Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Размер / Размер | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Тип входа | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Интерфейс | Импеданс | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Толерантность | Приложения | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | Размер памяти | Максимальное выходное напряжение | Тип генератора | Количество входов/выходов | Тип памяти | Периферийные устройства | Размер оперативной памяти | Прямой ток | Тип выхода | Напряжение – нагрузка | Максимальный входной ток | Время подъема | Осень (тип.) | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальный обратный ток утечки | Стабилитронное напряжение | Логическая функция | Материал транзисторного элемента | Применение транзистора | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Тестовый ток | Функция | Технология полевых транзисторов | Скорость | Конфигурация выхода | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Обратное напряжение пробоя | Защита от ЭСР | Допуск по напряжению | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канал | Ток - Макс. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Скорость - Чтение | Скорость — запись | Импеданс-Макс. | Ток - Выход | Напряжение-питание (Vcc/Vdd) | Тип памяти программы | Размер ядра | Размер памяти программы | Возможности подключения | Конвертер данных | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Текущее потребление (Id) — Макс. | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Тип двигателя - Шаговый | Шаг Разрешение | Тип двигателя - переменный, постоянный ток | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Форм-фактор | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Производитель |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP732(GRH-LF2,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4904,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4GRLL6TC,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1909,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | США6 | 200мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 70 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 47 кОм | 22 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(GR-LF7,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1301,LXHF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СК-70, СОТ-323 | СК-70 | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 30 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP504A-2(ГБ,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp504af-datasheets-3743.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 | Нет | 150 мВт | 4 | 150 мВт | 55В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 2 мкс | 3 мкс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 55В | 10 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 5В | 50 мА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2907FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП631(Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp631blf-datasheets-3720.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 8 недель | 6 | 250мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 55В | Транзистор с базой | 60 мА | 2 мкс | 3 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 55В | 50 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2105,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TMP86PM47AUG(C,JZ) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | TLCS-870/C | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tmp86pm47augcjz-datasheets-4217.pdf | 44-LQFP | 16 недель | 44-ЛКФП (10х10) | Внешний | 35 | ШИМ, ВДТ | 1К х 8 | 16 МГц | 1,8 В~5,5 В | ОТП | 8-битный | 32 КБ 32 КБ х 8 | СИО, УАРТ/УСАРТ | А/Д 8x10b | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2106,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СК208-Р(ТЭ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 125°С, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Соответствует RoHS | 2009 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 2,9 мм | 1,1 мм | 1,5 мм | 3 | 52 недели | 7,994566мг | 3 | Нет | 100мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | Одинокий | 1 | 750 мкА | -30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 10 В | СОЕДИНЕНИЕ | N-канал | 8,2 пФ при 10 В | 400 мВ при 100 нА | 50В | 6,5 мА | 300 мкА при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2103MFV,L3XHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | СОТ-723 | ВЕСМ | 150 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 70 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 22 кОм | 22 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRZ47(TE85L,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-crz47te85lqm-datasheets-4095.pdf | СОД-123Ф | 12 недель | Нет | ±10% | 700мВт | Одинокий | 10 мкА | 47В | 65Ом | 10 мкА при 37,6 В | 1 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN4901FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) | 30 при 10 мА, 5 В | 200 МГц, 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | 4,7 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CRZ33(TE85L,К,М) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2009 год | СОД-123Ф | 2 | 30Ом | Серебро, Олово | ±10% | 700мВт | CRZ33 | Одинокий | 10 мкА | 33В | 10 мА | Нет | 10% | 30Ом | 10 мкА при 26,4 В | 1 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1907FE,LXHF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Поверхностный монтаж | СОТ-563, СОТ-666 | ES6 | 100мВт | 50В | 100 мА | 500нА | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) | 80 при 10 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ67H303HG | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | Силовой МОП-транзистор | 19,37 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | 25-SIP сформированных потенциальных клиентов | 28,8 мм | 4,5 мм | 25 | 14 недель | Параллельный, ШИМ | 8542.39.00.01 | Общего назначения | 8В~42В | ЗИГ-ЗАГ | 24В | 1 мм | 42В | 8В | КОНТРОЛЛЕР ЩЕТОЧНОГО ДВИГАТЕЛЯ ПОСТОЯННОГО ТОКА | Р-ПЗИП-Т25 | 8В~42В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (2) | 8А | Матовый DC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2405,ЛХХФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | S-Мини | 200 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 при 10 мА, 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 2,2 кОм | 47 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC78S121FNG,ЭЛ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 48-TFSOP (ширина 0,240, 6,10 мм) Открытая колодка | 14 недель | Параллельно | Общего назначения | 4,5 В~5,5 В | 8В~38В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (8) | 2А | Биполярный | Матовый DC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MG09SCA18TA | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | САС | MG09 | 5°С ~ 55°С | 147,00 мм х 101,85 мм х 26,10 мм | - | 5В, 12В | 18 ТБ | Магнитный диск (HDD) | - | - | - | 3,5 дюйма | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S109AFTG,ЭЛ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2015 год | 48-WFQFN Открытая колодка | 16 недель | Параллельно | Общего назначения | 4,75 В~5,25 В | 10 В~47 В | И | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 3А | Биполярный | 1 ~ 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TDTC114Y,ЛМ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | - | Поверхностный монтаж | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | СОТ-23-3 | 320 мВт | 50 В | 100 мА | 500нА | NPN — предварительно смещенный | 79 @ 5 мА, 5 В | 250 МГц | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА | 10 кОм | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67H401FTG(О,EL) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | БиКДМОС | Соответствует RoHS | 48-VFQFN Открытая колодка | 16 недель | Параллельный, ШИМ | Общего назначения | 4,75 В~5,25 В | 10 В~47 В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 6А | Матовый DC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S521FTAG,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°C~85°C ТА | Лента и катушка (TR) | ДМОС | Соответствует RoHS | 36-WFQFN Открытая колодка | 17 недель | ШИМ | Общего назначения | 2В~5,5В | 10 В~34 В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (2) | 2,8А | Биполярный | 1, 1/2, 1/4 | Матовый DC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67S101AFTG,ЭЛ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Силовой МОП-транзистор | Соответствует RoHS | 2013 год | 48-WFQFN Открытая колодка | 16 недель | Параллельно | Общего назначения | 4,75 В~5,25 В | 10 В~47 В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 3А | Биполярный | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB67B000AHG | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~115°К | Трубка | 1 (без ограничений) | БТИЗ | Модуль 30-PowerDIP | 16 недель | ШИМ | Общего назначения | 13,5 В~16,5 В | 50 В~450 В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (3) | 2А | Многофазный | Бесщеточный постоянный ток (BLDC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62218AFTG,C8,EL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ДМОС | Соответствует RoHS | 2012 год | 48-VFQFN Открытая колодка | 17 недель | Параллельно | Общего назначения | 4,75 В~5,25 В | 48-КФН (7х7) | 10 В~38 В | Драйвер — полностью интегрированный, этап управления и мощности | Полумост (4) | 2А | Биполярный | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ6615ПГ,8 | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поднос | Непригодный | БИПОЛЯРНЫЙ | Соответствует RoHS | 2012 год | 16 | 13 недель | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 2,54 мм | ДРУГОЙ | 85°С | -30°С | Электроника управления движением | 3/5 В | 27 мА | Не квалифицирован | Р-ПДИП-Т16 |
