Toshiba Полупроводники и системы хранения данных

Toshiba Semiconductor and Storage(13104)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Рабочий ток питания Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Входной ток Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Сопротивление Количество контактов Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Максимальное входное напряжение Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Базовый номер детали Рабочая температура (макс.) Рабочая температура (мин) Количество каналов Аналоговая микросхема — другой тип Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Количество элементов Подкатегория Входное напряжение смещения (Vos) Скорость нарастания Количество цепей Код JESD-30 Пакет устройств поставщика -3 дБ Пропускная способность Максимальный выходной ток Максимальное выходное напряжение Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Стиль завершения Тип выхода Схема Напряжение — вход Выбросить конфигурацию Тип реле Напряжение – нагрузка Ток нагрузки Напряжение изоляции Максимальный входной ток Общая высота Контрольный ток Управляющее напряжение Общая длина Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-макс. Максимальное напряжение изоляции Особенности монтажа Время подъема Осень (тип.) Тип усилителя Конфигурация Коэффициент отклонения синфазного режима Максимальное ограничение напряжения питания Время отклика-Макс. Напряжение – изоляция Мощность - Макс. Рассеиваемая мощность-Макс. Обратное напряжение пробоя Максимальное напряжение пробоя Тип диода Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Ток — выход/канал Напряжение - Выход (Макс.) Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) Номинальная изоляция в выключенном состоянии Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom Время выключения-Макс. Время включения-Макс. Напряжение питания, одинарное/двойное (±) Емкость @ Вр, Ф Напряжение — пиковое обратное (макс.) Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.) Единичный коэффициент усиления BW-ном. Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic Схема мультиплексора/демультиплексора Напряжение питания, одиночное (В+) Переключатель цепи Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2) Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) Межканальное согласование (ΔRon) Перекрестные помехи Ток – входное смещение Коэффициент емкости Состояние коэффициента емкости
RN2104(T5L,F,T) РН2104(Т5Л,Ф,Т) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год СК-75, СОТ-416 12 недель 100мВт 100мВт 50В 50В 300мВ 100 мА 500нА PNP — предварительно смещенный 80 @ 10 мА 5 В 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 47 кОм 47 кОм
TLP785F(F TLP785F(Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных 0,53 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 4,6 мм 3,5 мм 6,5 мм 4 недели УТВЕРЖДЕНО UL НЕТ 240мВт 1 1 16 мА Транзистор 2 мкс 3 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 80В 400мВ 80В 10 мА 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TC4W66FU,LF TC4W66FU,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2014 год 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,110, 2,80 мм) 12 недель 160Ом 4W66 2 СМ8 30 МГц 160Ом 1:1 3В~18В СПСТ - НЕТ 100нА 0,5пФ 5пФ 4Ом -50 дБ @ 1 МГц
TLP781F(D4-GRL,F,W TLP781F(D4-GRL,F,W Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 1 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TC7SBL384CFU,LF TC7SBL384CFU,LF Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2014 год 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 18Ом 1 УСВ 18Ом 1:1 1,65 В~3,6 В СПСТ - НЕТ 1 мкА 3,5 пФ 6нс, 6нс
TLP785F(D4-GR,F TLP785F(D4-GR,F Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия Не соответствует требованиям RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE ДА 1 1 Транзистор 0,025А ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ ОДИНОКИЙ 0,000003 с 5000 В (среднеквадратичное значение) 0,24 Вт 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 80В 50 мА 80В 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
74VHC4052AFT 74VHC4052AFT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS 1999 год 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 5 мм 16 12 недель 5,5 В 37Ом 16 1 180мВт ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 0,65 мм 74VHC4052 4 ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР НЕ УКАЗАН 2 230 МГц 37Ом 45 дБ 5Ом 37нс 37нс 4:1 2В~5,5В СП4Т 100нА 0,5 пФ 13,1 пФ 12нс, 12нс 5 Ом -45 дБ @ 1 МГц
TLP781F(D4-GR-TC,F TLP781F(D4-GR-TC,F Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 1 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TC75S51F,LF TC75S51F,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП 60 мкА Соответствует RoHS 2014 год СК-74А, СОТ-753 2,9 мм 5 12 недель да 1 ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 1,5 В 0,95 мм TC75S51 НЕ УКАЗАН Операционный усилитель 2мВ 0,5 В/мкс 1 Р-ПДСО-Г5 Общего назначения 65 дБ 1,5 В~7 В ±0,75 В~3,5 В 500 кГц 1пА
TLP781F(D4GR-LF7,F TLP781F(D4GR-LF7,F Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 4 1 250мВт 1 60 мА Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 80В 1,15 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP7920(F TLP7920(Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных 1,67 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~105°К Трубка 1 (без ограничений) 12 мА Соответствует RoHS 2015 год 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) 12 недель АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ 730 мкВ 1 230 кГц Дифференциал Изоляция 4,5 В~5,5 В 55нА
TLP781F(BL,F) TLP781F(БЛ,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 1 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP7820(A-TP4,E TLP7820(А-ТР4,Е Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS НЕ УКАЗАН АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ НЕ УКАЗАН
TLP785F(D4YHF7,F TLP785F(D4YHF7,Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7028.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 1 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 75% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
1SV311(TPH3,F) 1СВ311(ТПХ3,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 125°С, ТиДжей Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2011 г. СК-79, СОД-523 16 недель 2 Серебро, Олово Нет 1СВ311 Варакторы Одинокий 5,45 пФ @ 4 В 1 МГц 10 В 2.1 С1/С4
TLP785F(GRL,F TLP785F(ГРЛ,Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) УТВЕРЖДЕНО UL НЕТ 1 1 Транзистор 0,025А ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 0,24 Вт 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 80В 50 мА 80В 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP3440(TP,F TLP3440(TP,F Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТЛП3440 Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) округ Колумбия Соответствует RoHS 2016 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp3440tpf-datasheets-1847.pdf 4-СМД (0,096, 2,45 мм) 12 недель EAR99 неизвестный 65°С -20°С 1 Твердотельные реле Вкладка SMD (SMT) переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 Форма А) 1,27 В постоянного тока 0 В~40 В 120 мА 1,3 мм 0,005А 1,1 В 1,45 мм ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ССР 0,02 А 300В ОДИНОКИЙ 14Ом
TLP781F(D4-GB,F) TLP781F(Д4-ГБ,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 16 мА Без свинца Нет СВХК 4 Нет 250мВт 1 250мВт 1 80В 25 мА Транзистор 60 мА 2 мкс 3 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 50 мА 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TLP222A-2(LF1,F) TLP222A-2(LF1,F) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТЛП222А-2 Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Масса 1 (без ограничений) Крыло чайки Соответствует RoHS 2009 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp222a2lf1f-datasheets-4671.pdf 8-СМД (0,300, 7,62мм) 12 недель 2Ом 2 Крыло чайки переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 форма А) х 2 1,15 В постоянного тока ДПСТ Реле 0 В~60 В 500 мА 2Ом
TLP785F(YH-LF7,F TLP785F(YH-LF7,F Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°К~110°К 1 (без ограничений) округ Колумбия https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 1 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 75% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TLP592A(F) ТЛП592А(Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТЛП592А Сквозное отверстие Сквозное отверстие Трубка 1 (без ограничений) ПК-контакт 85°С -40°С Соответствует RoHS 2009 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp592af-datasheets-6215.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 7,12 мм 50 мА 3,65 мм 6,4 мм 12 недель 2Ом 6 Нет 1,3 В 1 500 мА 60В 500 мА 7,5 мА 1,3 В ПК-контакт переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 Форма А) 1,15 В постоянного тока СПСТ Реле 0 В~60 В 2,5 кВ 50 мА 2Ом
TLP127(DEL-TPR,F) TLP127(ДЕЛ-ТПР,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К 1 (без ограничений) округ Колумбия 6-SMD (4 вывода), крыло чайки 1 Дарлингтон 2500 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 40 мкс 15 мкс 50 мА 150 мА 300В 1000% при 1 мА 50 мкс, 15 мкс 1,2 В
TLP241AF(TP4,F TLP241AF(TP4,F Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТЛП241АФ Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2016 год /files/mikroelektronika-mikroe3319-datasheets-3354.pdf 4-СМД (0,400, 10,16 мм) 12 недель 8541.40.95.00 Крыло чайки переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 Форма А) 1,27 В постоянного тока 0 В~40 В ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ССР 150 мОм
TLP785(D4GH-T6,F ТЛП785(Д4ГХ-Т6,Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) Непригодный округ Колумбия Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 12 недель Нет 240мВт 1 Транзистор 25 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 10 мА 1,15 В 2 мкс 3 мкс 60 мА 50 мА 80В 50% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TLP3555A(F TLP3555A(Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТЛП3555А Сквозное отверстие Трубка Непригодный Соответствует RoHS /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp3555af-datasheets-7011.pdf 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 12 недель ПК-контакт переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 Форма А) 1,64 В постоянного тока 0 В~60 В 100мОм
TLP121(GB,F) TLP121(ГБ,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 2002 г. 6-SMD (4 вывода), крыло чайки Без свинца 16 недель 4 Нет 200мВт 1 200мВт 50 мА Транзистор 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 50 мА 1,15 В 2 мкс 3 мкс 80В 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TLP4197G(TP,F) TLP4197G(ТП,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТЛП4197Г Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Крыло чайки 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp4197gtpf-datasheets-1356.pdf 6-СОП (0,173, 4,40 мм) 50 мА 12 недель 25Ом 6 Нет 1,3 В 120 мА 350В 120 мА Крыло чайки переменный ток, постоянный ток СПСТ-НК (1 форма Б) 1,15 В постоянного тока СПСТ Реле 0В~350В 1,5 кВ 50 мА 25Ом
TLP751(D4-LF2,F) ТЛП751(Д4-ЛФ2,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Лента и катушка (TR) Непригодный округ Колумбия Соответствует RoHS 8-DIP (0,400, 10,16 мм) 1 Транзистор с базой 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,65 В 25 мА 8мА 15 В 10% при 16 мА 200 нс, 1 мкс
TLP240G(F TLP240G(Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать ТЛП240Г Сквозное отверстие Трубка Непригодный Соответствует RoHS 2018 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tlp240gtp1f-datasheets-5452.pdf 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 12 недель ПК-контакт переменный ток, постоянный ток СПСТ-НО (1 Форма А) 1,27 В постоянного тока 0В~350В 100 мА ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ССР 50Ом
TLP124(TPL-PP,F) ТЛП124(ТПЛ-ПП,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует RoHS 6-SMD (4 вывода), крыло чайки 1 Транзистор 3750 В (среднеквадратичное значение) 1,15 В 8 мкс 8 мкс 50 мА 80В 100% при 1 мА 1200% при 1 мА 10 мкс, 8 мкс 400мВ

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.