Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактToshiba Semiconductor and Storage(13104)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Тип входа | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Длина | Входной ток | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь кода соответствия | Количество функций | Полярность | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество каналов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания (Isup) | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Пакет устройств поставщика | -3 дБ Пропускная способность | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Прямой ток-макс. | Особенности монтажа | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Непрерывный ток коллектора | Отрицательное номинальное напряжение питания (Vsup) | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение пробоя | Максимальное напряжение пробоя | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канал | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Сопротивление в рабочем состоянии (макс.) | Номинальная изоляция в выключенном состоянии | Сопротивление в штатном состоянии Match-Nom | Переключение | Время выключения-Макс. | Время включения-Макс. | Темный ток-Макс. | Напряжение питания, одинарное/двойное (±) | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) | hFE Мин. | Максимальный ток сигнала | Ток-отсечка коллектора (макс.) | Тип транзистора | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | Частота – переход | Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic | Схема мультиплексора/демультиплексора | Переключатель цепи | Резистор — база (R1) | Резистор — база эмиттера (R2) | Ток – утечка (IS(выкл.)) (Макс.) | Емкость канала (CS(выкл.), CD(выкл)) | Время переключения (Ton, Toff) (Макс.) | Межканальное согласование (ΔRon) | Перекрестные помехи |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TLP785(ГРЛ,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,48 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785f-datasheets-5863.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | 4 | УТВЕРЖДЕНО UL | Нет | 240мВт | 1 | 240мВт | 1 | 60 мА | Транзистор | 25 мА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 80В | 10 мА | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2426(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 12 недель | ДА | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,2 Вт | 200мВт | -50В | 50В | 800 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 90 @ 100 мА 1 В | 200 МГц | 250 мВ при 1 мА, 50 мА | 1 кОм | 10 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(ГРЛ,Э | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2310(ТЕ85Л,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshiba-rn2310te85lf-datasheets-3894.pdf | СК-70, СОТ-323 | 16 недель | 3 | Нет | ПНП | 100мВт | РН231* | Одинокий | 100мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | 120 | 100нА ИКБО | PNP — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(GR,SE | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | UL ПРИЗНАЛ | 1 | 1 | Транзистор | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 80В | 50 мА | 80В | 80нА | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2402С,ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 3 | 59 | ВСТРОЕННЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ СОПРОТИВЛЕНИЯ СМЕЩЕНИЮ СОСТАВЛЯЕТ 1. | неизвестный | ПНП | 200мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | РН240* | 200мВт | 1 | Р-ПДСО-Г3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | -100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 200 МГц | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP388(D4GB-TR,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp388d4gbtle-datasheets-8129.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода | 12 недель | 1 | 6-СО | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 350В | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1110КТ(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2011 г. | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1110cttpl3-datasheets-8219.pdf | СК-101, СОТ-883 | ДА | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | НПН | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 300 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP187(Е | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp187tple-datasheets-6532.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода | 12 недель | УТВЕРЖДЕНО UL | 1 | 1 | Дарлингтон | 0,05А | ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 40 мкс 15 мкс | 50 мА | 4000% | 300В | 150 мА | 300В | 200нА | 1000% при 1 мА | 50 мкс, 15 мкс | 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1110(Т5Л,Ф,Т) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2014 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn1110cttpl3-datasheets-8219.pdf | СК-75, СОТ-416 | ССМ | 100мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP292(ТПЛ,Е | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp292gbtple-datasheets-6962.pdf | 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) | 12 недель | 4 | да | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 50000нА | 50% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2112CT(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 2014 год | СК-101, СОТ-883 | неизвестный | ДА | 1 | BIP Малый сигнал общего назначения | КРЕМНИЙ | ПНП | 0,05 Вт | 50мВт | 20 В | 50 мА | 100нА ИКБО | PNP — предварительно смещенный | 300 @ 1 мА 5 В | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(GR-TPL,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2107МФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СОТ-723 | ВЕСМ | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(BLL-TPL,E | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2117МФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СОТ-723 | 12 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 30 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 10 кОм | 4,7 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP283(ТП,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp283tpf-datasheets-2622.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4 | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 4-СОП | 100 В | 50 мА | 1,15 В | Транзистор | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 400мВ | 100 В | 50 мА | 1,15 В | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 100 В | 100% при 1 мА | 400% при 1 мА | 7,5 мкс, 70 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN1110,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | СК-75, СОТ-416 | 12 недель | 100мВт | ССМ | 100мВт | 50В | 300мВ | 100 мА | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 4,7 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP759(TP1,J,F) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp759tp1jf-datasheets-4318.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 20% при 16 мА | 200 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RN2107,LF(CT | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,23 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | СК-75, СОТ-416 | 16 недель | ПНП | 100мВт | -100 мА | -50В | 50В | 100 мА | -6В | 80 | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 80 @ 10 мА 5 В | 200 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 10 кОм | 47 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP3914(TP15,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | $3,41 | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp3914tp15f-datasheets-6255.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 20 мА | 12 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 7В | 10 В | 30 мА | Фотоэлектрический | 30 мА | 1500 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,3 В | 20 мкА | 20 мкА | 300 мкс, 600 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1131МФВ,Л3Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | СОТ-723 | 10 недель | 150 мВт | 50В | 100 мА | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 100 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4GRT6-SD,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,300, 7,62 мм) | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН2118МФВ(ТПЛ3) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | 150°С | -65°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/toshibasemiconductorandstorage-rn2114te85lf-datasheets-6983.pdf | СОТ-723 | 16 недель | 3 | Нет | ПНП | 150 мВт | РН211* | Одинокий | 150 мВт | -100 мА | 50В | 50В | 50В | 100 мА | -25В | 50 | 500нА | PNP — предварительно смещенный | 50 @ 10 мА 5 В | 300 мВ при 500 мкА, 5 мА | 47 кОм | 10 кОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781(D4GRL-TP6,F | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 50 мА | 80В | 100% при 5 мА | 200% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РН1412ТЕ85ЛФ | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | 0,25 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2014 год | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 11 недель | неизвестный | НПН | 200мВт | Одинокий | 100 мА | 50В | 50В | 300мВ | 100 мА | 5В | 120 | 100нА ИКБО | NPN — предварительно смещенный | 120 @ 1 мА 5 В | 250 МГц | 300 мВ при 250 мкА, 5 мА | 22 кОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP785(БЛЛ-ТП6,Ф | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp785d4yhf6f-datasheets-7027.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | НЕТ | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | ОДИНОКИЙ | 0,000003 с | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,24 Вт | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74HC4051APF | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -40°C~85°C ТА | Трубка | 1 (без ограничений) | КМОП | 4,45 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 | 12 недель | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 4,5 В | 2,54 мм | 74HC4051 | 8 | ОДНОСТОРОННИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР | Мультиплексор или коммутаторы | 2/6Земля/-6В | 0,08 мА | 1 | Не квалифицирован | 85 МГц | -4,5 В | 100Ом | 50 дБ | 5Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 280 нс | 2В~6В ±2В~6В | 0,025А | 8:1 | 100нА | 2пФ 70пФ | 18 нс, 29 нс (тип.) | 5 Ом | -50 дБ @ 1 МГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4-BLL,Ф) | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | 1 (без ограничений) | округ Колумбия | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp781fyhtp7f-datasheets-7023.pdf | 4-DIP (0,400, 10,16 мм) | ПРИЗНАН UL, ОДОБРЕН VDE | 1 | 1 | Транзистор | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,15 В | 2 мкс 3 мкс | 60 мА | 80В | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC74HC4052AFTEL | Toshiba Полупроводники и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | КМОП | Соответствует RoHS | 2014 год | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 16 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4,5 В | 0,65 мм | 74HC4052 | 4 | ДПДТ | Мультиплексор или коммутаторы | 2 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G16 | 140 МГц | -4,5 В | 100Ом | 50 дБ | 5Ом | РАЗРЫВ ПЕРЕД СДЕЛАНИЕМ | 315 нс | 2В~6В ±2В~6В | 4:1 | СП4Т | 100нА | 2пФ 40пФ | 18 нс, 29 нс (тип.) | 5 Ом | -50 дБ @ 1 МГц |
