Toshiba Semiconductor and Storage(13104)

Имя	Производитель	Цена (долл. США)	Количество	Статус детали	Тип	Ряд	Устанавливать	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Размер / Размер	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Технология	Режим работы	Тип входа	Высота сидя (Макс.)	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Пакет/кейс	Емкость	Рабочее напряжение питания	Цвет	Максимальный ток питания	Количество окончаний	Время выполнения заказа на заводе	Масса	Количество контактов	Дополнительная функция	Радиационная закалка	Достичь кода соответствия	Код HTS	Максимальный текущий рейтинг	Максимальная рассеиваемая мощность	Напряжение питания	Положение терминала	Напряжение питания	Количество каналов	Конфигурация элемента	Рассеяние мощности	Время ответа	Количество элементов	Подкатегория	Пакет устройств поставщика	Входная емкость	Чувствительность	Текущий - Получение	Скорость передачи данных	Выходной ток	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип выхода	Максимальный входной ток	Включить время задержки	Тип оптоэлектронного устройства	Прямой ток-макс.	Максимальный ток во включенном состоянии	Угол обзора	Время подъема	Осень (тип.)	Время задержки выключения	Непрерывный ток стока (ID)	Напряжение от затвора до источника (Vgs)	Материал транзисторного элемента	Конфигурация	Соединение корпуса	Применение транзистора	Напряжение стока к источнику (Vdss)	Задержка распространения	DS Напряжение пробоя-мин.	Мощность — Выход	Напряжение – изоляция	Рассеиваемая мощность-Макс.	Обратное напряжение пробоя	Направление	Напряжение — прямое (Vf) (тип.)	Время подъема/спада (типичное)	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.)	Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.)	Выходной ток на канал	ЦКТ (К)	Семейство РФ/Стандарт	Последовательные интерфейсы	Протокол	Термическое сопротивление упаковки	Люмен/Ватт @ ток — тест	Текущий — Тест	CRI (индекс цветопередачи)	Поток при 85°C, ток — испытание	Поток при 25°C, ток — испытание	Входы — сторона 1/сторона 2	Ток — выход/канал	Максимальный ток стока (Abs) (ID)	Источник стока при максимальном сопротивлении	Снижение сопротивления до источника	Рейтинг лавинной энергии (Eas)	Напряжение пробоя стока к источнику	Тип полевого транзистора	Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Макс) @ Id	Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	Особенность полевого транзистора	РДС на Максе	Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	ВГС (Макс)
TC35667FTG-005(ЭЛ)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать	Только TxRx	ТК		Поверхностный монтаж	-40°К~85°К	Лента и катушка (TR)		3 (168 часов)							Соответствует RoHS	2017 год	/files/toshibasemiconductorandstorage-tc35667fsg006el-datasheets-3307.pdf	40-VFQFN Открытая колодка		3,6 В		8,7 мА				40							1,8 В~3,6 В											-92 дБм	6,3 мА																								0 дБм												Bluetooth	I2C, ШИМ, SPI, UART	Bluetooth версии 4.0
ТПХ1110ЕНХ,L1Q	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-МОСVIII-H	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	150°С, ТДж	Разрезанная лента (CT)		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2014 год		8-PowerVDFN						18 недель	850,995985мг	8										1																14 нс					5,2 нс	4,5 нс	19 нс	7.2А	20 В										1,6 Вт Та 42 Вт Тс																									200В	N-канал	600пФ при 100В	114 мОм при 3,6 А, 10 В	4 В @ 200 мкА	7.2А Та	7 нК @ 10 В			10 В	±20 В
ТЛ1Л4-НТ0,Л	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЛИТЕРАС™	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм	2А (4 недели)						0,085 2,15 мм	Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tl1l4nt0l-datasheets-1780.pdf	1414 (3535 Метрическая единица)			Белый, Холодный								неизвестный	8541.40.20.00	1,5 А																						ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД			120°																		2,8 В						5700К				5°С/Вт	148 лм/Вт	350 мА	70	145 лм 130 лм~160 лм
ТК28А65В,С5С	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	$4,77	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ДТМОСИВ	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2015 год		ТО-220-3 Полный пакет						16 недель																		ТО-220СИС	3нФ																	27,6А						650В					45 Вт Тс																										N-канал	3000пФ при 300В	110 мОм при 13,8 А, 10 В	3,5 В @ 1,6 мА	27,6А Та	75 нК при 10 В		110 мОм	10 В	±30 В
TL1L4-WH0,L	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЛИТЕРАС™	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм	2А (4 недели)						0,085 2,15 мм	Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tl1l4wh0l-datasheets-1807.pdf	1414 (3535 Метрическая единица)			Белый, Нейтральный										1,5 А																									120°																		2,8 В						4000К				5°С/Вт	148 лм/Вт	350 мА	70	145 лм 130 лм~160 лм
TPC8066-H,LQ(S	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-МОСVII-H	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	150°С, ТДж	Лента и катушка (TR)		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)						12 недель		8		Нет																													2,1 нс	2,3 нс		11А	20 В					30В					1 Вт Та																										N-канал	1100пФ при 10В	16 мОм при 5,5 А, 10 В	2,3 В @ 100 мкА	11А Та	15 нК при 10 В			4,5 В 10 В	±20 В
TL3GB-NW0,L	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЛИТЕРАС™	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	0,118Дx0,118Ш 3,00x3,00 мм	2А (4 недели)						0,030 0,77 мм	Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tl3gbnw0l-datasheets-4956.pdf	1212 (3030 метрических единиц)			Белый, Холодный								неизвестный	8541.40.20.00	200 мА																						ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД																					5,76 В						5000К				17°С/Вт	134 лм/Вт	100 мА	70		77 лм 69 лм~86 лм
ТК6К65В,С1К	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	2,62 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ДТМОСИВ	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2015 год		TO-251-3 Заглушки, IPak						16 недель																		И-ПАК	390пФ																	5,8А						650В					60 Вт Тс																										N-канал	390пФ при 300В	1,05 Ом при 2,9 А, 10 В	3,5 В при 180 мкА	5,8А Та	11 нК при 10 В		1,05 Ом	10 В	±30 В
TL1L3-LW1,Л	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ЛИТЕРАС™	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж		Лента и катушка (TR)	0,138Дx0,138Ш 3,50x3,50 мм	2А (4 недели)						0,099 2,52 мм	Соответствует RoHS	2014 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tl1l3lw1l-datasheets-5435.pdf	1414 (3535 Метрическая единица)			Белый, Теплый									8541.40.20.00	1А																						ОДНОЦВЕТНЫЙ СВЕТОДИОД			100°																		2,85 В						3000К				5°С/Вт	119 лм/Вт	350 мА	80		119 лм тип.
ТК5А60Д(СТА4,К,М)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	0,43 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		π-МОСVII	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2010 год		ТО-220-3 Полный пакет						16 недель		3		Нет									Одинокий	35 Вт																			20нс	11 нс	60 нс	5А	30В										35 Вт Тс																									600В	N-канал	700пФ при 25В	1,43 Ом при 2,5 А, 10 В	4,4 В @ 1 мА	5А Та	16 нК при 10 В			10 В	±30 В
ТЛП2105(Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка		1 (без ограничений)					округ Колумбия		Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2105f-datasheets-4132.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)						12 недель					неизвестный				4,5 В~20 В			2										5 Мбит/с				Push-Pull, Тотемный столб																				2500 В (среднеквадратичное значение)				1,65 В	30 нс 30 нс	20 мА	250 нс, 250 нс	10 кВ/мкс												2/0	25 мА
ТК8А50Д(СТА4,К,М)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	1,90 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		π-МОСVII	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ			Соответствует RoHS	2010 год		ТО-220-3 Полный пакет					3	16 недель		3		Нет						ОДИНОКИЙ						1																	20нс	12 нс		8А	30В	КРЕМНИЙ	ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ	ИЗОЛИРОВАННЫЙ	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ	500В		500В			40 Вт Тс																					8А	0,85 Ом		165 мДж		N-канал	800пФ при 25В	850 мОм при 4 А, 10 В	4 В @ 1 мА	8А Та	16 нК при 10 В			10 В	±30 В
ТЛП2405(Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка		1 (без ограничений)					округ Колумбия		Соответствует RoHS	2010 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2405tpf-datasheets-4652.pdf	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)						8 недель		8	ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР, ПРИЗНАНИЕ UL, ОДОБРЕНИЕ VDE	Нет				40мВт	4,5 В~20 В			1		40мВт		1						5 Мбит/с	25 мА	25 мА		Push-Pull, Тотемный столб	25 мА	250 нс	ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара				75нс	30 нс					ОДИНОКИЙ				250 нс			3750 В (среднеквадратичное значение)		5В	Однонаправленный	1,57 В	30 нс 30 нс		250 нс, 250 нс	15 кВ/мкс	25 мА											1/0
ТК16Г60В,РВК	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	2,54 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ДТМОСИВ	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	150°С, ТДж	Разрезанная лента (CT)		1 (без ограничений)	150°С	-55°С	МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2013 год		ТО-263-3, Д2Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ						12 недель													Одинокий					Д2ПАК	1,35 нФ														25нс	5 нс	100 нс	15,8А	30В					600В					130 Вт Тс																							190мОм			N-канал	1350пФ при 300В	190 мОм при 7,9 А, 10 В	3,7 В @ 790 мкА	15,8А Та	38 нК при 10 В	Супер Джанкшн	190 мОм	10 В	±30 В
ТЛП2761Ф(Д4-ТП,Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	-40°К~125°К	Лента и катушка (TR)		1 (без ограничений)					переменный ток, постоянный ток		Соответствует RoHS			6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм)															2,7 В~5,5 В			1										15 МБд				Push-Pull, Тотемный столб																				5000 В (среднеквадратичное значение)				1,5 В	3нс 3нс		80нс, 80нс	20 кВ/мкс												1/0	10 мА
ТК12А53Д(СТА4,К,М)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		π-МОСVII	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2004 г.	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf	ТО-220-3 Полный пакет						16 недель		3		Нет																													22нс	15 нс		12А	30В					525В					45 Вт Тс																										N-канал	1350пФ при 25В	580 мОм при 6 А, 10 В	4 В при 1 мА	12А Та	25 нК при 10 В			10 В	±30 В
ТЛП2200(ЛФ2,Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Сквозное отверстие					1 (без ограничений)	85°С	0°С					Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshiba-tlp2200lf2f-datasheets-9902.pdf	ПДИП								8		Нет				210мВт						210мВт		1							25 мА	10 мА	1,7 В			400 нс						20 нс									400 нс					5В	Однонаправленный
ТК16А60В5,С4ВС	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	2,56 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ДТМОСИВ	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2013 год		ТО-220-3 Полный пакет	1,35 нФ					16 недель													Одинокий	40 Вт																						15,8А											40 Вт Тс																									600В	N-канал	1350пФ при 300В	190 мОм при 7,9 А, 10 В	3,7 В @ 1,5 мА	15,8А Та	43 нК при 10 В	Супер Джанкшн		10 В	±30 В
ТЛП250ХФ(Д4-ТП4,Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	-40°К~125°К	Лента и катушка (TR)		1 (без ограничений)					округ Колумбия					8-СМД, Крыло Чайки															10 В~30 В			1														Push-Pull, Тотемный столб			ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара																	3750 В (среднеквадратичное значение)				1,57 В	50 нс 50 нс	5мА	500 нс, 500 нс	40 кВ/мкс												1/0	2А
ТК10ДЖ80Э,С1Э	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	$5,01	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		π-МОСVIII	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Трубка		Непригодный	150°С	-55°С	МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2014 год		ТО-3П-3, СК-65-3						16 недель	6.961991г											1	Одинокий					ТО-3П(Н)	2нФ									80 нс					40 нс	35 нс	140 нс	10А	30В					800В					250 Вт Тс																							700мОм			N-канал	2000пФ при 25В	1 Ом @ 5 А, 10 В	4 В @ 1 мА	10А Та	46 нК при 10 В		1 Ом	10 В	±30 В
TLP2363(V4-TPR,E	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	-40°К~105°К	Лента и катушка (TR)		1 (без ограничений)					округ Колумбия				https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2363v4tpre-datasheets-7911.pdf	6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов						12 недель									2,7 В~5,5 В			1										10 Мбит/с				Открытый коллектор																				3750 В (среднеквадратичное значение)				1,5 В	23нс 7нс		80нс, 80нс	200 кВ/мкс												1/0	25 мА
ТК11А50Д(СТА4,К,М)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		π-МОСVII	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Трубка		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf	ТО-220-3 Полный пакет						16 недель		3		Нет																													25нс	12 нс		11А	30В					500В					45 Вт Тс																										N-канал	1200пФ при 25В	600 мОм при 5,5 А, 10 В	4 В @ 1 мА	11А Та	24 нК при 10 В			10 В	±30 В
ТЛП104(ТПР,Э)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	1,23 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~125°К	Лента и катушка (TR)		1 (без ограничений)					округ Колумбия		Соответствует RoHS	2012 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp104v4tple-datasheets-8166.pdf	6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов						12 недель		5	УТВЕРЖДЕНО UL	Нет					4,5 В~30 В		30В	1		80мВт	5,5e-7 нс	1	Оптопара — выходы IC					1 Мбит/с	8мА	25 мА		Открытый коллектор		550 нс	ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара		0,008А								ОДИНОКИЙ				400 нс			3750 В (среднеквадратичное значение)		5В	Однонаправленный	1,61 В			550 нс, 400 нс	15 кВ/мкс	8мА											1/0
ТК7П60В,РВК	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных	1,09 доллара США	запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		ДТМОСИВ	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	150°С, ТДж	Лента и катушка (TR)		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2014 год		ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63						16 недель													Одинокий	60 Вт																			18нс	7 нс	55 нс	7А	30В										60 Вт Тс																									600В	N-канал	490пФ при 300В	600 мОм при 3,5 А, 10 В	3,7 В при 350 мкА	7А Та	15 нК при 10 В	Супер Джанкшн		10 В	±30 В
TLP2761(ТП,Э)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	-40°К~125°К	Лента и катушка (TR)		1 (без ограничений)					переменный ток, постоянный ток		Соответствует RoHS	2015 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2761tpe-datasheets-2931.pdf	6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм)						12 недель			УТВЕРЖДЕНО UL						2,7 В~5,5 В			1				1						15 МБд				Push-Pull, Тотемный столб			ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара	0,006А									СЛОЖНЫЙ							5000 В (среднеквадратичное значение)				1,5 В	3нс 3нс		80нс, 80нс	20 кВ/мкс												1/0	10 мА
ТК5А50Д(СТА4,К,М)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		π-МОСVII	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Трубка		1 (без ограничений)	150°С	-55°С	МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2009 год		ТО-220-3 Полный пакет						16 недель		3		Нет									Одинокий	35 Вт				ТО-220СИС	490пФ														18нс	8 нс		5А	30В					500В					35 Вт Тс																							1,5 Ом		500В	N-канал	490пФ при 25В	1,5 Ом @ 2,5 А, 10 В	4,4 В @ 1 мА	5А Та	11 нК при 10 В		1,5 Ом	10 В	±30 В
TLP2261(D4-TP4,E	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать				Поверхностный монтаж	-40°К~125°К	Лента и катушка (TR)							округ Колумбия		Соответствует RoHS	2016 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2261d4tp4e-datasheets-3075.pdf	8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм)						12 недель						8541.40.80.00			2,7 В~5,5 В			2										15 МБд				Push-Pull, Тотемный столб																				5000 В (среднеквадратичное значение)				1,5 В	3нс 3нс		80нс, 80нс	20 кВ/мкс												2/0	10 мА
2СК2744(Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	150°С, ТДж	Масса		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2002 г.	/files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf	ТО-3П-3, СК-65-3								3		Нет																													30 нс	80 нс		45А	20 В					50В					125 Вт Тс																										N-канал	2300пФ при 10 В	20 мОм при 25 А, 10 В	3,5 В @ 1 мА	45А Та	68 нК при 10 В			10 В	±20 В
ТЛП2601(ТП1,Ф)	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать			Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~85°К	Лента и катушка (TR)		1 (без ограничений)					округ Колумбия		Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2601tp1f-datasheets-3119.pdf	8-СМД, Крыло Чайки						12 недель		8	ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР, ПРИЗНАН UL	Нет				40мВт	4,5 В~5,5 В			1		40мВт		1						10 МБд	25 мА	20 мА		Открытый коллектор, зажим Шоттки		75 нс	ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара		0,025А		30 нс	30 нс					СЛОЖНЫЙ				75 нс			2500 В (среднеквадратичное значение)		5В	Однонаправленный	1,65 В	30 нс 30 нс		75нс, 75нс	1кВ/мкс	25 мА											1/0
TPCA8025(TE12L,Q,M	Toshiba Полупроводники и системы хранения данных		запрос цен Мин: 1 Мульт: 1	скачать		У-МОСИВ	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	150°С, ТДж	Лента и катушка (TR)		1 (без ограничений)			МОП-транзистор (оксид металла)				Соответствует RoHS	2009 год	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf	8-PowerVDFN								8		Нет																													12нс	23 нс		40А	20 В					30В					1,6 Вт Та 45 Вт Тс																										N-канал	2200пФ при 10 В	3,5 мОм при 20 А, 10 В	2,5 В @ 1 мА	40А Та	49 нК при 10 В			4,5 В 10 В	±20 В

Toshiba Semiconductor and Storage(13104)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии