | 24 мА | 24 мА | 10 мкА | 24 мА 24 мА | 2 | 4 | ИЛИ Ворота | 5,5 нс при 3,3 В, 50 пФ | 10 мкА | 0,8 В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1906ФЭ(Т5Л,Ф,Т) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VCX08FTEL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74VCX | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74vcx08ftel-datasheets-9007.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 14 | 16 недель | неизвестный | 4 | ДА | 1,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1,5 В | 0,65 мм | 3,6 В | НЕ УКАЗАН | 4 | АЛВК/ВКС/А | И | 24 мА 24 мА | 2 | И Ворота | 37 нс | 2,8 нс при 3,3 В, 30 пФ | 20 мкА | 0,8 В | 2В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2969FE(TE85L,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | ДА | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7S00F,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC7S | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2011 г. | СК-74А, СОТ-753 | 5 | 12 недель | 1 | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,95 мм | 7S00 | 6В | 2В | НЕ УКАЗАН | 1 | Р-ПДСО-Г5 | ХК/УГ | NAND | 17 нс | 1 мкА | 2,6 мА 2,6 мА | 2 | И-НЕ-ворота | 17 нс при 6 В, 50 пФ | 0,5 В ~ 1,8 В | 1,5 В ~ 4,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2964ФЭ(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-563, СОТ-666 | неизвестный | ДА | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,1 Вт | 100мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74VHC05FT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 74ВХК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-74vhc05ft-datasheets-2606.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 14 | 12 недель | 14 | 8542.39.00.01 | 6 | Открытый слив | 2В~5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 74VHC05 | 14 | 5,5 В | 2В | НЕ УКАЗАН | 6 | АХК/ВХК/Х/У/В | 7,5 нс | 2мкА | - 8мА | Инвертор | 7,5 нс при 5 В, 50 пФ | 0,5 В | 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4908,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VHC00FK(ЭЛ,К) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,37 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74VHC | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc00fkelk-datasheets-3886.pdf | 14-ВФСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 14 недель | 2В~5,5В | 4 | 14-ВССОП | NAND | 8мА 8мА | 2 | И-НЕ-ворота | 7,5 нс при 5 В, 50 пФ | 2мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1706,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 12 недель | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74ACT32P(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74ACT | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | Непригодный | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74act32ftel-datasheets-3563.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,25 мм | 3,5 мм | 6,4 мм | Без свинца | 14 | 14 недель | 14 | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | Ворота | 5В | 4 | 50пФ | ИЛИ | 7,9 нс | 24 мА 24 мА | 2 | ИЛИ Ворота | Нет | 7,9 нс при 5 В, 50 пФ | 4мкА | 0,8 В | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2902,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | да | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | неизвестный | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 150°С | 2 | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | ПНП | 200мВт | 200 МГц | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74VHC86FTELM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC74VHC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc86ftelm-datasheets-2566.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | Без свинца | 14 | Золото | Нет | 2В~5,5В | 74VHC86 | 4 | ИЛИ, ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ | 8,8 нс | 2мкА | 8мА 8мА | 2 | XOR (исключающее ИЛИ) | 8,8 нс при 5 В, 50 пФ | 0,5 В | 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1968(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | неизвестный | 200мВт | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 200мВт | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4S69F(TE85L,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TC4S | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc4s69fte85lf-datasheets-7034.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 5 | 5 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 4С69 | 5 | 3В | Ворота | 1 | 200 нс | 80 нс | 1 мкА | 3,4 мА 3,4 мА | Инвертор | НЕТ | 80 нс при 15 В, 50 пФ | 1,5 В ~ 4 В | 3,5 В ~ 11 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1602(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2010 год | СК-74, СОТ-457 | 11 недель | 6 | Нет | НПН | 300мВт | Двойной | 2 | BIP Малый сигнал общего назначения | 100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 10 В | 50 | 100нА ИКБО | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 50 @ 10 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC7WH14FU(TE12L) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 7WH | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Диги-Рил® | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7wh14fuljct-datasheets-8059.pdf | 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,110, 2,80 мм) | Нет | Триггер Шмитта | 2В~5,5В | 7WH14 | 3 | Буфер, инвертор, триггер Шмитта | 10,6 нс | 2мкА | 8мА 8мА | 1 | Инвертор | 10,6 нс при 5 В, 50 пФ | 0,9 В ~ 1,65 В | 2,2 В ~ 3,85 В |
