Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактRf -smecitegeli (2798)
| Срэвниваф | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | DOSTIчH SVHC | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | Толсина | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Колист | Н. | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Телекоммуникации IC THIP | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Строителб | Rf/микроволновги | Взёдский максимум макс (CW) | Хarakternый -mpedans | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | R. | Колист | Подкейгория | Питания | Поступил | Прирост | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Ш | Потретелский | В. | Колист | LO TENSAL | МООНТАНАНА | Rraboч-aastota-maks | MATERIOLTRANSHOTORA | Коунфигура | Прилоэна | Пола | Power Dissipation-Max (ABS) | Колемкшионерток | Коллеркшионер-имиттер-naprayonee-maks | ЭksplyAtASHYOUNNAMPAYASTOTATA | КОНВЕРСИОНА | ASTOTA (MMAKS) | Rf-vodnoй чastota-maks | СОМАНИЕ ВСЕГО СОЗДА | Power Dissipation-Max | ASTOTA -PRERESHODA | DCTOK-UWEREGHENEEE (hfe) | Колиствот |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PE4150MLI-Z | Peregrine Semiconductor Corp | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | Веса | Сообщите | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | 85 ° С | -40 ° С | Компонент | Одино -вбалансирована | 2DBM | 50 ОМ | Rf/микроволновов | 3В | Пефер | 941 мг | 136 мг | 8,7 Дб | 20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3101B96 | Intersil Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | В | Ear99 | not_compliant | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | В дар | Дон | Крхлоп | 240 | 8 | 150 ° С | Nukahan | 6 | Дригейтере | Н.Квалиирована | R-PDSO-G8 | Кремни | Слош | Исилитель | Npn | 0,4 | 0,03а | 8в | Илтра | 10000 мг | 40 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3101BZ | Intersil Corporation | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | Ear99 | Сообщите | 8542.33.00.01 | E3 | МАНЕВОВО | В дар | Дон | Крхлоп | 260 | 8 | 150 ° С | 30 | 6 | Дригейтере | Н.Квалиирована | R-PDSO-G8 | Кремни | Слош | Исилитель | Npn | 0,03а | 8в | Илтра | 10000 мг | 40 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4141-52 | Peregrine Semiconductor Corp | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | Сообщите | E3 | Олово (sn) | 70 ° С | Компонент | В.В. | Не | 1000 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4140-52 | Peregrine Semiconductor Corp | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | ICON-PBFREE DA | Сообщите | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | 85 ° С | -40 ° С | Компонент | В.В. | Rf/микроволновов | В дар | Пефер | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1162nbgi8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Лю | 1 | 100 ° С | -40 ° С | 2,7 -е | 330 май | 0,8 мм | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/integrateddevicetechnology-f1162nbgi8-datasheets-4552.pdf | QFN EP | 6 мм | 6 мм | СОУДНО ПРИОН | 36 | 6 | 36 | в дар | 800 мкм | Ear99 | Не | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | Квадран | 260 | 5в | 0,5 мм | 36 | Промлэнно | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | 30 | 2,2 | 8,9 Дб | 9,9 Дб | 2,2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1162ANBGI8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Lenta и катахка (tr) | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/integrateddevicetechnology-f1162anbgi8-datasheets-4519.pdf | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1152nbgi8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Лю | 1 | 2,2 -е | 327 Ма | 0,8 мм | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/integrateddevicetechnology-f1152nbgi8-datasheets-4496.pdf | Qfn | 6 мм | 6 мм | 5,25 В. | СОУДНО ПРИОН | 36 | 8 | 36 | в дар | 800 мкм | Ear99 | Не | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | Квадран | 260 | 5в | 0,5 мм | 36 | Промлэнно | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | 100 ° С | -40 ° С | 30 | 8,5 Дб | 10 дБ | 2,2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1102nbgi8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Лю | 1 | 100 ° С | -40 ° С | 400 мг | 330 май | 0,8 мм | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/integrateddevicetechnology-f1102nbgi8-datasheets-4397.pdf | QFN EP | 6 мм | 6 мм | СОУДНО ПРИОН | 36 | 6 | 36 | в дар | 800 мкм | Ear99 | Не | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | Квадран | 260 | 5в | 0,5 мм | 36 | Промлэнно | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | 2,2 | 9 дБ | 9,5 дБ | 2,2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAMX-009239-001500 | Macom Technology Solutions | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -10 ° С | 40 май | ROHS COMPRINT | 87 | Компонент | ДОНАНСКАНСКИЙ | 16.99dbm | 50 ОМ | 2500 мг | 10 мг | 9 дБ | 2,5 -е | 50 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAMX-007607-ELCM1H | Macom Technology Solutions | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -55 ° С | 40 май | ROHS COMPRINT | 87 | в дар | Компонент | ДОНАНСКАНСКИЙ | 23 Дбм | 50 ОМ | 0,5 мг | 8 дБ | 500 мг | 200 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMY211 | Infineon Technologies | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | GaAs | В | 5 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | В дар | Компонент | ДОНАНСКАНСКИЙ | 17 Дбм | 50 ОМ | Rf/микроволновов | 3В | Пефер | 2500 мг | 500 мг | 7,5 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HMC774A | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | Pro | не | 85 ° С | -55 ° С | Компонент | ДОНАНСКАНСКИЙ | 21 Дбм | 13 дБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 4140-52 | псэми | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | DFN | 6 | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mamxes0108 | Macom Technology Solutions | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 89 | 500 мг | 125 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M93C | Macom Technology Solutions | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | не | SMA, I/P Power-Max (Pip) = 26 Дбм | 100 ° С | -54 ° С | Коанксиалнь | Троуно -Сбалансирована | 50 ОМ | 18000 мг | 2000 мг | 11,5 Дб | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Sky73020-11 | Skyworks Solutions Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Bicmos | ROHS COMPRINT | 36 | в дар | Вес | E4 | ЗOlOTO (au) - c nekelewыm (ni) бараж | В дар | 85 ° С | -40 ° С | Компонент | ДОНАНСКАНСКИЙ | 20 Дбм | 50 ОМ | Rf/микроволновов | 5в | 420 май | Пефер | 1000 мг | 700 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTC5590IUH#TRPBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 105 ° С | -40 ° С | 600 мг | 379 май | ROHS COMPRINT | Qfn | 3,3 В. | 24 | Pro | 8,7 Дб | 9,9 Дб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTC5577IUF#TRPBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Lenta и катахка (tr) | 105 ° С | -40 ° С | 6 Гер | 180 май | ROHS COMPRINT | Qfn | НЕТ SVHC | 3,6 В. | 3В | 16 | Pro | 0 дБ | 15 дБ | 6 Гер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX9981ETX+TD | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Bicmos | 915 мг | 325 май | 0,8 мм | ROHS COMPRINT | /files/maximintegrated-max9981etxxd-datasheets-8950.pdf | Qfn | 6 мм | 6 мм | 5в | СОУДНО ПРИОН | 36 | 36 | в дар | 900 мкм | Не | 8542.39.00.01 | 1 | 291MA | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | Квадран | 260 | 5в | 0,5 мм | 36 | Промлэнно | САДЕР | 85 ° С | -40 ° С | 30 | 2,7 Дб | 10,8 ДБ | 2,2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX19757ETX+ | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | -40 ° С | Bicmos | 2,7 -е | 350 май | ROHS COMPRINT | 5,25 В. | 36 | 36 | в дар | Ear99 | Не | 8542.39.00.01 | В дар | ДОНАНСКАНСКИЙ | Rf/mikrovolnowany -opeh -vverх/voniз | 5в | 420 май | 8,8 ДБ | 10,4 ДБ | Пефер | 2,7 -е | 8,7 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Max9981etx+d | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 | Bicmos | 915 мг | 325 май | 0,8 мм | ROHS COMPRINT | /files/maximintegrated-max9981etxd-datasheets-8572.pdf | Qfn | 6 мм | 6 мм | 5в | СОУДНО ПРИОН | 36 | 36 | в дар | 900 мкм | Не | 8542.39.00.01 | 1 | 291MA | E3 | Олово (sn) | В дар | Квадран | 260 | 5в | 0,5 мм | 36 | Промлэнно | САДЕР | 85 ° С | -40 ° С | 2,7 Дб | 10,8 ДБ | 2,2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SA639DH/01 | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | 85 ° С | -40 ° С | 500 мг | 1,1 мм | ROHS COMPRINT | TSSOP | 7,8 мм | 4,4 мм | 3В | СОУДНО ПРИОН | 24 | 8542.39.00.01 | 1 | 8,6 май | E4 | Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) | В дар | Дон | Крхлоп | 3В | 0,65 мм | Промлэнно | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | R-PDSO-G24 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SA616DK/01 | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | 150 мг | 1,5 мм | ROHS COMPRINT | SSOP | 6,5 мм | 4,4 мм | 3В | СОУДНО ПРИОН | 20 | 8542.39.00.01 | 1 | 3,5 мая | В дар | Дон | Крхлоп | 3В | 0,65 мм | 20 | Промлэнно | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | Н.Квалиирована | R-PDSO-G20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SA608DK/01 | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | 85 ° С | -40 ° С | 150 мг | 1,5 мм | ROHS COMPRINT | SSOP | 6,5 мм | 4,4 мм | 5в | СОУДНО ПРИОН | 20 | VStroennnый kvadraTnый deTektOr | 8542.39.00.01 | 1 | 3,5 мая | E4 | Ngecely palladyй | В дар | Дон | Крхлоп | 260 | 0,65 мм | 20 | Промлэнно | 7в | 2,7 В. | 30 | Н.Квалиирована | R-PDSO-G20 | 6,2 дБ | Аудиот | В дар | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2530EGI | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 1 | В | не | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свине (SN85PB15) | Nukahan | САДЕР | Nukahan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SA601DK | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | 85 ° С | -40 ° С | 1,5 мм | ROHS COMPRINT | SSOP | 6,5 мм | 4,4 мм | 5,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 20 | 8542.39.00.01 | 1 | 7,4 мая | E4 | Ngecely palladyй | В дар | Дон | Крхлоп | 260 | 3В | 0,65 мм | 20 | Промлэнно | САДЕР | 30 | Н.Квалиирована | R-PDSO-G20 | 980 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SA58641DK | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | 85 ° С | -40 ° С | 500 мг | 1,5 мм | ROHS COMPRINT | SSOP | 6,5 мм | 4,4 мм | 5,5 В. | СОУДНО ПРИОН | 20 | в дар | 8542.39.00.01 | 1 | 7,5 мая | E4 | Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) | В дар | Дон | Крхлоп | 260 | 5в | 0,65 мм | 20 | Промлэнно | БЕСПОРОВОДНАЯ СОЕМА | 30 | Н.Квалиирована | R-PDSO-G20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SA58640DK | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | 85 ° С | -40 ° С | 100 мг | 1,5 мм | ROHS COMPRINT | SSOP | 6,5 мм | 4,4 мм | 5в | СОУДНО ПРИОН | 20 | в дар | 8542.39.00.01 | 1 | 5 май | E4 | Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) | В дар | Дон | Крхлоп | 260 | 5в | 0,65 мм | 20 | Промлэнно | БЕСПОРОВОДНАЯ СОЕМА | 30 | Н.Квалиирована | R-PDSO-G20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2358ETI | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 1 | Bicmos | 0,9 мм | В | 2006 | /files/maximintegrated-max2358ti-datasheets-6611.pdf | 5 ММ | 5 ММ | 28 | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | 1 | E0 | Олейнн | В дар | Квадран | NeT -lederStva | 240 | 2,75 В. | 0,5 мм | 28 | Промлэнно | САДЕР | 85 ° С | -40 ° С | 20 | Н.Квалиирована | S-XQCC-N28 |
