Rч -priehemniki (1825)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	В припании	Управый	Rraboч -yemperatura	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЧastoTA	ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	ЦВ	Проспна	СОУДНО ПРИОН	Губина	МАКСИМАЛНГОН	Колист	Верна	МАССА	DOSTIчH SVHC	Колист	PBFREE CODE	КОД ECCN	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	МАКСИМАЛАНА	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	Колист	Н.	КОД JESD-609	Особз	ТЕРМИНАЛЕН	Прилонья	Пефер	Napraheneee - posta	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Я	Поседл	Телекоммуникации IC THIP	PoSta	Posta	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Napryaneeneee (vos)	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Чuewytelnopsth (dbm)	Ш	Потретелский	ИНЕРФЕРА ДАННА	МОДУЛЯСЯ ИЛИ ПРОТОКОЛ	Антерн	Чuewytelnopth	СКОРЕСТ	ТОК - ПОЛУЕГЕЕЕЕ	В.	ИНЕРФЕРА	От	Хarakteripykickipregedaчi	Polюsы инюли	Актифан
ATA8205P6-TKQY	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С		868 мг			Rohs3	1997	/files/microchiptechnology-ata8203p3tkqy-datasheets-2213.pdf	20-lssop (0,173, Ирина 4,40 мм)														20											Rssi osnaщen		О том, как		4,5 n 5,5.															20-SSO	-111 Дбм			Найдите, poverхnostnoe	Спротор, FSK	Найдите, poverхnostnoe	-111DBM	10 кбит / с	8,5 мая
SI4731-B20-GMR	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-20 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)				520 кг ~ 1,71 мг.		0,6 ММ	ROHS COMPRINT	1997	/files/siliconlabs-si4735b20gm-datasheets-2186.pdf	20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca	3 ММ		3 ММ							20											8542.39.00.01	1					О том, как	В дар	2,7 В ~ 5,5 В.	Квадран	NeT -lederStva	Nukahan		0,5 мм		20	ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА			Nukahan		Н.Квалиирована	S-XQCC-N20					Найдите, poverхnostnoe	Am, Fm, Rds	Найдите, poverхnostnoe			10 май
SI4702-D30-GM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-20 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	3 (168 чASOW)				76 Mmgц ~ 108 Mmgц			ROHS COMPRINT		/files/siliconlabs-si4703d30gm-datasheets-2571.pdf	20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca											8																О том, как		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Кв	Найдите, poverхnostnoe			14.4ma
TDA7541B	Stmicroelectronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	3 (168 чASOW)			Bicmos			1,6 ММ	Rohs3		/files/stmicroelectronics-tda7541bw-datasheets-2129.pdf	64-LQFP	10 мм		10 мм	8,5 В.			СОУДНО ПРИОН			64				64		Ear99		Не			8542.39.00.01	1	19ma	E4		Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Верно	В дар	7,7 В ~ 9	Квадран	Крхлоп	260	8,5 В.	0,5 мм	TDA7541	64	ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА				-200 мВ							Найдите, poverхnostnoe	Am, Fm	Найдите, poverхnostnoe			48 май
Max2769eti+t	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)				1575,42 мг	25 май		Rohs3	2010 ГОД	/files/maximintegrated-max2769eti-datasheets-2348.pdf	28-wfqfn otkrыtai-anploщaudka														28	в дар	7A994		Не			8542.39.00.01			E3		MATOWAN ONOUVA (SN)	GPS		2,7 В ~ 3,3 В.						MAX2769													Найдите, poverхnostnoe		Найдите, poverхnostnoe			18ma		Илинген
SI4703-D30-GM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-20 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	3 (168 чASOW)				76 Mmgц ~ 108 Mmgц			ROHS COMPRINT	2001	/files/siliconlabs-si4703d30gm-datasheets-2571.pdf	20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca											6																О том, как		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Кв	Найдите, poverхnostnoe			14.4ma
SI4757-A10-AM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	2 (1 годы)				520 кг ~ 1,71 мг.			ROHS COMPRINT	2000	/files/siliconlabs-si4752a10gm-datasheets-2481.pdf	32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka																											О том, как		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Am, FM, SW-LW	Найдите, poverхnostnoe
SI4753-A10-GM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	2 (1 годы)				520 кг ~ 1,71 мг.			ROHS COMPRINT	2000	/files/siliconlabs-si4752a10gm-datasheets-2481.pdf	32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka																											О том, как		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Am, FM, SW-LW	Найдите, poverхnostnoe
SI4735-C40-Gur	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-20 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)				153 кг ~ 279 кг 520 кг ~ 1,71 мг 2,3 мг ~ 26,1 мг 64 мг ~ 108 мг.			ROHS COMPRINT	1997	/files/siliconlabs-si4734c40gm-datasheets-2180.pdf	24-СССОП (0,154, Ирина 3,90 мм)										24															Rssi osnaщen		О том, как	В дар	2,7 В ~ 5,5 В.	Дон	Крхлоп					24						Н.Квалиирована					Аудио -чип -Перник	Найдите, poverхnostnoe	Am, FM, SW-LW	Найдите, poverхnostnoe			19,9 мая
SI4734-B20-GM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-20 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	3 (168 чASOW)				153 кг ~ 279 кг 520 кг ~ 1,71 мг.		0,6 ММ	ROHS COMPRINT	1997	/files/siliconlabs-si4735b20gm-datasheets-2186.pdf	20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca	3 ММ		3 ММ							20		16.499422mg									8542.39.00.01	1			Rssi osnaщen		О том, как	В дар	2,7 В ~ 5,5 В.	Квадран	NeT -lederStva	Nukahan		0,5 мм		20	ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА			Nukahan		Н.Квалиирована	S-XQCC-N20					Найдите, poverхnostnoe	Am, FM, LW-SW, WB	Найдите, poverхnostnoe			19,9 мая
CC113LRTKT	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Веса	3 (168 чASOW)				315 мг 433 мг.			Rohs3		/files/texasinstruments-cc113lrtkt-datasheets-2510.pdf	20-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA	4 мм	850 мкм	4,1 мм				СОУДНО ПРИОН	4 мм		20			НЕТ SVHC	20	в дар		ЗOLOTO				8542.39.00.01	1		E4			О том, как		1,8 В ~ 3,6 В.	Квадран	NeT -lederStva	260	3В	0,5 мм	CC113	20	САДЕР			Nukahan					-116 Дбм			Найдите, poverхnostnoe	FSK, GFSK, OOK	Найдите, poverхnostnoe		600	17.1ma
Max2741eti+	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)				1575,42 мг		0,8 мм	Rohs3	2014	/files/maximintegrated-max2741etit-datasheets-2532.pdf	28-wfqfn otkrыtai-anploщaudka	5 ММ		5 ММ							28					в дар	7A994					8542.39.00.01	1		E3		Олово (sn)	GPS	В дар	2,7 В ~ 3 В.	Квадран	NeT -lederStva	260	2,75 В.	0,5 мм		28		3В	2,7 В.	Nukahan		Н.Квалиирована	S-XQCC-N28					Найдите, poverхnostnoe		Найдите, poverхnostnoe			30 май			BandPass	Бесссель	3 и 0	Перуклэнн
Max2160etl+t	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			Bicmos	470 мг ~ 770 мг		0,8 мм	Rohs3	2011 год	/files/maximintegrated-max2160etl-datasheets-2451.pdf	40-wfqfn otkrыtai-anploщadka	6 мм		6 мм							40	6				в дар	Ear99					8542.39.00.01	1		E3		Оло	Кпк, Портативна иауде/Виде, Смартфон	В дар	2,7 В ~ 3,3 В.	Квадран	NeT -lederStva	260		0,5 мм	MAX2160	40		3,3 В.	2,7 В.	Nukahan		Н.Квалиирована	S-PQCC-N40			3,8 ДБ	ВИДЕР	Найдите, poverхnostnoe		Найдите, poverхnostnoe	-98DBM		44 май	В дар
SI4706-B20-GM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-20 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	3 (168 чASOW)				76 Mmgц ~ 108 Mmgц			ROHS COMPRINT	2000	/files/siliconlabs-si4706b20gm-datasheets-2595.pdf	20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca														20													О том, как		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	RBD/RDS	Найдите, poverхnostnoe			22 май
JF2-B3A3-DR	Телес	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Веса	3 (168 чASOW)				1575 г		2,8 мм	ROHS COMPRINT	2010 ГОД	/files/telit-jf2b3a3dr-datasheets-2393.pdf	Модул	11 ММ		11 ММ							32										НЕИ	8542.39.00.01	1					О том, как	В дар	1,79 n 1,9	Униджин	Приклад	Nukahan	1,8 В.	1 ММ			ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА			Nukahan			S-PBGA-B32		-163 Дбм			I2c, uart, spi, 1pps	GPS	NabortU			37 май
SI4750-A10-GM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	2 (1 годы)				520 кг ~ 1,71 мг.			ROHS COMPRINT	2000	/files/siliconlabs-si4752a10gm-datasheets-2481.pdf	32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka																											Верно		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Am, Fm	Найдите, poverхnostnoe			150 май
28500	Parallax Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-20 ° C ~ 70 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)	70 ° С	-20 ° С		1575,42 мг			ROHS COMPRINT	2009	/files/parallaxinc-28500-datasheets-2530.pdf	Модул					Чernый																						Gps -priemnyk		3,3 В ~ 5 В.																-159 Дбм			Rraзъem	GPS	С	-159DBM		65 май
SI4756-A10-GM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	2 (1 годы)				520 кг ~ 1,71 мг.			ROHS COMPRINT	2000	/files/siliconlabs-si4752a10gm-datasheets-2481.pdf	32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka																											О том, как		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Am, FM, SW-LW	Найдите, poverхnostnoe
Max2741eti+t	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)				1575,42 мг		0,8 мм	Rohs3	2014	/files/maximintegrated-max2741etit-datasheets-2532.pdf	28-wfqfn otkrыtai-anploщaudka	5 ММ		5 ММ							28				28	в дар	7A994		Не			8542.39.00.01	1		E3		Оло	GPS	В дар	2,7 В ~ 3 В.	Квадран		260	2,75 В.	0,5 мм		28		3В	2,7 В.									Найдите, poverхnostnoe		Найдите, poverхnostnoe			30 май			BandPass	Бесссель	3 и 0	Перуклэнн
28501	Parallax Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Полпар		-20 ° C ~ 70 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)				1575,42 мг				2009	/files/parallaxinc-28501-datasheets-2604.pdf	Модул																											О том, как		3,3 В ~ 5 В.															Модул				Rraзъem	GPS	Nabortu, пэт, mmcx	-159DBM	38,4	65 май
SE4110L-R	Skyworks Solutions Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Sige		-40 ° C ~ 85 ° C.	Digi-Reel®	1 (neograniчennnый)				1575,42 мг	10 май	1 ММ	Rohs3	2011 год	/files/skyworkssolutionsinc-se4110lr-datasheets-2541.pdf	24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA	4 мм			3,3 В.		2,2 мг				24	16	928.191737mg								НЕИ	8542.39.00.01	1					Gps -priemnyk	В дар	2,7 В ~ 3,6 В.	Квадран	NeT -lederStva	Nukahan	3,3 В.	0,5 мм		24	ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА			Nukahan			S-XQCC-N24					Найдите, poverхnostnoe	GPS	Найдите, poverхnostnoe			10,5 мая
SI4736-B20-GMR	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-20 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)				520 кг ~ 1,71 мг 162,4 мг ~ 162,55 мг.		0,6 ММ	ROHS COMPRINT	1997	/files/siliconlabs-si4736b20gm-datasheets-2210.pdf	20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca	3 ММ		3 ММ						23ma	20				20				Не			8542.39.00.01	1			Rssi osnaщen		О том, как	В дар	2,7 В ~ 5,5 В.	Квадран				0,5 мм		20	ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА											Найдите, poverхnostnoe	Am, FM, LW-SW, WB	Найдите, poverхnostnoe			19,9 мая
MAX3542CLM+T.	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			0 ° C ~ 70 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)			Bicmos	47 мг ~ 862 мгест		1,4 мм	Rohs3	2011 год	/files/maximintegrated-max3542clm-datasheets-2418.pdf	48-lflga otkrыtaiNe-o	7 мм		7 мм							48					в дар						8542.39.00.01	1						В дар	3,1 В ~ 3,5 В.	Униджин	Приклад	Nukahan		0,5 мм				3,5 В.	3,1 В.	Nukahan			S-XBGA-B48				Потретелельский	Найдите, poverхnostnoe		Найдите, poverхnostnoe			230 май
Max2135aetn+t	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)							Rohs3	2012		56-wfqfn otkrыtai-an-ploщadca									70 май	56	6			56		Ear99		Не	862 мг		8542.39.00.01	1					О том, как	В дар	2,7 В ~ 3,47 В.	Квадран		260						3,47 В.	2,7 В.								Потретелельский	Найдите, poverхnostnoe		Найдите, poverхnostnoe
MAX2165ETI+T.	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)				470 мг ~ 780 мг			Rohs3	2009	/files/maximintegrated-max2165eti-datasheets-2362.pdf	28-wfqfn otkrыtai-anploщaudka									134ma					28				Не			8542.39.00.01			E3		MATOWAN ONOUVA (SN)	DVB-T, H.		2,75 Е 3,3 В.																		Потретелельский	Найдите, poverхnostnoe		Найдите, poverхnostnoe			109 май
SI4750-A10-AM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	2 (1 годы)				520 кг ~ 1,71 мг.			ROHS COMPRINT	2000	/files/siliconlabs-si4752a10gm-datasheets-2481.pdf	32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka																											Верно		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Am, Fm	Найдите, poverхnostnoe			150 май
SI4730-B20-GMR	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-20 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)				520 кг ~ 1,71 мг.		0,6 ММ	ROHS COMPRINT	1997	/files/siliconlabs-si4735b20gm-datasheets-2186.pdf	20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca	3 ММ		3 ММ							20											8542.39.00.01	1					О том, как	В дар	2,7 В ~ 5,5 В.	Квадран	NeT -lederStva	Nukahan		0,5 мм		20	ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА			Nukahan		Н.Квалиирована	S-XQCC-N20					Найдите, poverхnostnoe	Am, Fm	Найдите, poverхnostnoe			19.2ma
SI4756-A10-AM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	2 (1 годы)				520 кг ~ 1,71 мг.			ROHS COMPRINT	2000	/files/siliconlabs-si4752a10gm-datasheets-2481.pdf	32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka																											О том, как		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Am, FM, SW-LW	Найдите, poverхnostnoe
SI4752-A10-GM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	2 (1 годы)				520 кг ~ 1,71 мг.			ROHS COMPRINT	2000	/files/siliconlabs-si4752a10gm-datasheets-2481.pdf	32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka																											О том, как		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Am, FM, SW-LW	Найдите, poverхnostnoe
SI4753-A10-AM	Силиконо	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	2 (1 годы)				520 кг ~ 1,71 мг.			ROHS COMPRINT	2000	/files/siliconlabs-si4752a10gm-datasheets-2481.pdf	32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka																											О том, как		2,7 В ~ 5,5 В.																			Найдите, poverхnostnoe	Am, FM, SW-LW	Найдите, poverхnostnoe

Rч -priehemniki (1825)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии