Аналоговые оптические датчики – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Прекращение действия Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Пакет/ключи Метод измерения Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Материал Срок выполнения заказа на заводе Масса Рейтинги ДОСТИГНУТЬ СВХК Максимальное напряжение питания Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Контактное покрытие Материал корпуса Радиационная закалка Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Напряжение Максимальная рассеиваемая мощность Напряжение питания-Макс (Vsup) Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Подкатегория Максимальный переход температуры (Tj) Диапазон температуры окружающей среды: высокий Максимальный выходной ток Выходное напряжение Выходной ток Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Максимальный ток во включенном состоянии Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Высота тела Длина или диаметр тела Ширина тела Тип завершения Расстояние внедрения Диапазон измерения-Макс. Диапазон измерения-мин. Тип датчиков/преобразователей Выходной диапазон Размер зазора Обратное напряжение проба Максимальное напряжение проба Обратное напряжение Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Выходной ток-Макс. Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Текущий коэффициент передачи Длина волны Пиковая длина волны Темный ток Темный ток-Макс. Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) Ток-Коллектор (Ic) (Макс) VCEsat-Макс
ITR9904 ITR9904 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2007 год /files/everlightelectronicscoltd-itr9904-datasheets-5639.pdf 4-ДИП (0,100, 2,54 мм) Светоотражающий 15 недель да 8541.40.80.00 НЕ УКАЗАН 15 мкс, 15 мкс 1 Другая оптоэлектроника 20 мА 1,2 В Фототранзистор Транзисторный выход оптопара 0,0012А 15 мкс 15 мкс ОДИНОКИЙ 3 мм 7,5 мм 30 В 30 В 20 мА 50 мА 940 нм 100нА
TCRT1010 TCRT1010 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие, под углом -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2011 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcrt1000-datasheets-5100.pdf 32В Монтаж на печатной плате Светоотражающий 7 мм 50 мА 4 мм 2,5 мм Без свинца 32 недели Нет СВХК 4 Серебро, Олово Нет е4 Серебро (Ag) 2 200мВт 1 Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики 32В 100 мА 50 мА 1,25 В Фототранзистор 0,157 (4 мм) 32В 32В 50 мА 950 нм 0,3 В
OPB732WZ ОПБ732WZ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на корпус, панель, винт Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Свинцовый провод 85°С -40°С Соответствует RoHS 2016 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb732-datasheets-5208.pdf Модуль предварительно смонтированный Светоотражающий 20 мА Без свинца 8 недель Нет СВХК 4 Нет 1 100мВт 1 30 В 50 мА 1,8 В Фототранзистор 3 (76,2 мм) 30 В 30 В 30 В 50 мА 50 мА 850 нм 850 нм 30 В 50 мА
OPB606A ОПБ606А ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Припой 85°С -40°С Соответствует RoHS 1997 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb607a-datasheets-5398.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 20 мА 4,7 мм 6,1 мм Без свинца Пластик 8 недель Нет СВХК 4 Пластик Нет 75мВт 1 30 В 50 мА 1,7 В Фототранзистор 0,050 (1,27 мм) 30 В 30 В 500 мкА 50 мА 935 нм 935 нм 100нА 30 В 25 мА
ITR20501 ITR20501 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2006 г. Радиальный – 4 отведения Светоотражающий 15 недель 4 Нет 15 мкс, 15 мкс 20 мА Фототранзистор 15 мкс 15 мкс 30 В 30 В 20 мА 50 мА 940 нм
OPB739RWZ ОПБ739RWZ ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси Крепление на шасси -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2011 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb739rwz-datasheets-5448.pdf Модуль, выводы проводов Светоотражающий 10 недель 0,3 мс 40 мА Фототранзистор 300 мкс 300 мкс 0,015–0,045 (0,38–1,14 мм) РЕГУЛИРОВКА 30 В 30 В 250 мкА 650 нм
OPB750N ОПБ750Н ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2008 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb755tz-datasheets-5310.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 40 мА 1,8 В 8 недель Нет СВХК 4 Нет 1 100мВт 1 24В 50 мА 1,8 В Фототранзистор 0,220 (5,59 мм) 24В 24В 24В 30 мА 50 мА 890 нм 24В 30 мА
MTRS6660DSM MTRS6660DSM Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -20°К~80°К 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtrs6660dsm-datasheets-5468.pdf 4-СМД, без свинца Светоотражающий 12 недель Фотодиод 0,059 (1,5 мм) 400 мА
MTRS6014C MTRS6014C Марктех Оптоэлектроника $35,88
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -20°К~80°К 5А (24 часа) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtrs6014c-datasheets-5470.pdf 4-СМД, без свинца Светоотражающий 6 недель Фотодиод 0,020–0,059 (0,50–1,50 мм) 40 мА
RPR-220PC30N РПР-220ПК30Н РОМ Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Сквозное отверстие Соответствует ROHS3 2010 год 4-DIP-модуль Светоотражающий 6,4 мм 6,5 мм 4,9 мм Без свинца 4 Медь, Серебро, Олово Нет 80мВт 3,8 В 1 100мВт Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики 20 мА 3,5 В Фототранзистор 10 мкс 10 мкс 0,236 (6 мм) ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 0,08-0,80 мА 30 В 0,8 мА 30 В 30 мА 470 нм 0,3 В
OPB608A ОПБ608А ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Проволока 85°С -40°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb608v-datasheets-5063.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 20 мА 1,7 В Без свинца 8 недель Нет СВХК 4 Пластик Нет 1 100мВт 1 30 В 50 мА 1,7 В Фототранзистор 20 мА 0,050 (1,27 мм) 30 В 30 В 30 В 25 мА 50 мА 890 нм 30 В 25 мА
MTRS0012C MTRS0012C Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -20°К~80°К 5А (24 часа) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtrs0012c-datasheets-5487.pdf 4-СМД, без свинца Светоотражающий 6 недель Фотодиод 0,020–0,059 (0,50–1,50 мм) 40 мА
OPB608B ОПБ608Б ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2001 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb608v-datasheets-5063.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 8 недель Фототранзистор 0,050 (1,27 мм) 50 мА 30 В 25 мА
MTRS5116C MTRS5116C Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -20°К~80°К 5А (24 часа) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtrs5116c-datasheets-5503.pdf 4-СМД, без свинца Светоотражающий 6 недель Фотодиод 0,020–0,059 (0,50–1,50 мм) 40 мА
MTRS9520DSM MTRS9520DSM Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -20°К~80°К 1 (без блокировки) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtrs9520dsm-datasheets-5505.pdf 4-СМД, без свинца Светоотражающий 12 недель Фотодиод 0,059 (1,5 мм) 100 мА
OPB607A ОПБ607А ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb607a-datasheets-5398.pdf 15 В Монтаж на печатной плате Светоотражающий 20 мА 1,7 В 12 недель Нет СВХК 4 1 75мВт 1 15 В 50 мА 1,7 В Фотодарлингтон 0,050 (1,27 мм) 15 В 15 В 15 В 125 мА 50 мА 935 нм 15 В 125 мА
CNY70 70 юаней Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) Припой 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2001 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-cny70-datasheets-5507.pdf 32В Монтаж на печатной плате Светоотражающий 7 мм 50 мА 6 мм 7 мм Без свинца 7 недель Неизвестный 4 Нет 200мВт 1 200мВт 1 100°С 85°С 50 мА 32В 50 мА 1,25 В Фототранзистор 0,197 (5 мм) 32В 32В 50 мА 50 мА 5 % 940 нм 32В 50 мА
OPB740 ОПБ740 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS 2011 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opb745-datasheets-5011.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 1,7 В 12 недель 4 НПН 100мВт 1 20 мА 1,8 В Фототранзистор 0,150 (3,81 мм) 30 В 30 В 30 В 40 мА 890 нм 30 В
HSDL-9100-024 ХСДЛ-9100-024 Бродком
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2009 год 4-СМД Светоотражающий 7,1 мм 2,4 мм 2,75 мм 1,5 В 16 недель 1,65 В 4 EAR99 Нет 6 мкс, 6 мкс Фотодиод 50 нс 50 нс 2,35 мм ПРИПАЙКА 0,197 (5 мм) 60 мм ДАТЧИК БЛИЗОСТИ,ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ 0,01 мА 100 мА
QRE1113 QRE1113 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2013 год /files/onsemiconductor-qre1113gr-datasheets-4881.pdf 4-ДИП (0,157, 4,00 мм) Светоотражающий 3,6 мм 50 мА 1,7 мм 2,9 мм Без свинца 14 недель 62мг Нет СВХК 4 АКТИВНО (последнее обновление: 5 часов назад) да EAR99 Олово 1 75мВт 20 мкс, 20 мкс 1 Датчики положения, линейные, фотоэлектрические датчики 30 В 50 мА 1,2 В Фототранзистор 20 мкс 20 мкс 2,7 мм ПРИПАЙКА 0,197 (5 мм) ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 30 В 30 В 20 мА 940 нм 0,3 В
OPB706A ОПБ706А ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Припой 85°С -40°С Соответствует RoHS 2006 г. /files/ttelectronicsoptektechnology-opb706a-datasheets-5522.pdf 30 В 4-DIP-модуль Светоотражающий 20 мА 4,7 мм 6,1 мм Без свинца Пластик 8 недель Нет СВХК 4 Пластик Нет 75мВт 1 24В 20 мА 1,7 В Фототранзистор 0,050 (1,27 мм) 24В 30 В 25 мА 50 мА 935 нм 935 нм 24В 25 мА
EE-SY113 EE-SY113 Omron Electronics Inc., подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~80°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2003 г. /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy113-datasheets-5426.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 30 мА 15,2 мм Без свинца 10 недель Неизвестный 4 да 100мВт 30 мкс, 30 мкс 1 30 В 50 мА 1,2 В Фототранзистор 30 мкс 30 мкс 6 мм 6,2 мм ПРИПАЙКА 0,173 (4,4 мм) ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 30 В 30 В 20 мА 940 нм
EAITRCA6 EAITRCA6 Эверлайт Электроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -25°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2014 год /files/everlightelectronicscoltd-eaitrca6-datasheets-5530.pdf 4-СМД Светоотражающий 15 недель 8541.40.80.00 1 80 мкс, 70 мкс Фототранзистор ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО ОДИНОКИЙ 50 мА 35В 20 мА
MTRS4010C MTRS4010C Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -20°К~80°К 5А (24 часа) Соответствует RoHS /files/marktechoptoelectronics-mtrs4010c-datasheets-5438.pdf 4-СМД, без свинца Светоотражающий 6 недель Фотодиод 0,020–0,059 (0,50–1,50 мм) 40 мА
PC50CNP06RP PC50CNP06RP Карло Гавацци Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси -20°К~60°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2013 год /files/carlogavazziinc-pc50cnp06rp-datasheets-5440.pdf Модуль, выводы проводов Светоотражающий 10 недель 25 мс 236,2 (6м)
KU163C-TR КУ163С-ТР Стэнли Электрик
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) /files/stanleyelectricco-ku163ctr-datasheets-5328.pdf 4-СМД, без свинца Светоотражающий 10 мкс Фототранзистор 0,039 (1 мм) 20 В 20 мА
PC50CNR10RP PC50CNR10RP Карло Гавацци Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси -20°К~60°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2007 год /files/carlogavazziinc-pc50cnr10rp-datasheets-5330.pdf Модуль, выводы проводов Светоотражающий 10 недель 25 мс 393 701 (10 м)
OPR5005 ОПР5005 ТТ Электроникс/Оптек Технология
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~125°К Масса 4 (72 часа) 125°С -55°С Соответствует RoHS 2007 год /files/ttelectronicsoptektechnology-opr5005tr-datasheets-5323.pdf 4-СМД, без свинца Светоотражающий 20 мА 12 недель Нет СВХК 4 Нет 75мВт 1 30 В 50 мА 1,7 В Фототранзистор 0,050 (1,27 мм) 30 В 30 В 30 В 25 мА 50 мА 890 нм 30 В 25 мА
PMP12RI PMP12RI Карло Гавацци Инк.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Крепление на шасси -25°К~55°К Масса Непригодный Соответствует RoHS 2011 год /files/carlogavazziinc-pmp12ri-datasheets-5339.pdf Модуль, выводы проводов Светоотражающий 5 недель IP67 ПК 20 мс, 30 мс 472,4 (12 м) 39,4 '
EE-SY110 EE-SY110 Omron Electronics Inc., подразделение EMC
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 1999 год /files/omronelectronicsincemcdiv-eesy110-datasheets-5358.pdf Монтаж на печатной плате Светоотражающий 50 мА Без свинца 9 недель Неизвестный 4 да 1,5 В 30 мкс, 30 мкс 30 мА 1,2 В Фототранзистор 30 мкс 30 мкс 12 мм ПРИПАЙКА 0,197 (5 мм) 5 мм 5 мм ДАТЧИК ЛИНЕЙНОГО ПОЛОЖЕНИЯ, ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ, ДИФФУЗНЫЙ 0,20–2 мА 30 В 30 В 20 мА 940 нм 20 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.