Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Тип телекоммуникационных микросхем | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Уровень скрининга | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ATMEGA128RFR2-ZF | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-atmega256rfr2zu-datasheets-1023.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 64 | 8 недель | 64 | 2-проводной, I2C, SPI, USART | да | Олово | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АТМЕГА128РФР2 | Микроконтроллеры | 2/3,3 В | Не квалифицирован | -100 дБм | 2 Мбит/с | 5 мА~12,5 мА | 128 КБ флэш-памяти 4 КБ EEPROM 16 КБ SRAM | 8 мА~14,5 мА | ВСПЫШКА | АВР | 16 КБ | 8б | 8 | 3,5 дБм | Да | 6 | 38 | 802.15.4 | I2C, JTAG, SPI, USART | ДССС, О-QPSK | Зигби® | 35 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф256Р68Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР34J17B-I/7JX | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 137–175 МГц 410–525 МГц 862–1,02 ГГц | /files/microchiptechnology-atsamr34j18bi7jx-datasheets-0777.pdf | 64-ТФБГА | 6 мм | 6 мм | 64 | 6 недель | совместимый | ДА | 1,8 В~3,63 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 0,65 мм | С-ПБГА-Б64 | ТС 16949 | -148 дБм | 14,8 мА~15,8 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 32,5 мА~94,5 мА | 27 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 20 дБм | 8 | 802.15.4 | I2S, SPI, USART, USB | ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЛоРа™ | 27 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ21А020Ф512ИМ32-Б | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32mg21a020f1024im32b-datasheets-0241.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф128Р69Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG14P231F128GM48-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф256Р60Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~22 мА | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG13P231F512GM32-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg13p231f512gm48c-datasheets-9761.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -102,7 дБм | 1 Мбит/с | 9,5 мА~10,2 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 19 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, ИК-порт, SPI, UART, USART | 2ГФСК, 4ГФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГМСК, ООК, ОКФСК | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1004-E-GM2R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 620 кГц | 3,6 В | 900 мВ | 42 | I2C, SPI, УАРТ | 25 МГц | 1,8 В~3,6 В | 42-ЛГА (5х7) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 13 дБм | Да | 4 | 19 | 19 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 19 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NRF24LE1-O17Q48-R7 | Северные полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,95 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/nordicsemiconductorasa-nrf24le1o17q32s-datasheets-5816.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 3,6 В | 48 | 20 недель | I2C, SPI, УАРТ | 8542.31.00.01 | ДА | 1,9 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N48 | -94 дБм | 2 Мбит/с | 12,4 мА~13,3 мА | 16 КБ OTP 1 КБ SRAM | 6,8 мА~11,1 мА | 0 дБм | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1002-E-GM2R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 3,6 В | 900 мВ | 42 | I2C, SMBus, SPI, UART | Нет | 25 МГц | 1,8 В~3,6 В | 42-ЛГА (5х7) | -121 дБм | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 64 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 13 дБм | Да | 4 | 22 | 22 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 22 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р60Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~22 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф128Р63Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 44,5 мА~88 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD3502A-CNE3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 0,9 мм | Соответствует RoHS | 7 мм | 7 мм | 48 | 10 недель | ДА | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 2,5 В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 90°С | -40°С | 3,6 В | 2,3 В | S-XQCC-N48 | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG12P332F1024GM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32bg12p432f1024gm48c-datasheets-0020.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | -95 дБм | 1024 КБ флэш-памяти 256 КБ ОЗУ | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth версия 5.0 | 31 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф128Р68Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 44,5 мА~88 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ230Ф256Р60Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg230f256r60gb0-datasheets-1863.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -129 дБм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф256Р68Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1003-E-GM2R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 620 кГц | 10 недель | 42 | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 17 мА~30 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 13 дБм | Да | 4 | 22 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П231Ф128ГМ32-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -126,2 дБм | 1 Мбит/с | 8,4 мА~10,2 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,5 мА~35,3 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG1P232F256GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32WB55RGV7 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | 2402 ГГц~2,48 ГГц | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stm32wb55ccu6-datasheets-8299.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 68 | 10 недель | совместимый | ДА | 1,71 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 2 Мбит/с | 4,5 мА~7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM | 5,2 мА~12,7 мА | 49 | 64 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 6 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, UART, USART, USB | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 49 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф128Р69Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф128Р61Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 16 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG1P333F256IM48-C0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | совместимый | 1,8 В~3,8 В | 2 Мбит/с | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 20 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth v4.0 | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32БГ13П632Ф512ИМ32-Д | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | 2 (1 год) | 2,4 ГГц~2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 10 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth версия 5.0 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1001-E-GM2R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 240–960 МГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1002egm2-datasheets-0652.pdf | 42-ВФЛГА Открытая площадка | 620 кГц | 42 | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -121 дБм | 256 кбит/с | 18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 4,35 КБ ОЗУ | 85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4,3 КБ | 8б | 20 дБм | Да | 4 | 22 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ФСК, ГФСК, ООК | ЭЗРадиоПро | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф256Р67Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -133 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~22 мА | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ14П232Ф128ГМ32-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | /files/siliconlabs-efr32fg14p231f128gm32b-datasheets-3646.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2430F32RTCR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc2430zf128rtcr-datasheets-9555.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 900 мкм | 7 мм | Без свинца | 48 | 90,009736мг | Нет СВХК | 48 | 2-проводной, SPI, UART, USART | NRND (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2430 | 48 | -92 дБм | 250 кбит/с | 26,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 8 КБ | 26,9 мА | 8 | 21 | ВСПЫШКА | 8051 | 8 КБ | 8б | 0 дБм | 4 | 802.15.4 | СПИ, ЮСАРТ | ДССС, О-QPSK | Зигби® |
