Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактRч -priehemniki (1825)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | Губина | МАКСИМАЛНГОН | Колист | Верна - | МАССА | DOSTIчH SVHC | Колист | PBFREE CODE | КОД ECCN | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | HTS -KOD | Колист | КОД JESD-609 | Особз | ТЕРМИНАЛЕН | Прилонья | Пефер | Napraheneee - posta | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Я | Поседл | Телекоммуникации IC THIP | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Чuewytelnopsth (dbm) | Ш | Потретелский | ИНЕРФЕРА ДАННА | МОДУЛЯСЯ ИЛИ ПРОТОКОЛ | Антерн | Чuewytelnopth | СКОРЕСТ | ТОК - ПОЛУЕГЕЕЕЕ | В. | Обозритель | Garmoniчeskoe hyskaжenieene | Naprayeseeee-nom (fm) | ДЕМОДУЛЯСЯ | В конце концов (AM) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Max2852itk+t | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -25 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | Bicmos | 4,9 -е ~ 5,9 -е. | 0,8 мм | Rohs3 | 2012 | /files/maximintegrated-max2852itk-datasheets-2403.pdf | 68-tQfn OtkrыtaiNeploщaudka | 10 мм | 10 мм | 3,3 В. | 68 | 68 | в дар | 8542.39.00.01 | 1 | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 3,6 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 2,85 В. | 0,5 мм | MAX2852 | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | Nukahan | Найдите, poverхnostnoe | Найдите, poverхnostnoe | 135ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2165ETI+ | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | 470 мг ~ 780 мг | 0,8 мм | Rohs3 | 2009 | /files/maximintegrated-max2165eti-datasheets-2362.pdf | 28-wfqfn otkrыtai-anploщaudka | 5 ММ | 5 ММ | 134ma | 28 | 28 | Ear99 | Не | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | DVB-T, H. | В дар | 2,75 Е 3,3 В. | Квадран | 260 | 0,5 мм | 28 | 3,3 В. | 2,75 В. | 30 | Drugeepeptrebyteleckee ics | 3В | Потретелельский | Найдите, poverхnostnoe | Найдите, poverхnostnoe | 109 май | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Max2160etl+ | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -40 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | Bicmos | 470 мг ~ 770 мг | 0,8 мм | Rohs3 | 2011 год | /files/maximintegrated-max2160etl-datasheets-2451.pdf | 40-wfqfn otkrыtai-anploщadka | 6 мм | 6 мм | 40 | 6 | в дар | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | Оло | Кпк, Портативна иауде/Виде, Смартфон | В дар | 2,7 В ~ 3,3 В. | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 0,5 мм | MAX2160 | 40 | 3,3 В. | 2,7 В. | 30 | Н.Квалиирована | S-PQCC-N40 | 3,8 ДБ | ВИДЕР | Найдите, poverхnostnoe | Найдите, poverхnostnoe | -98DBM | 44 май | В дар | |||||||||||||||||||||||||||||
| ATA8201-PXQW | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 2 (1 годы) | 85 ° С | -40 ° С | 315 мг | Rohs3 | 1997 | /files/microchiptechnology-ata8202pxqw19-datasheets-1881.pdf | 24-VQFN для | 24 | Rssi osnaщen | Amr, Ism, Beзopasnostath и Dostup | 2,7 -~ 3,3 -4,5 -5,5. | 24-VQFN (5x5) | -114 Дбм | Найдите, poverхnostnoe | Спротор, FSK | Найдите, poverхnostnoe | -114DBM | 20 кбит / с | 6,7 Ма | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4704-C40-GMR | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | 64 мг ~ 108 мгест | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4705c40gm-datasheets-2238.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 20 | Ear99 | 8542.39.00.01 | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 20 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Кв | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4705-C40-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 64 мг ~ 108 мгест | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4705c40gm-datasheets-2238.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 16.499422mg | 20 | Ear99 | 8542.39.00.01 | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 20 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Кв | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4731-C40-Gur | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | 520 кг ~ 1,71 мг. | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4731c40gm-datasheets-2183.pdf | 24-СССОП (0,154, Ирина 3,90 мм) | 24 | О том, как | В дар | 2В ~ 5,5 В. | Дон | Крхлоп | Nukahan | 24 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm, Rds | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4735-C40-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 153 кг ~ 279 кг 520 кг ~ 1,71 мг 2,3 мг ~ 26,1 мг 64 мг ~ 108 мг. | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4734c40gm-datasheets-2180.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 16.499422mg | Ear99 | 8542.39.00.01 | Rssi osnaщen | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | 20 | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, FM, SW-LW | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4311-B10-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Ezradio® | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -45 ° С | 315 мг 434 мг | 20 май | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4311b10gm-datasheets-2294.pdf | 20-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA | 3,6 В. | 50.008559mg | Не | ДОМАЯ АВТОРАТИЯ | 2,7 В ~ 3,6 В. | 20-qfn (3x3) | -104 Дбм | Найдите, poverхnostnoe | FSK | Найдите, poverхnostnoe | -104DBM | 10 кбит / с | 20 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4704-B20-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 64 мг ~ 108 мгест | 0,6 ММ | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4705b20gm-datasheets-2014.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 16.499422mg | 20 | 8542.39.00.01 | 1 | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | 3,3 В. | 0,5 мм | 20 | САДЕР | Н.Квалиирована | Найдите, poverхnostnoe | Кв | Найдите, poverхnostnoe | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4734-B20-GMR | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | 153 кг ~ 279 кг 520 кг ~ 1,71 мг. | 0,6 ММ | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4735b20gm-datasheets-2186.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 8542.39.00.01 | 1 | Rssi osnaщen | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 0,5 мм | 20 | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | Nukahan | Н.Квалиирована | S-XQCC-N20 | Найдите, poverхnostnoe | Am, FM, LW-SW, WB | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4734-C40-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 153 кг ~ 279 кг 520 кг ~ 1,71 мг 2,3 мг ~ 26,1 мг 64 мг ~ 108 мг. | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4734c40gm-datasheets-2180.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 16.499422mg | Ear99 | 8542.39.00.01 | Rssi osnaщen | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 20 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, FM, SW-LW | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4704-C40-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 64 мг ~ 108 мгест | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4705c40gm-datasheets-2238.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 6 | 16.499422mg | 20 | Ear99 | 8542.39.00.01 | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 20 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Кв | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4731-C40-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 520 кг ~ 1,71 мг. | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4731c40gm-datasheets-2183.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 20 | 16.499422mg | 20 | О том, как | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 20 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm, Rds | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4738-B20-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 76 мг ~ 108 мг 162,4 мг ~ 162,55 мгги | 0,6 ММ | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4738b20gm-datasheets-2251.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 23ma | 20 | 6 | 16.499422mg | Не | 8542.39.00.01 | 1 | Rssi osnaщen | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | 0,5 мм | 20 | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | S-XQCC-N20 | Найдите, poverхnostnoe | FM, WB | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4735-B20-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 153 кг ~ 279 кг 520 кг ~ 1,71 мг. | 0,6 ММ | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4735b20gm-datasheets-2186.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 16.499422mg | НЕТ SVHC | 20 | 8542.39.00.01 | 1 | Rssi osnaщen | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 0,5 мм | 20 | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | Nukahan | Н.Квалиирована | Найдите, poverхnostnoe | Am, FM, LW-SW, WB | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4730-C40-GU | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 520 кг ~ 1,71 мг. | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4731c40gm-datasheets-2183.pdf | 24-СССОП (0,154, Ирина 3,90 мм) | 24 | 143.221791mg | 24 | Ear99 | 8542.39.00.01 | О том, как | В дар | 2В ~ 5,5 В. | Дон | Крхлоп | Nukahan | 24 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4731-B20-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 520 кг ~ 1,71 мг. | 0,6 ММ | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4735b20gm-datasheets-2186.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 16.499422mg | 8542.39.00.01 | 1 | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 0,5 мм | 20 | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | Nukahan | Н.Квалиирована | S-XQCC-N20 | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm, Rds | Найдите, poverхnostnoe | 10 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4735-C40-GU | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 153 кг ~ 279 кг 520 кг ~ 1,71 мг 2,3 мг ~ 26,1 мг 64 мг ~ 108 мг. | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4734c40gm-datasheets-2180.pdf | 24-СССОП (0,154, Ирина 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 24 | 143.221791mg | Ear99 | 8542.39.00.01 | Rssi osnaщen | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Дон | Крхлоп | 24 | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, FM, SW-LW | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4731-C40-GU | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 520 кг ~ 1,71 мг. | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4731c40gm-datasheets-2183.pdf | 24-СССОП (0,154, Ирина 3,90 мм) | 24 | 143.221791mg | 24 | О том, как | 2В ~ 5,5 В. | Дон | Крхлоп | Nukahan | 24 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm, Rds | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4730-B20-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 520 кг ~ 1,71 мг. | 0,6 ММ | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4735b20gm-datasheets-2186.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 16.499422mg | 8542.39.00.01 | 1 | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 0,5 мм | 20 | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | Nukahan | Н.Квалиирована | S-XQCC-N20 | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm | Найдите, poverхnostnoe | 19.2ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4736-B20-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 520 кг ~ 1,71 мг 162,4 мг ~ 162,55 мг. | 0,6 ММ | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4736b20gm-datasheets-2210.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 23ma | 20 | 6 | 16.499422mg | Не | 8542.39.00.01 | 1 | Rssi osnaщen | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | 0,5 мм | 20 | ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА | S-XQCC-N20 | Найдите, poverхnostnoe | Am, FM, LW-SW, WB | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATR2740M1-RQHH | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | 24.576 Mmgц | Rohs3 | 1997 | /files/microchiptechnology-atr2740m1rqhhhhhhdasheets-2262.pdf | 128-LQFP | Spi цiprowoй yanterfeйs | Вес, Коэнсоли, Приэмникки | 1,65 ЕГО ~ 1,95 | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm | Найдите, poverхnostnoe | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA8203P3-TKQY | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -40 ° С | 315 мг | Rohs3 | 1997 | /files/microchiptechnology-ata8203p3tkqy-datasheets-2213.pdf | 20-lssop (0,173, Ирина 4,40 мм) | 20 | Rssi osnaщen | О том, как | 4,5 n 5,5. | 20-SSO | -113 Дбм | Найдите, poverхnostnoe | Спротор, FSK | Найдите, poverхnostnoe | -113dbm | 10 кбит / с | 8,5 мая | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4734-C40-Gur | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | 153 кг ~ 279 кг 520 кг ~ 1,71 мг 2,3 мг ~ 26,1 мг 64 мг ~ 108 мг. | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4734c40gm-datasheets-2180.pdf | 24-СССОП (0,154, Ирина 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 24 | Rssi osnaщen | О том, как | В дар | 2В ~ 5,5 В. | Дон | Крхлоп | Nukahan | 24 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, FM, SW-LW | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| E-TDA7514TR | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 1,6 ММ | Rohs3 | /files/stmicroelectronics-etda7514tr-datasheets-2219.pdf | 80-LQFP | 14 ММ | 14 ММ | 80 | 80 | в дар | Ear99 | Не | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Верно | В дар | Квадран | Крхлоп | 250 | 0,65 мм | TDA7514 | 80 | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm | Найдите, poverхnostnoe | 80 май | 65 ДБ | 0,02% | 243 м | Am/fm | 370 м | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Max2390eti+t | МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 1,93 ~ 1,99 -е | Rohs3 | 2006 | /files/maximintegrated-max2390eti-datasheets-1909.pdf | 28-wfqfn otkrыtai-anploщaudka | в дар | 8542.39.00.01 | Cellular, WCDMA | 2,7 В ~ 3,3 В. | Nukahan | САДЕР | Nukahan | Найдите, poverхnostnoe | Найдите, poverхnostnoe | 32 май | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| E-TDA7512FTR | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | Rohs3 | /files/stmicroelectronics-etda7512f-datasheets-2150.pdf | 64-LQFP | 64 | 64 | в дар | Ear99 | Не | 8542.39.00.01 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Верно | В дар | 7,5 В ~ 10. | Квадран | Крхлоп | 250 | TDA7512 | 64 | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm | Найдите, poverхnostnoe | 70 май | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4730-C40-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -20 ° C ~ 85 ° C. | Поджос | 3 (168 чASOW) | 520 кг ~ 1,71 мг. | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si4731c40gm-datasheets-2183.pdf | 20-ufqfn oTkrыTAIN-a-ploщadca | 3 ММ | 3 ММ | 20 | 16.499422mg | Ear99 | 8542.39.00.01 | О том, как | В дар | 2,7 В ~ 5,5 В. | Квадран | NeT -lederStva | Nukahan | 20 | Nukahan | Н.Квалиирована | Аудио -чип -Перник | Найдите, poverхnostnoe | Am, Fm | Найдите, poverхnostnoe | 19,9 мая | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HSP50110JI-52Z | Renesas Electronics America | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 2а (4 nedeli) | Rohs3 | /files/renesaselectronicsamericainc-hsp50110jc52z-datasheets-1975.pdf | 84-LCC (J-Lead) | Спютвико | 4,75 -5,25. | 84-PLCC (29,31x29,31) | Найдите, poverхnostnoe | Bpsk, qpsk | Найдите, poverхnostnoe |
