| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Тип телекоммуникационных микросхем | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Строительство | Тип ВЧ/СВЧ-устройства | Входная мощность-Макс. (ПК) | Характеристический импеданс | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | КСВ-Макс | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Прирост | Статус квалификации | Код JESD-30 | Коэффициент шума | Особенности монтажа | Рабочая частота-Макс. | Прирост активности | Продукт увеличения пропускной способности | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Макс. ток коллектора (IC) | Макс. Коллектор-эмиттер напряжения | Рабочая частота-мин. | Максимальные потери при конверсии | Непрерывный ток коллектора | Частота (макс.) | Самый высокий частотный диапазон | Материал диодного элемента | Рассеиваемая мощность-Макс. | Тип диода | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Частота перехода | Минимальное устройство постоянного тока (hFE) | Частотный диапазон | Эмкость диода-Макс. | Тип барьера Шоттки | Базовое напряжение коллектора (VCBO) | Базовое напряжение эмиттера (VEBO) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LT5521EUF#PBF | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Масса | 85°С | -40°С | 3,7 ГГц | 98 мА | Соответствует RoHS | /files/analogdeviceslineartechnology-lt5521eufpbf-datasheets-3279.pdf | QFN | 4 мм | 750 мкм | 4 мм | 3,3 В | 3,99 ГГц | Без свинца | 5,25 В | 3,15 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | 750 мкм | Нет | 82 мА | -0,5 дБ | 12,5 дБ | -0,5 дБ | 3,7 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LT5512EUF#PBF | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Масса | 85°С | -40°С | 1 кГц | 74 мА | Соответствует RoHS | /files/analogdeviceslineartechnology-lt5512eufpbf-datasheets-1506.pdf | QFN | 4 мм | 750 мкм | 4 мм | 5В | 3 ГГц | Без свинца | Нет СВВК | 5,25 В | 4,5 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | 750 мкм | Нет | 57мА | 1,1 дБ | 14 дБ | 3 ГГц | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LT5511EFE#PBF | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Масса | 85°С | -40°С | 10 МГц | 65 мА | Соответствует RoHS | /files/analogdeviceslineartechnology-lt5511efepbf-datasheets-1247.pdf | ЦСОП | 5,1 мм | 950 мкм | 4,5 мм | 5В | 3 ГГц | Без свинца | 5,25 В | 4В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | Нет | 56 мА | 0 дБ | 15 дБ | 0 дБ | 3 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2359EGI-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | нет | 8542.39.00.01 | НЕ УКАЗАН | РЧ и основная полоса частот | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СМС3926-022 | Скайворкс Солюшнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 1 | ШОТТКИ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/skyworkssolutions-sms3926022-datasheets-0121.pdf | 4 | 4 | нет | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 4 | 150°С | 30 | 4 | Диоды для микроволновых смесителей | Не квалифицированный | АНОД И КАТОД | КРЕМНИЙ | 0,075 Вт | СМЕСТИТЕЛЬНЫЙ ДИОД | КБ | 0,5пФ | НИЗКИЙ БАРЬЕР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2358EGI | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 1 | БИКМОС | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 5 мм | 5 мм | 28 | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 245 | 2,75 В | 0,5 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | РЧ и основная полоса частот | 85°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | S-XQCC-N28 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2388EGC | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 1 | 2,17 ГГц | 11,7 мА | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/maximintegrated-max2388egc-datasheets-1020.pdf | QFN | 3 мм | 3 мм | 12 | нет | 5А991 | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 2,7 В | 0,5 мм | 12 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | РЧ и основная полоса частот | 85°С | -40°С | 20 | 17 дБ | Не квалифицированный | S-XQCC-N12 | 2,2 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TQM7M5013 | ТриКвинт | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | 11 | 11 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 11 | Основная полоса частот | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2531ETI | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 1 | БИКМОС | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 5 мм | 5 мм | 28 | нет | EAR99 | не_совместимо | 8542.39.00.01 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 2,75 В | 0,5 мм | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | РЧ и основная полоса частот | 85°С | -40°С | 20 | Не квалифицированный | S-XQCC-N28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1192NLGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 400 МГц | 265 мА | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/integrateddevicetechnology-f1192nlgi-datasheets-7733.pdf | QFN | 4 мм | 4 мм | Без свинца | 8 недель | 24 | да | 900 мкм | е3 | Олово (Вс) | 24 | ПОНИЖАЮЩИЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ | 5,4 дБ | 11,9 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LT5579IUH#TRPBF | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | 3,8 ГГц | 250 мА | Соответствует RoHS | /files/analogdeviceslineartechnology-lt5579iuhtrpbf-datasheets-6673.pdf | КФН ЭП | 3,3 В | 24 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | 2,6 дБ | 9,9 дБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2388EGC-TG069 | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2354EGI | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | Не соответствует требованиям RoHS | нет | 8542.39.00.01 | НЕ УКАЗАН | РЧ и основная полоса частот | НЕ УКАЗАН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LT5578IUH#TRPBF | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка | 1 | 85°С | -40°С | 400 МГц | 152 мА | 0,8 мм | Соответствует RoHS | /files/analogdeviceslineartechnology-lt5578iuhtrpbf-datasheets-3761.pdf | КФН ЭП | 5 мм | 5 мм | 3,3 В | 24 | 24 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 24 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | РЧ и основная полоса частот | 30 | 1,4 дБ | Не квалифицированный | 8,6 дБ | 1,4 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1162NBGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 | 100°С | -40°С | 2,7 ГГц | 330 мА | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/integrateddevicetechnology-f1162nbgi-datasheets-3700.pdf | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 36 | 6 недель | 36 | да | 800 мкм | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | 260 | 5В | 0,5 мм | 36 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 30 | 2,2 Вт | 8,9 дБ | 9,9 дБ | 2,2 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1162АНБГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/integrateddevicetechnology-f1162anbgi-datasheets-9677.pdf | 6 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1152NBGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 | 100°С | -40°С | 2,2 ГГц | 327 мА | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/integrateddevicetechnology-f1152nbgi-datasheets-3224.pdf | КФН ЭП | 6 мм | 6 мм | 5,25 В | Без свинца | 36 | 8 недель | 36 | да | 800 мкм | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | 260 | 5В | 0,5 мм | 36 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 2,2 Вт | 8,5 дБ | 10 дБ | 2,2 Вт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1150NBGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 | 2,2 ГГц | 334 мА | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/integrateddevicetechnology-f1150nbgi-datasheets-2720.pdf | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 36 | 8 недель | 36 | да | 800 мкм | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | 260 | 5В | 0,5 мм | 36 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 100°С | -40°С | 30 | 8,5 дБ | 10 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1150NBGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка | 1 | 100°С | -40°С | 2,2 ГГц | 334 мА | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/integrateddevicetechnology-f1150nbgi8-datasheets-2454.pdf | КФН ЭП | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 36 | 8 недель | 36 | да | 800 мкм | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | 260 | 5В | 0,5 мм | 36 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 30 | 2,2 Вт | 8,5 дБ | 10 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F1102NBGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 | 400 МГц | 330 мА | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/integrateddevicetechnology-f1102nbgi-datasheets-2138.pdf | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 36 | 6 недель | 36 | да | 800 мкм | EAR99 | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 5В | 0,5 мм | 36 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | НЕ УКАЗАН | 9 дБ | 9,5 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMY210 | ТриКвинт | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 6мА | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/triquint-cmy210-datasheets-9469.pdf | 3В | 6 | 6 | да | 5А991.Б | Нет | 8542.39.00.01 | е3/е4 | ДА | 85°С | -40°С | КОМПОНЕНТ | ДВОЙНОЙ СБАЛАНСИРОВАННЫЙ | 17 дБм | 50Ом | ВЧ/СВЧ-смесители | 3В | 8мА | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2500 МГц | 500 МГц | 7 дБ | 2,5 ГГц | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RF2052TR7 | РФМД | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 2 | КМОП | 30 МГц | 75 мА | 1 мм | Соответствует RoHS | /files/rfmd-rf2052tr7-datasheets-1263.pdf | 5 мм | 5 мм | 32 | да | 5А991.Г | 8517.70.00.00 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 85°С | -40°С | 30 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | -2 дБ | Не квалифицированный | S-PQCC-N32 | 12 дБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RF2051TR7 | РФМД | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 2 | КМОП | 30 МГц | 75 мА | 1 мм | Соответствует RoHS | /files/rfmd-rf2051tr7-datasheets-0844.pdf | 5 мм | 5 мм | 32 | да | 5А991.Г | 8517.70.00.00 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 85°С | -40°С | 30 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3В | -2 дБ | Не квалифицированный | S-PQCC-N32 | 12 дБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2354EGI-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Не соответствует требованиям RoHS | нет | 8542.39.00.01 | НЕ УКАЗАН | РЧ и основная полоса частот | НЕ УКАЗАН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTC5540IUH#TRPBF | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | 600 МГц | 193 мА | Соответствует RoHS | /files/analogdeviceslineartechnology-ltc5540iuhtrpbf-datasheets-7210.pdf | КФН ЭП | 3,3 В | 20 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | 8 дБ | 10,4 дБ | 7,9 дБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LT5557EUF#TRPBF | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | 400 МГц | 92 мА | Соответствует RoHS | /files/analogdeviceslineartechnology-lt5557euftrpbf-datasheets-5764.pdf | QFN | 3,3 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | 3,3 дБ | 11,7 дБ | 3,3 дБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3101BZ96 | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/intersil-hfa3101bz96-datasheets-5268.pdf | 8В | 30 мА | СОИК | 900 МГц | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | НПН | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 30 | 6 | Другие транзисторы | 1,7 дБ | 10 ГГц | СЛОЖНЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 30 мА | 10 ГГц | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 8В | 30 мА | 10000 МГц | 40 | 12 В | 5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA3101B | Интерсил (Renesas Electronics America) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/intersil-hfa3101b-datasheets-6214.pdf | 12 В | 30 мА | СОИК | Содержит свинец | 8 | 8 | EAR99 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НПН | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 8 | 150°С | НЕ УКАЗАН | 6 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 1,7 дБ | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | УСИЛИТЕЛЬ | 0,4 Вт | 0,03 А | 8В | СВЕРХВЫСОКАЯ ЧАСТОТА Б | 10000 МГц | 40 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦСМ2-13 | Технологические решения МАКОМ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | Соответствует RoHS | да | МОЩНОСТЬ И/П-МАКС. (ПИКОВАЯ) = 20 дБм | е3 | Матовый олово (Sn) | 85°С | -54°С | КОМПОНЕНТ | ДВОЙНОЙ СБАЛАНСИРОВАННЫЙ | 50Ом | 2,5 | 2800 МГц | 10 МГц | 10,5 дБ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2039ETP+TD | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 | БИКМОС | 2,2 ГГц | 135 мА | 0,8 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/maximintegrated-max2039etptd-datasheets-2258.pdf | 5 мм | 5 мм | 5В | Без свинца | 20 | 20 | да | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 104 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | 260 | 5В | 20 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | РЧ и основная полоса частот | 85°С | -40°С | 30 | Другие телекоммуникационные микросхемы | 5В | 7,3 дБ | 2,2 Вт |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.