| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Глубина | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Количество приемников | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Строительство | Входная мощность-Макс. (ПК) | Характеристический импеданс | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Количество передатчиков | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | Количество вариантов UART |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| АТА5824-PLQW 80 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 434 МГц 868 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata5823plqw-datasheets-1866.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 2,15–3,6 В 4,4–5,25 В | -116 дБм | 20 кбит/с | 10,3 мА~10,5 мА | 6,5 мА~17,3 мА | 10 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1025-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 13 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSR8510A06-ICXR-Р | Квалкомм | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | 6-XFBGA | -91 дБм | Bluetooth | Bluetooth v4.0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN250QT | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-sn250qt-datasheets-7234.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 3,3 В | Без свинца | 48 | 48 | I2C, SPI, УАРТ | 1 мм | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,1 В~3,6 В | КВАД | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | СН250 | 48 | -98 дБм | 12 Мбит/с | 27 мА~35,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 5 КБ SRAM | 19,5 мА~35,5 мА | 5 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ | О-QPSK | Зигби® | 17 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1000-ESA2-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 2 (1 год) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-WFQFN Открытая колодка | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 85 мА | 20 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 22 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1023-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 85 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 20 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1035-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 13 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1037-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 13 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS3940-BQFT-5K | утра | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 32-VFQFN Открытая колодка | 32 | 2,2 В~3,6 В | -100 дБм | 2 Мбит/с | 20,9 мА | 21,5 мА | 1,5 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | СОИ | ФСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATA5830N-PNQW | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 105°С | -40°С | 315 МГц 434 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-ata5830npnqw-datasheets-8948.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5,5 В | 4,5 В | СПИ | 1,9 В~3,6 В | 32-ВКФН (5х5) | -121 дБм | -121 дБм | 80 кбит/с | 9,3 мА | 6 КБ флэш-памяти 512 байт EEPROM 24 КБ ПЗУ 768 байт SRAM | 9,1 мА~13,8 мА | 14,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | СПРОСИТЕ, ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1031-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 6 недель | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 20 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADR7023-JBCPZ-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 902 МГц~958 МГц | Соответствует ROHS3 | 32-WFQFN Открытая колодка, CSP | 2,2 В~3,6 В | 32-LFCSP-WQ (5x5) | -116 дБм | -116 дБм | 300 кбит/с | 12,8 мА | 32,1 мА | 13,5 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ86РФ212-ЗУР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | 769–935 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-at86rf212zu-datasheets-5659.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 25 мА | 3,6 В | 1,7 В | 32 | СПИ | 1 | 3В | 1,8 В~3,6 В | 32-КФН (5х5) | -110 дБм | -110 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА~9,2 мА | 128Б СОЗУ | 13 мА~25 мА | 10 дБм | 1 | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | СПИ | ДССС, БПСК, О-QPSK | 6LoWPAN, Zigbee® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗИК2410ФГ72Р | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/cel-zic2410qn48-datasheets-7938.pdf | 72-ВФБГА | 72 | СПИ, УАРТ | Нет | 1,35 В~3,3 В | -98 дБм | 1 Мбит/с | 4,6 мА | 96 КБ флэш-памяти 1 КБ ПЗУ 8 КБ ОЗУ | 32,7 мА~45,1 мА | 8 дБм | 802.15.4 | И2С, СПИ, УАРТ | О-QPSK | Зигби® | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XR18W753IL48-Ф | МаксЛинейар, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 868 МГц~956 МГц | /files/maxlinearinc-xr18w753il48trf-datasheets-4459.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 2,2 В~3,6 В | -94 дБм | 250 кбит/с | 19 мА | 22 мА | 0 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C | О-QPSK | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC110LRTKT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | 300–348 МГц 387–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 850 мкм | 4,1 мм | Без свинца | 4 мм | 20 | Нет СВХК | 20 | 1 | да | Золото | 1 | е4 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | СС110 | 20 | НЕ УКАЗАН | -116 дБм | 600 кбит/с | 14,3 мА~17,1 мА | 12,3 мА~34,2 мА | 12 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, МСК, ООК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЗИК2410ФГ72Т | CEL (Калифорнийские восточные лаборатории) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/cel-zic2410qn48-datasheets-7938.pdf | 72-ВФБГА | 72 | СПИ, УАРТ | Нет | 1,35 В~3,3 В | -98 дБм | 1 Мбит/с | 4,6 мА | 96 КБ флэш-памяти 1 КБ ПЗУ 8 КБ ОЗУ | 32,7 мА~45,1 мА | 8 дБм | 802.15.4 | И2С, СПИ, УАРТ | О-QPSK | Зигби® | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1180RSPR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | КМОП | 315 МГц 433 МГц 868 МГц 915 МГц | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1180rspt-datasheets-8725.pdf | 36-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 6 мм | Без свинца | 300нА | 36 | 36 | да | Золото | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | 2В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | СС1180 | 36 | НЕ УКАЗАН | -112 дБм | 200 кбит/с | 16,2 мА | 32 КБ флэш-памяти | 10 дБм | 802.15.4 | УАРТ | 6LoWPAN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JN5142N/001,515 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 40-VFQFN Открытая колодка | 2В~3,6В | -95 дБм | 16,5 мА | 128 КБ ПЗУ 32 КБ ОЗУ | 15 мА | 2,5 дБм | 802.15.4 | Зигби® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1036-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 13 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1034-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 13 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1022-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 20 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX2839ETN+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | 2,3 ГГц~2,7 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max2839etnt-datasheets-8625.pdf | 56-WFQFN Открытая колодка | 3,6 В | 56 | да | НИЗКИЙ ШУМ | 2,7 В~3,6 В | КОМПОНЕНТ | 15 дБм | 50Ом | 76 мА~117 мА | 116 мА~140 мА | 0 дБм | Сотовая связь | СПИ | 16КАМ, 64КАМ | WiMAX | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC430F6126IRGCT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 300–348 МГц 389–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc430f6126irgc-datasheets-8587.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | Без свинца | 64 | 64 | I2C, SPI, УАРТ | 256 КБ | Нет | 1 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 2,2 В | 0,5 мм | СС430F6126 | 64 | -117 дБм | 500 кбод | 15 мА~18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 2 КБ SRAM | 15 мА~36 мА | РИСЦ | 2 КБ | 16б | 13 дБм | Да | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, ИК-порт, JTAG, SPI, UART | 2ФСК, 2ГФСК, АСК, МСК, ООК | 44 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1033-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 6 недель | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 4,4 КБ ОЗУ | 85 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 20 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1021-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | 8 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 20 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYRF69313-40LFXC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПРОК® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyrf6931340ltxc-datasheets-1983.pdf | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 40 | Нет СВХК | 40 | SPI, USB | 5А991.Б.1 | Нет | 8542.39.00.01 | 4 В~5,25 В | КВАД | 3В | 0,5 мм | 40 | Другие микропроцессорные ИС | 3,35 В | -90 дБм | 1,5 Мбит/с | 20,2 мА~23,4 мА | 8 КБ флэш-памяти 256 байт SRAM | 22,4 мА~27,7 мА | 20 | М8С | 256Б | 8б | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | SPI, USB | ДССС, ГФСК | 14 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC57G687C-ANN-E4 | Квалкомм | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | BlueCore® | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 105-ЛФБГА | Без свинца | 105 | 2,7 В~4,4 В | -90 дБм | 48 КБ ОЗУ | 7 дБм | Bluetooth | Bluetooth v2.1 +EDR, класс 2 и 3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1032-A-GM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1026bgmr-datasheets-9705.pdf | 85-ВФЛГА Открытая площадка | 8 мм | 3,3 В | 85 | 6 недель | 85 | I2C, SMBus, SPI, UART | 3А991.А.2 | Нет | ДА | 1,8 В~3,8 В | НИЖНИЙ | ПОПКА | 3,3 В | 0,5 мм | 85 | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 8,5 КБ ОЗУ | 85 мА | 53 | ВСПЫШКА | 8051 | 8,3 КБ | 8б | 25 МГц | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 20 дБм Макс. | Да | 4 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1180RSPT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 315 МГц 433 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc1180rspt-datasheets-8725.pdf | 36-VFQFN Открытая колодка | 6,1 мм | 860 мкм | 6,1 мм | Без свинца | 300нА | 36 | 36 | да | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС1180 | 36 | -112 дБм | 200 кбит/с | 16,2 мА | 32 КБ флэш-памяти | 10 дБм | 802.15.4 | УАРТ | 6LoWPAN |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.