Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Емкость | Входной ток | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Номинальное входное напряжение | Достичь кода соответствия | Код HTS | Емкость при частоте | Напряжение — вход (макс.) | Максимальное входное напряжение | Приложения | Поверхностный монтаж | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество каналов | Конфигурация элемента | Количество элементов | Подкатегория | Пакет устройств поставщика | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Сенсорный экран | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Выходной ток | Падение напряжения | Прямой ток | Стиль завершения | Тип выхода | Схема | Напряжение — вход | Выбросить конфигурацию | Тип реле | Напряжение – нагрузка | Ток нагрузки | Напряжение изоляции | Включить время задержки | Среднеквадратичный ток (Irms) | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Максимальное напряжение изоляции | Особенности монтажа | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Конфигурация | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Ток покоя | Время отклика-Макс. | Конфигурация выхода | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Удерживать ток | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение – ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение – обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Обратное напряжение пробоя | Мощность — пиковый импульс | Прямое напряжение-Макс. | Время включения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Coll-Emtr Bkdn Минимальное напряжение напряжения | Тип дисплея | Напряжение – выключенное состояние | Ток — удержание (Ih) | Ток — выход/канал | Зона просмотра | Режим отображения | Область просмотра (ширина) | Область просмотра (высота) | Разрешение (высота) | Разрешение (ширина) | Размер экрана по диагонали | Размер диагонали | Напряжение - Выход (Макс.) | Схема пересечения нуля | Ток — триггер светодиода (Ift) (макс.) | Статическое dV/dt (мин) | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Снижение сопротивления до источника | Ток – состояние покоя (Iq) | Функции управления | Подсветка | Точечные пиксели | Цвет графики | Шаг точки | Ширина пикселей | Высота пикселя | Ток – Выход | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Количество регуляторов | Функции защиты | Падение напряжения (макс.) | ПССР | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | РДС на Максе | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP550(НЕМИК,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП4192Г(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП4192Г | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Трубка | 1 (без ограничений) | Крыло чайки | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp4192gf-datasheets-9125.pdf | 6-СОП (0,173, 4,40 мм) | 50 мА | 50Ом | 6 | Нет | 6-СОП (2,54 мм) | 350В | 90 мА | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НК (1 форма Б) | 1,15 В постоянного тока | СПСТ | Реле | 0В~350В | 90 мА | 1,5 кВ | 50 Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734(D4GRTP5,M,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3127(TP,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ТЛП3127 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp3127tpf-datasheets-5465.pdf | 4-СОП (0,173, 4,40 мм) | Крыло чайки | переменный ток, постоянный ток | СПСТ-НО (1 Форма А) | 1,33 В постоянного тока | 0 В~60 В | 1,3А | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ССР | 130 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(D4-GB,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 0,000003 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3K16CTC,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-ssm3k16ctcl3f-datasheets-8997.pdf | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 20 В | 500мВт Та | N-канал | 12пФ @ 10В | 2,2 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В при 1 мА | 200 мА Та | 1,5 В 4,5 В | ±10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(D4-BL,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | ДА | 1 | 1 | Транзистор | 0,06А | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | ОДИНОКИЙ | 0,000003 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP160G(TPR,U,F) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp160gtpruf-datasheets-0103.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | Без свинца | 16 недель | УР | 4 | 1,15 В | 1,3 В | 1 | 70 мА | 70 мА | 50 мА | Триак | 100 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 5В | 30 мкс | 1,15 В | 70 мА | 400В | 600 мкА тип. | Нет | 10 мА | 200 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531(YG,F) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | НЕТ | 85°С | -25°С | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 0,07А | 0,05 А | 2500В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 0,15 Вт | 1,3 В | 50% | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP168J(У,Ц,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp168jucf-datasheets-4849.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 16 недель | УР | 4 | Нет | 1,4 В | 1,7 В | 1 | 70 мА | 70 мА | 20 мА | Триак | 70 мА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 600 мкА | 5В | 1,4 В | 600В | 600 мкА тип. | Да | 3мА | 200 В/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP731(Д4-ГБ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | НЕТ | 100°С | -55°С | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 0,06А | 0,05 А | 4000В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 0,00001 с | 0,15 Вт | 1,3 В | 100% | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP161J(OMT30,UC,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP531(HIT-BL-T1,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП160Г(ДТ-ТПЛ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП331(ЛФ5,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTA070A321F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | 60°С | -10°С | Соответствует RoHS | /files/toshibasemiconductorandstorage-lta070a321f-datasheets-9274.pdf | Модуль | 3,3 В | 200г | 36 | Параллельный, 18 бит (RGB) | неизвестный | 8541.40.20.00 | Резистивный | 3,1 Вт | TFT — цветной | 152,40 мм Ш x 91,44 мм В | Трансмиссивный | 152,4 мм | 91,44 мм | 480 пикселей | 800 пикселей | 7 177,80 мм | 7 дюймов | CCFL | 800 х 480 (WVGA) | Красный, Зеленый, Синий (RGB) | 0,19 мм Ш x 0,19 мм В | 190,5 мкм | 190,5 мкм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP550(ХИТАЧИ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF11,LM(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TCR2EF | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 5 | 5,5 В | 1,1 В | 440 мВ | Зафиксированный | 60 мкА | Позитивный | 60 мкА | Давать возможность | 200 мА | 1 | Перегрузка по току | 0,67 В при 150 мА | 73 дБ (1 кГц) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP126(FA-TPLS,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | ВХОД ПЕРЕМЕННОГО ТОКА-ТРАНЗИСТОР ВЫХОД ОПТОПАРА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК39Н60В,С1ВФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | $4,43 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | ДТМОСИВ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Трубка | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk39n60ws1vf-datasheets-2525.pdf | ТО-247-3 | 4,1 нФ | 16 недель | 65мОм | Одинокий | ТО-247 | 4,1 нФ | 50 нс | 9 нс | 200 нс | 38,8А | 30В | 600В | 270 Вт Тс | 55мОм | N-канал | 4100пФ при 300В | 65 мОм при 19,4 А, 10 В | 3,7 В @ 1,9 мА | 38,8А Та | 110 нК при 10 В | Супер Джанкшн | 65 мОм | 10 В | ±30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP734(Д4-ГБ,М,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТК1К0А60Ф,С4С | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 1,33 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tk1k0a60fs4x-datasheets-4058.pdf | 12 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP733F(D4-GR,M,F) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Транзисторный выход оптопара | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPH7R006PL,L1Q | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | 175°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tph7r006pll1q-datasheets-1253.pdf | 8-PowerVDFN | 12 недель | 8-СОП Прогресс (5x5) | 60В | 81 Вт Тс | N-канал | 1875 пФ при 30 В | 13,5 мОм при 10 А, 4,5 В | 2,5 В @ 200 мкА | 60А Тс | 22 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP732(D4-GB-LF1,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МУЗ30В,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Зенер | МУЗ | Поверхностный монтаж | 150°С (ТДж) | СК-70, СОТ-323 | 21пФ при 1 МГц | Общего назначения | УСМ | Нет | 28В | 4А (8/20 мкс) | 47,5 В (типичное) | 30В | 1 | 200 Вт | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785F(ГБ-LF7,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4906,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП781Ф(БЛЛ-ТП7,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4903,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных |
