Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/кейс | Без свинца | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Интерфейс | Импеданс | Радиационная закалка | Идентификатор упаковки производителя | Достичь кода соответствия | Мощность | Напряжение — вход (макс.) | Толерантность | Приложения | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Конфигурация элемента | Точность | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Входной ток смещения | Пакет устройств поставщика | Максимальный выходной ток | Размер памяти | Минимальное входное напряжение | Выходное напряжение | Падение напряжения | Тип памяти | Стиль завершения | Тип выхода | Схема | Напряжение — вход | Напряжение – нагрузка | Ток нагрузки | Максимальный обратный ток утечки | Стабилитронное напряжение | Логическая функция | Тестовый ток | Коэффициент отклонения источника питания (PSRR) | Функция | Ток покоя | Конфигурация выхода | Мощность - Макс. | Допуск по напряжению | Ток - Макс. | Скорость - Чтение | Скорость — запись | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Ток – состояние покоя (Iq) | Импеданс-Макс. | Функции управления | Ток – Выход | Напряжение — выход (мин./фикс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Тип двигателя - Шаговый | Шаг Разрешение | Тип двигателя - переменный, постоянный ток | Количество регуляторов | Функции защиты | Падение напряжения (макс.) | ПССР | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Форм-фактор | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CRY62(TE85L,Q,M) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,40 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОД-123Ф | 12 недель | 2 | Нет | ±9,68% | 700мВт | Одинокий | 10 мкА | 6,2 В | 60Ом | 10 мкА при 3 В | 1 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2902FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 50 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRZ47(TE85L,К) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2004 г. | 47В | СОД-123Ф | Без свинца | 2 | 65Ом | Нет | 700мВт | ±10% | 700мВт | CRZ47 | Одинокий | 700мВт | 10 мкА | 47В | 6мА | 10% | 65Ом | 10 мкА при 37,6 В | 1 В @ 200 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1417,LXHF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 30 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 4,7 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ6568KQ,8 | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Поднос | 1 (без ограничений) | Би-КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | Открытая вкладка 7-SIP | 16 недель | Параллельно | Общего назначения | 10 В~45 В | 10 В~45 В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (2) | 1,5 А | Матовый DC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3407SRA4(TP,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | ТЛП3407С | Поверхностный монтаж | 16-ЛДФН | С-ВСОН16Т (2х6,25) | Вкладка SMD (SMT) | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,4 В постоянного тока | 0 В ~ 60 В | 600 мА | 300 Ом | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78S121FTG,ЭЛ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2017 год | 48-VFQFN Открытая колодка | 14 недель | Параллельно | QFN48-P-0707-0,50 | Общего назначения | 4,5 В~5,5 В | 8В~38В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (8) | 2А | Биполярный | Матовый DC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MG09ACP18TA | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | САТА III | MG09 | 5°С ~ 55°С | 147,00 мм х 101,85 мм х 26,10 мм | - | 5В, 12В | 18 ТБ | Магнитный диск (HDD) | - | - | - | 3,5 дюйма | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6552FNG,C,8,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 85°С | -20°С | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2011 год | 16-LSSOP (ширина 0,173, 4,40 мм) | 12 недель | 16 | ШИМ, последовательный | Общего назначения | 2,7 В~5,5 В | ТБ6552 | 16-ССОП | 2,5 В~13,5 В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 800мА | Матовый DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТДТА123J,ЛМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 | 320 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 2,2 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S522FTAG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | 36-WFQFN Открытая колодка | 17 недель | ШИМ | Общего назначения | 2В~5,5В | 10 В~35 В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (2) | 2,8А | Биполярный | 1, 1/2, 1/4 | Матовый DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB9056FNG(О,ЭЛ) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~125°C ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Би-КМОП | 24-LSSOP (ширина 0,220, 5,60 мм) | 8 недель | ШИМ | Автомобильная промышленность | 7В~18В | Контроллер — коммутация, управление направлением | Полумост (2) | 2А | Сервопривод постоянного тока | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S179FTG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2016 год | 48-VFQFN Открытая колодка | 17 недель | Параллельно | Общего назначения | 4,75 В~5,25 В | 10 В~60 В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 1,5 А | однополярный | 1 ~ 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62213AFTG,8,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2015 год | 48-VFQFN Открытая колодка | Параллельно | неизвестный | Общего назначения | 4,75 В~5,25 В | 10 В~38 В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 2,4А | Биполярный | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62262FTG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc62d776cfgel-datasheets-3608.pdf | 48-WFQFN Открытая колодка | 12 недель | ШИМ | прибор | 4,75 В~5,25 В | 10 В~38 В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 1,4 А | Биполярный | 1, 1/2, 1/4 | Матовый DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6585FTG,8,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | 2014 год | 14 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62262FTAG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc62d776cfgel-datasheets-3608.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 12 недель | 92,589543мг | ШИМ | прибор | 4,75 В~5,25 В | 40В | 10 В~35 В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 800мА | Биполярный | 1, 1/2, 1/4 | Матовый DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ6600FG | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2016 год | 64-TQFP Открытая колодка | 14 недель | Параллельно | Общего назначения | 8В~42В | 8В~42В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 4А | Биполярный | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62216FTG,8,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tc62d776cfgel-datasheets-3608.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | ШИМ | Общего назначения | 40 В Макс. | 48-КФН (7х7) | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 2,5 А | Матовый DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ6596ФЛГ,ЭЛ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°C~85°C ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2008 год | 36-VFQFN Открытая колодка | Серийный | Общего назначения | 3В~5,5В | ТБ6596 | 2,2 В~5,5 В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (12) | 600 мА | Биполярный | 1 ~ 1/64 | Матовый DC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB6633FNG,ЭЛ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 24-LSSOP (ширина 0,154, 3,90 мм) | Аналоговый | Общего назначения | 5,5 В~22 В | 24-ССОП | 5,5 В~22 В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (3) | 1А | Бесщеточный постоянный ток (BLDC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКР2ЛН115,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКР2ЛН | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 4-XFDFN Открытая площадка | 12 недель | 5,5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Зафиксированный | Позитивный | 2мкА | Давать возможность | 200 мА | 1,15 В | 1 | Перегрузка по току | 1,28 В при 150 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF285,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКР3ДФ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 5,5 В | Зафиксированный | Позитивный | Давать возможность | 300 мА | 2,85 В | 1 | Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев | 0,27 В при 300 мА | 70 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКР5БМ10,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR5BM | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 4-XDFN Открытая площадка | 12 недель | 5,5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | Зафиксированный | Позитивный | 36 мкА | Давать возможность | 500 мА | 1В | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,135 В при 500 мА | 98 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF31,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКР3ДФ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2013 год | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 5,5 В | Зафиксированный | Позитивный | Давать возможность | 300 мА | 3,1 В | 1 | Пусковой ток, перегрузка по току, перегрев | 0,27 В при 300 мА | 70 дБ (1 кГц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TAR5S28UTE85LF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | 6-SMD (5 выводов), плоский вывод | 11 недель | 5 | Нет | 15 В | 450мВт | 200 мА | 3В | 2,8 В | 130 мВ | Зафиксированный | 70 дБ | Позитивный | 850 мкА | Давать возможность | 1 | Перегрузка по току, перегрев | 0,2 В @ 50 мА | 70 дБ (1 кГц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКР2ЕН36,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2EN | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 35 мкА | Соответствует RoHS | 2014 год | 4-XFDFN Открытая площадка | 12 недель | 4 | Нет | 5,5 В | 300мВт | 1 % | 60 мкА | 200 мА | 1,5 В | 3,6 В | 130 мВ | Зафиксированный | 60 мкА | Позитивный | Давать возможность | 200 мА | 1 | Перегрузка по току | 0,18 В при 150 мА | 73 дБ (1 кГц) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКР3УГ31А,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,42 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТКР3УГ | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 4-XFBGA, WLCSP | 12 недель | 5,5 В | Зафиксированный | Позитивный | 680нА | Давать возможность | 300 мА | 3,1 В | 1 | Пусковой ток, перегрузка по току, тепловое отключение | 0,273 В при 300 мА | 70 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EE31,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2EE | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | СОТ-553 | 12 недель | 5,5 В | Зафиксированный | Позитивный | 60 мкА | Давать возможность | 200 мА | 3,1 В | 1 | Перегрузка по току | 0,2 В при 150 мА | 73 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LF095,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2LF | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 5,5 В | Зафиксированный | Позитивный | 2мкА | Давать возможность | 200 мА | 0,95 В | 1 | Перегрузка по току | 1,48 В @ 150 мА |
