Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактММСЗ5259BT1G
Техническое описание MMSZ5259BT1G в формате pdf и диоды — Зенер — Подробные сведения о отдельных продуктах со склада ON Semiconductor доступны на сайте Feilidi.
- Производитель: ОН Полупроводник
- НЕТ: 598-ММСЗ5259БТ1Г
- Упаковка: СОД-123
- Техническая спецификация:
- Запас: 1022
- Описание: Техническое описание MMSZ5259BT1G в формате pdf и диоды — стабилитроны — подробные сведения об отдельных продуктах со склада ON Semiconductor доступны в Feilidi (кг)
- Доставка:
- Оплата:
В наличии
Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
.png)
Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме реального времени.
Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.
Запрос цен (запрос котировок)Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж ответит на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.
1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.
Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.
В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.
Срок поставкиПосле отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:
FedEx International, 5-7 рабочих дней.
Ниже приводится время логистики некоторых стран.
| Параметры | |
|---|---|
| Срок выполнения заказа на заводе | 8 недель |
| Статус жизненного цикла | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) |
| Контактное покрытие | Олово |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОД-123 |
| Поверхностный монтаж | ДА |
| Количество контактов | 2 |
| Материал | Пластик |
| Рабочая температура | -55°К~150°К |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Опубликовано | 2006 г. |
| Толерантность | ±5% |
| Код JESD-609 | е3 |
| Код Pbfree | да |
| Статус детали | Активный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Количество окончаний | 2 |
| Прекращение действия | СМД/СМТ |
| ECCN-код | EAR99 |
| Код HTS | 8541.10.00.50 |
| Подкатегория | Диоды опорного напряжения |
| Номинальная мощность | 500мВт |
| Напряжение — номинальный постоянный ток | 39В |
| Максимальная рассеиваемая мощность | 500мВт |
| Технология | ЗЕНЕР |
| Положение терминала | ДВОЙНОЙ |
| Терминальная форма | КРЫЛО ЧАЙКИ |
| Пиковая температура оплавления (Цел) | 260 |
| Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | 40 |
| Базовый номер детали | ММСЗ5259Б |
| Количество контактов | 2 |
| Количество элементов | 1 |
| Рабочее напряжение | 39В |
| Полярность | ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ |
| Импеданс | 80Ом |
| Конфигурация элемента | Одинокий |
| Тип диода | стабилитрон |
| Ток – обратная утечка @ Vr | 100 нА при 30 В |
| Рассеяние активности | 500мВт |
| Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | 900 мВ при 10 мА |
| Максимальный обратный ток утечки | 100 нА |
| Импеданс-Макс. | 80Ом |
| Тестовый ток | 3,2 мА |
| Опорное напряжение | 39В |
| Напряжение проба | 40,95 В |
| Прямое напряжение | 900 мВ |
| Стабильное напряжение | 39В |
| Напряжение Тол-Макс | 5% |
| Пиковый обратный ток | 100 нА |
| Допуск по напряжению | 5% |
| Защита от ЭСР | Да |
| Ток Зенера | 10 мА |
| Высота | 1,12 мм |
| Длина | 2,69 мм |
| Ширина | 1,6 мм |
| Радиационная закалка | Нет |
| ДОСТИГНУТЬ СВХК | Нет СВХК |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Без свинца | Без свинца |
Обзор MMSZ5259BT1G
Такое электрическое устройство требует обратного тока рассеивания 100 нА при 30 В. Тол — это максимальное напряжение, которое может быть подано (5%). Обратный ток утечки достигает максимум 100 нА. Гибкость конструкции этого устройства чрезвычайно высока, поскольку ток его стабилитрона составляет 10 мА. Для работы диод достигает 900 мВ при 10 мА при максимальном напряжении — прямом (Vf). Рекомендуется пиковое обратное напряжение 100 нА. чтобы это устройство функционировало полностью.
Особенности MMSZ5259BT1G
обратный ток утечки 100 нА при 30 В
100 нА при 30 В — максимальное напряжение (Tol).
Обратный ток утечки достигает 100 нА.
ток стабилитрона 10 мА
Приложения MMSZ5259BT1G
Существует множество применений одиночных стабилитронов компании ON Semiconductor MMSZ5259BT1G.
