Toshiba Полупроводники и системы хранения данных

Toshiba Semiconductor and Storage(13104)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Высота сидя (Макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/кейс Длина Высота Ширина Без свинца Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе Масса Количество контактов Код Pbfree Радиационная закалка Макс. частота Достичь кода соответствия Способ упаковки Количество функций Код JESD-609 Особенность Терминал отделки Полярность Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Напряжение питания Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Базовый номер детали Количество контактов Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Конфигурация элемента Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Количество элементов Подкатегория Источники питания Количество цепей Статус квалификации Код JESD-30 Семья Пакет устройств поставщика Включить время задержки Емкость нагрузки Логическая функция Материал транзисторного элемента Полярность/Тип канала Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) Задержка распространения Непрерывный ток коллектора Количество выходов Ток покоя Мощность - Макс. Максимальное напряжение пробоя Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — выходной высокий, низкий Количество входов Количество ворот Тип логики Макс I(ол) Опора Delay@Nom-Sup Триггер Шмитта Задержка распространения (tpd) Макс. задержка распространения @ V, Макс. CL Ток – режим покоя (макс.) Логический уровень – низкий Логический уровень – высокий Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) Базовое напряжение коллектора (VCBO) Базовое напряжение эмиттера (VEBO) hFE Мин. Ток-отсечка коллектора (макс.) Тип транзистора Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce Частота – переход Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic Резистор — база (R1) Резистор — база эмиттера (R2)
TC7SH02FU,LJ TC7SH02FU,ЖЖ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7SH Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS 2015 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sh02fuljct-datasheets-6478.pdf 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 5 да 1 2В~5,5В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 3,3 В 0,65 мм 7Ш02 5,5 В 1 Р-ПДСО-Г5 НВ/ЛВ-А/LVX/Ч НИ 7,5 нс 2мкА 8мА 8мА 2 НО-ворота 7,5 нс при 5 В, 50 пФ 0,5 В 1,5 В
RN2962(TE85L,F) РН2962(ТЕ85Л,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 12 недель неизвестный 200мВт 2 BIP Малый сигнал общего назначения КРЕМНИЙ ПНП 200мВт 50В 50В 300мВ 100 мА 100нА ИКБО 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) 50 @ 10 мА 5 В 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 10 кОм 10 кОм
TC7WH02FU,LJ(CT TC7WH02FU,LJ(CT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных 0,47 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7WH Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc7wh02fuljct-datasheets-6389.pdf 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,110, 2,80 мм) 12 недель 2В~5,5В 2 СМ8 8мА 8мА 2 НО-ворота 7,5 нс при 5 В, 50 пФ 2мкА
RN1502(TE85L,F) РН1502(ТЕ85Л,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 150°С -55°С Соответствует RoHS 2014 год СК-74А, СОТ-753 12 недель 5 250 МГц НПН 300мВт Двойной 2 BIP Малый сигнал общего назначения 100 мА 50В 50В 300мВ 100 мА 50В 10 В 50 100нА ИКБО 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 50 @ 10 мА 5 В 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 10 кОм 10 кОм
TC7SZ04F,LJ(CT TC7SZ04F,LJ(CT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7SZ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS 2011 г. /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7sz04fuljct-datasheets-6542.pdf СК-74А, СОТ-753 2,9 мм 5 12 недель Нет 1 1,8 В~5,5 В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 2,3 В 0,95 мм 7SZ04 5,5 В 1 Р-ПДСО-Г5 ЛВК/LCX/Z 10 нс 4,3 нс 2мкА 32 мА 32 мА 1 Инвертор 4,3 нс при 5 В, 50 пФ
RN4989(TE85L,F) РН4989(ТЕ85Л,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 10 недель ДА 2 BIP Малый сигнал общего назначения КРЕМНИЙ НПН/ПНП 0,2 Вт 200мВт 50В 100 мА 500нА 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) 70 @ 10 мА 5 В 250 МГц 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 47 кОм 22 кОм
7UL1G04FS,LF 7УЛ1Г04ФС,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных 0,32 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 7UL Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП 0,5 мм Соответствует RoHS https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-7ul1g04fslf-datasheets-2485.pdf СОТ-953 0,8 мм 5 12 недель 1 ДА 0,9 В~3,6 В ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН 0,35 мм 3,6 В 0,9 В НЕ УКАЗАН 1 Р-ПДСО-Ф5 7UL 8мА 8мА 1 Инвертор 56 нс 4,4 нс при 3,3 В, 30 пФ 1 мкА 0,1 В ~ 0,4 В 0,75 В ~ 2,48 В
RN2904,LF(CT RN2904,LF(CT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 12 недель 6,010099мг ПНП 200мВт США6 -100 мА 200мВт 50В 50В 300мВ 100 мА 50В 100 мА -10В 80 500нА 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) 80 @ 10 мА 5 В 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 47 кОм 47 кОм
TC7SET14F,LF TC7SET14F,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7SET Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc7set14fljct-datasheets-7304.pdf СК-74А, СОТ-753 Триггер Шмитта 4,5 В~5,5 В 1 9,6 нс 2мкА 8мА 8мА Инвертор 9,6 нс при 5 В, 50 пФ 0,5 В ~ 0,6 В 1,9 В ~ 2,1 В
RN1906(T5L,F,T) РН1906(Т5Л,Ф,Т) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1903lfct-datasheets-0697.pdf 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 неизвестный НПН 200мВт Двойной 100 мА 50В 50В 300мВ 100 мА 80 100нА ИКБО 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) 80 @ 10 мА 5 В 250 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 4,7 кОм 47 кОм
TC7WU04FU,LF TC7WU04FU,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7WU Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc7wu04fklf-datasheets-8035.pdf 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,110, 2,80 мм) 12 недель 2В~6В 3 5,2 мА 5,2 мА Инвертор 10 нс при 6 В, 50 пФ 1 мкА 0,3 В ~ 1,2 В 1,7 В ~ 4,8 В
RN2970FE(TE85L,F) РН2970ФЭ(ТЕ85Л,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год СОТ-563, СОТ-666 неизвестный ДА 2 BIP Малый сигнал общего назначения КРЕМНИЙ ПНП 0,1 Вт 100мВт 50В 100 мА 100нА ИКБО 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) 120 @ 1 мА 5 В 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 4,7 кОм 10 кОм
TC7SET02F,LJ(CT TC7SET02F,LJ(CT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7SET Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7set02fuljct-datasheets-1112.pdf СК-74А, СОТ-753 12 недель 4,5 В~5,5 В 1 НИ 9 нс 2мкА 8мА 8мА 2 НО-ворота 9 нс при 5 В, 50 пФ 0,8 В
RN4903(T5L,F,T) RN4903(Т5Л,Ф,Т) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 2014 год 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 США6 200мВт 50В 100 мА 100нА ИКБО 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) 70 @ 10 мА 5 В 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 22 кОм 22 кОм
74VHC08FT 74VHC08FT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC74VHC Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS 2015 год /files/toshibasemiconductorandstorage-74vhc08ft-datasheets-2620.pdf 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 5 мм 14 12 недель 14 неизвестный 4 2В~5,5В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 0,65 мм 14 5,5 В НЕ УКАЗАН 4 АХК/ВХК/Х/У/В И 7,9 нс 2мкА 8мА 8мА 2 И Ворота 7,9 нс при 5 В, 50 пФ 0,5 В 1,5 В
RN2903,LF РН2903,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 200мВт 200мВт 50В 50В 300мВ 100 мА 500нА 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) 70 @ 10 мА 5 В 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 22 кОм 22 кОм
TC74ACT04FTEL TC74ACT04FTEL Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC74ACT Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74act04ftel-datasheets-3523.pdf 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 14 16 недель ЛЕНТА И КАТУШКА ДА 4,5 В~5,5 В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ Ворота 6 Не квалифицирован Р-ПДСО-Г14 50пФ 24 мА 24 мА Инвертор 0,024 А 9 нс НЕТ 7,9 нс при 5 В, 50 пФ 4мкА 0,8 В
RN2967FE(TE85L,F) РН2967ФЭ(ТЕ85Л,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год СОТ-563, СОТ-666 ДА 2 BIP Малый сигнал общего назначения КРЕМНИЙ ПНП 0,1 Вт 100мВт 50В 100 мА 100нА ИКБО 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) 80 @ 10 мА 5 В 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 10 кОм 47 кОм
TC74HC02AFELF TC74HC02AFELF Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC74HC Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП 1,9 мм Соответствует RoHS /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74hc02afelf-datasheets-8969.pdf 14-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 10,3 мм 5,3 мм 14 14 недель ЛЕНТА И КАТУШКА 4 ДА 2В~6В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ Ворота 4 Не квалифицирован ХК/УГ 50пФ 5,2 мА 5,2 мА 2 НО-ворота 19 нс НЕТ 95 нс 13 нс при 6 В, 50 пФ 1 мкА 0,5 В ~ 1,8 В 1,5 В ~ 4,2 В
RN2505TE85LF РН2505ТЕ85ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) 150°С -55°С Соответствует RoHS 2010 год СК-74А, СОТ-753 11 недель 5 Нет ПНП 300мВт Двойной -100 мА 50В 50В 300мВ 100 мА -5В 80 100нА ИКБО 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь) 80 @ 10 мА 5 В 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 2,2 кОм 47 кОм
TC74VHC08FTELM TC74VHC08FTELM Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC74VHC Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74vhc08ftelm-datasheets-2542.pdf 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 5 мм Без свинца 14 14 Нет 4 2В~5,5В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 0,65 мм 74VHC08 14 5,5 В АХК/ВХК/Х/У/В И 7,9 нс 1 2мкА 8мА 8мА 2 4 И Ворота 7,9 нс при 5 В, 50 пФ 0,5 В 1,5 В
RN2712JE(TE85L,F) RN2712JE(TE85L,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год СОТ-553 12 недель неизвестный 100мВт 2 BIP Малый сигнал общего назначения КРЕМНИЙ ПНП 100мВт 50В 50В 300мВ 100 мА 100нА ИКБО 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь) 120 @ 1 мА 5 В 200 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 22 кОм
TC7SH02FSTPL3 TC7SH02FSTPL3 Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC7SH Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) КМОП Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc7sh02fstpl3-datasheets-7001.pdf СОТ-953 1 мм 480 мкм 800 мкм 6 5 Нет ЛЕНТА И КАТУШКА 2В~5,5В ДВОЙНОЙ ПЛОСКИЙ 7Ш02 Ворота Р-ПДФП-Ф6 7,5 нс НИ 7,5 нс 1 2мкА 8мА 8мА 2 НО-ворота 0,004 А НЕТ 7,5 нс при 5 В, 50 пФ 0,5 В 1,5 В
RN1704JE(TE85L,F) RN1704JE(TE85L,Ф) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год СОТ-553 12 недель 100мВт 2 BIP Малый сигнал общего назначения КРЕМНИЙ НПН 100мВт 50В 50В 300мВ 100 мА 100нА ИКБО 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) (эмиттерная связь) 80 @ 10 мА 5 В 250 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 47 кОм 47 кОм
TC74LCX32FT(EL) TC74LCX32FT(ЭЛ) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 74LCX Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Диги-Рил® 1 (без ограничений) КМОП Не соответствует требованиям RoHS 2002 г. /files/toshibasemiconductorandstorage-tc74lcx32ftelm-datasheets-0672.pdf 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) 5 мм 14 14 да неизвестный ЛЕНТА И КАТУШКА 4 е4 Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) 1,65 В~3,6 В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ НЕ УКАЗАН 1,8 В 0,65 мм 74LCX32 14 3,6 В НЕ УКАЗАН Ворота 3,3 В Не квалифицирован ЛВК/LCX/Z 6,2 нс 50пФ ИЛИ 5,5 нс 1 10 мкА 24 мА 24 мА 2 4 ИЛИ Ворота НЕТ 5,5 нс при 3,3 В, 50 пФ 0,8 В
RN1301,LF РН1301,ЛФ Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год СК-70, СОТ-323 12 недель 100мВт РН130* 100мВт 50В 50В 300мВ 100 мА 500нА NPN — предварительно смещенный 30 @ 10 мА 5 В 250 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 4,7 кОм 4,7 кОм
TC7W08FU(TE12L) TC7W08FU(TE12L) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать 7 Вт Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Диги-Рил® 1 (без ограничений) КМОП Не соответствует требованиям RoHS 1997 год /files/toshibasemiconductorandstorage-tc7w08fulf-datasheets-3428.pdf 8-TSSOP, 8-MSOP (ширина 0,110, 2,80 мм) 8 8 нет Нет 2 2В~6В ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 0,65 мм 7W08 8 Ворота ХК/УГ 95 нс 50пФ И 13 нс 1 1 мкА 5,2 мА 5,2 мА 2 И Ворота 0,004 А НЕТ 13 нс при 6 В, 50 пФ 0,5 В ~ 1,8 В 1,5 В ~ 4,2 В
RN1103,LF(CT RN1103,LF(CT Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж Разрезанная лента (CT) 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2014 год /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1103lfct-datasheets-3362.pdf СК-75, СОТ-416 12 недель 100мВт ССМ 100мВт 50В 50В 300мВ 100 мА 50В 100 мА 500нА NPN — предварительно смещенный 70 @ 10 мА 5 В 250 МГц 300 мВ при 250 мкА, 5 мА 22 кОм 22 кОм
TC74AC04FN(F,M) TC74AC04FN(Ф,М) Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать TC74AC Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без ограничений) Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tc74ac04fnfm-datasheets-1318.pdf 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Без свинца 2В~5,5В 74AC04 6 6,6 нс 4мкА 24 мА 24 мА Инвертор 6,6 нс при 5 В, 50 пФ 0,5 В ~ 1,65 В 1,5 В ~ 3,85 В
RN2119MFV,L3F РН2119МФВ,Л3Ф Toshiba Полупроводники и системы хранения данных
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) СОТ-723 10 недель 150 мВт 50В 100 мА 100нА ИКБО PNP — предварительно смещенный 120 @ 1 мА 5 В 300 мВ при 500 мкА, 5 мА 1 кОм

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.