Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Высота | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Код HTS | Тип фильтра | Емкость при частоте | Приложения | Полярность | Состав | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Базовый номер детали | Количество каналов | Конфигурация элемента | Рассеяние мощности | Количество элементов | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Включить время задержки | Время задержки выключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение пробоя-мин. | Количество строк | Текущий рейтинг (макс.) | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Защита линии электропередачи | Напряжение - пробой (мин) | Ток — пиковый импульс (10/1000 мкс) | Напряжение — ограничение (макс.) при Ipp | Напряжение — обратное зазор (тип.) | Однонаправленные каналы | Обратное напряжение запирания | Максимальное напряжение пробоя | Количество однонаправленных каналов | Мощность — пиковый импульс | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Напряжение пробоя стока к источнику | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | Форм-фактор | Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность полевого транзистора | Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено) | ВГС (Макс) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB1457(T6CANO,Ф,М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sb1457t6cnoaf-datasheets-1081.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 100В | 2А | 10 мкА ИКБО | ПНП | 2000 @ 1А 2В | 50 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2655-О,Ф(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-2sc2655yt6canofm-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2235-Y,T6F(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2235ot6asnfm-datasheets-1115.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | да | неизвестный | 900мВт | 120 В | 800мА | 100нА ИКБО | НПН | 80 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2655-Y,T6KEHF(М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2655yt6canofm-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC3668-Y,T2WNLF(J | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc3668yt2wnlfj-datasheets-1191.pdf | СК-71 | 1 Вт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC5171,Q(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-2sc5171qj-datasheets-1207.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | да | неизвестный | 2 Вт | 180 В | 2А | 5 мкА ИКБО | НПН | 100 @ 100 мА 5 В | 200 МГц | 1 В при 100 мА, 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2235-Y(Т6КМАТФМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2235ot6asnfm-datasheets-1115.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 120 В | 800мА | 100нА ИКБО | НПН | 80 @ 100 мА 5 В | 120 МГц | 1 В @ 50 мА, 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2655-И(Т6НД3,АФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2655yt6canofm-datasheets-1130.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 50В | 2А | 1 мкА ИКБО | НПН | 70 @ 500 мА 2 В | 100 МГц | 500 мВ при 50 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2859-И(ТЭ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,08 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | 125°С | -55°С | 300 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | Нет | НПН | 150 мВт | Одинокий | 150 мВт | 1 | S-Мини | 300 МГц | 150 мВт | 30В | 30В | 100 мВ | 30В | 500 мА | 30В | 500 мА | 35В | 5В | 70 | 100нА ИКБО | НПН | 120 @ 100 мА 1 В | 300 МГц | 250 мВ при 10 мА, 100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SC2705-О(ТПЭ6,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sc2705otpe6f-datasheets-0445.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | неизвестный | 800мВт | 150 В | 50 мА | 100нА ИКБО | НПН | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 1 В @ 1 мА, 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2695(Т6КНО,А,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2695t6canoaf-datasheets-6746.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 Длинный кузов | ТО-92МОД | 900мВт | 60В | 2А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 1А 2В | 100 МГц | 1,5 В при 1 мА, 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD2257,Q(Дж | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-2sd2257kehinqj-datasheets-6764.pdf | ТО-220-3 Полный пакет | ТО-220НИС | 2 Вт | 100В | 3А | 10 мкА ИКБО | НПН | 2000 @ 2А 2В | 1,5 В @ 1,5 мА, 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDEPR01GEA51F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | MG04ACAxxxN | 5°К~55°К | 147,00x101,85x26,10 мм | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 6 недель | 5В 12В | 4 ТБ | 3,5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDWK105UZSVA | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | САТА III | MQ01ABFxxx | 5°К~55°К | 100,45x69,85x9,50 мм | Непригодный | Соответствует RoHS | 6 недель | 3,26 унции 92,89 г | 5В | 500 ГБ | 2,5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6L40TU,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,39 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 30В | 500мВт Та | N и P-канал | 180пФ 120пФ при 15В | 122 мОм при 1 А, 10 В, 226 м Ом при 1 А, 10 В | 2,6 В @ 1 мА, 2 В @ 1 мА | 1,6 А Та 1,4 А Та | 5,1 нК, 2,9 нК при 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6P35FE(TE85L,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | неизвестный | 150 мВт | ССМ6П35 | 100 мА | 20 В | 150 мВт | 2 P-канала (двойной) | 12,2 пФ при 3 В | 8 Ом при 50 мА, 4 В | 1 В @ 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3K72KCT,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,35 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСVII-H | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | СК-101, СОТ-883 | 12 недель | 400 мА | 60В | 500мВт Та | N-канал | 40пФ при 10В | 1,5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В @ 250 мкА | 400 мА Та | 0,6 нК при 4,5 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM3J356R,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,04 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСВИ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2015 год | SOT-23-3 Плоские выводы | 3 | 12 недель | да | ДВОЙНОЙ | 1 | Р-ПДСО-Ф3 | 2А | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | 1 Вт Та | 2А | 0,4 Ом | P-канал | 330пФ при 10В | 300 мОм при 1 А, 10 В | 2 В при 1 мА | 2А Та | 8,3 нК при 10 В | 4В 10В | +10 В, -20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6J511NU,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСВИИ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2016 год | 6-WDFN Открытая площадка | 12 недель | неизвестный | 1,25 Вт | 14А | 12 В | P-канал | 3350пФ при 6В | 9,1 мОм при 4 А, 8 В | 1 В @ 1 мА | 14А Та | 47 нК при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LB4X2X8U | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Амобусы® | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 0.236Диакс0.472L 6.00ммx12.00мм | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-ab4x2x6sm-datasheets-0940.pdf | Осевой, изогнутый радиальный изгиб | 10 недель | EAR99 | Нет | 8504.50.80.00 | ФЕРРИТОВЫЙ ШАРИК | 1 | 8А Тип | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3ДЖ56МФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСВИ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-723 | 550 мкм | 12 недель | неизвестный | 1 | 150 мВт | 8 нс | 26 нс | -800мА | 8В | 20 В | -300мВ | 150 мВт Та | -20В | P-канал | 100пФ при 10В | 390 мОм при 800 мА, 4,5 В | 800 мА Та | 1,2 В 4,5 В | ±8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2S5M4CT,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s5m4ctl3f-datasheets-3129.pdf | СОД-882 | 12 недель | 0,35 пФ @ 1 МГц | Нет | 3,7 В | 2А 8/20 мкс | 15 В | 3,6 В Макс. | 1 | 30 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Л12ТУ,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | 30В | 500мВт | N и P-канал | 245пФ при 10В 218пФ при 10В | 145 мОм при 500 мА, 4,5 В, 260 м Ом при 250 мА, 4 В | 1,1 В @ 100 мкА | 500 мА Та | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2S16CT,L3F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s16ctl3f-datasheets-8251.pdf | СОД-882 | 12 недель | 10пФ @ 1МГц | Общего назначения | Зенер | КСТ2 | Нет | 15,3 В | 12 В | 1 | 12 В | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TPC8408,LQ(S | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-ssm6n7002bfelm-datasheets-0834.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | 8 | Нет | 1,5 Вт | 2 | 5.3А | 20 В | 40В | 450мВт | N и P-канал | 850пФ при 10 В | 32 мОм при 3,1 А, 10 В | 2,3 В @ 100 мкА | 6,1 А 5,3 А | 24 нК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF5A5.6LJE,LM | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,28 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df5a56ljelm-datasheets-9931.pdf | СОТ-553 | 12 недель | 8пФ @ 1МГц | Общего назначения | Нет | 5,3 В | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТПХ9Р506ПЛ,ЛК | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-MOSIX-H | Поверхностный монтаж | 175°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | 8-PowerVDFN | 16 недель | 60В | 830 мВт Та 81 Вт Тс | N-канал | 1910пФ при 30В | 9,5 мОм при 17 А, 10 В | 2,5 В @ 200 мкА | 34А Тк | 21 нК при 10 В | 4,5 В 10 В | ±20 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ2С20ФС,Л3М | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,15 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df2s20fsl3m-datasheets-3280.pdf | СОД-923 | 12 недель | EAR99 | 9пФ при 1 МГц | Общего назначения | Нет | 18,8 В | 15 В Макс. | 1 | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ3ДЖ66МФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | У-МОСВИ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | МОП-транзистор (оксид металла) | Не соответствует требованиям RoHS | СОТ-723 | 12 недель | 20 В | 150 мВт Та | P-канал | 100пФ при 10В | 390 мОм при 800 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 800 мА Та | 1,6 нК при 4,5 В | 1,2 В 4,5 В | +6В, -8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДФ5А6.8ЛФ,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,30 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Зенер | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-df5a68lflf-datasheets-7572.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 12 недель | 6пФ при 1 МГц | Общего назначения | Нет | 6,5 В | 4 | 5В |
