Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактДатжикивнаносовая (400)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | Весели | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Метод | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | DOSTIчH SVHC | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | СОПРОТИВЛЕЙН | Колист | Свины | Имен | Статус жIзnennogogo цikla | PBFREE CODE | Толсина | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗНАЯ | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Колист | Н. | Терпимость | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Napraheneee - posta | Терминала | Терминаланая | Надо | Терминал | Я | Поседл | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Колист. Каналов | Аналогово | ТОГАНА | Вернее | Подкейгория | Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй | КОД JESD-30 | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Резер | Колист | Втипа | Кранировани | Весата | Делина | ШIRINATA | ТИП | Hylhe | ДАТИСИКИ/ПРЕОБЕРА | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK-MAKS | ИНДУКИНЕПА | ИНДУКИНЕСА - СЕРИНА | Колист | Wshod | ТИП ДАТГИКА | Диапа | СОПРОТИВЛЕЙНЕЕ DC (DCR) - СЕРИН |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HIH-5031-001 | Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | SMD/SMT | 200 мк | ROHS COMPRINT | 2009 | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hih5030001-datasheets-0590.pdf | Резу | EmcoStnый | 8,59 мм | 2,67 мм | 4,17 мм | 3,3 В. | 4 | 5 nedely | НЕИ | 3 | Ear99 | Не | 5,5 В. | 2,7 В. | 9025.80.10.00 | 1 | 500 мк | 2,7 В ~ 5,5 В. | Дон | Крхлоп | 3,3 В. | 1,27 ММ | 4 | DATSHIKTEMPERATURы | ± 3% RH | 5 с | R-PDSO-G4 | Аналогово | 1,5 Е @ 50%RH | Влагност | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| T9602-3-D-1 | Amfenol produynuetыege | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Polhe-swelesh | -20 ° C ~ 70 ° C. | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 70 ° С | -20 ° С | ROHS COMPRINT | 2018 | /files/amphenoladvancedsensess-t96025a-datasheets-0985.pdf | Модул | СОУДНО ПРИОН | 3 nede | НЕИ | 3В | 3,3 В. | ± 2% RH | 29 -Год | I2c | 14b | Влайна, темперратара | 0 ~ 95% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2D33S-SIP | Amfenol produynuetыege | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Chipcap2 ™ | Чereз dыru | Чereз dыru | -40 ° C ~ 125 ° C. | МАССА | 3 (168 чASOW) | 125 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | /files/amphenoladvancedsensesress-cc2d25sip-datasheets-1100.pdf | 4-sip-modooly | 9 nedely | 3,3 В. | -300 мВ | 4 | 3,3 В. | ± 3% RH | 7S | 4-sip | I2c | 14b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SEN-10167 | Sparkfun Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | -40 ° C ~ 80 ° C. | МАССА | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2011 год | /files/sparkfunelectronics-sen10167-datasheets-2113.pdf | Резу | 2 nede | 3,3 В ~ 6. | ± 2% RH | Цyfrovoй | 8B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HIH8131-021-001S | Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Humidicon ™, HIH-8000 | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 650 мка | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hih8120021001-datasheets-1679.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 4,9 мм | 1 905 ММ | 3,9 мм | 3,3 В. | 10 nedely | 8 | I2c, Серриал | 5,5 В. | 2,3 В. | НЕИ | 650 мка | 2,3 В ~ 5,5 В. | ± 2% RH | 6 с | 1,75 б | I2c | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 14b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HIH-4010-004 | Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | HIH-4010 | Чereз dыru | Чereз dыru | -40 ° C ~ 85 ° C. | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -40 ° С | 200 мк | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hih4020001-datasheets-1327.pdf | Резу | 5в | 21 шт | НЕТ SVHC | 5,8 В. | 4 | 3 | 1,27 ММ | 5,8 В. | 4 | 500 мк | 4 В ~ 5,8 В. | ± 3,5% RH | 5 с | Аналогово | 3268 Е @ 75,3%RH | Влагност | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7006-A20-IM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Полески | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/siliconlabs-si7006a20imr-datasheets-1184.pdf | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | 3 ММ | 800 мкм | 3 ММ | 8 | НЕИ | 6 | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 5% RH | 18 с | 125 ° С | 14 | I2c | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HIH7131-000-001 | Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Humidicon ™, HIH-7000 | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 100 ° C. | Веса | 1 (neograniчennnый) | 750 мка | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hih7130000001-datasheets-0911.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | EmcoStnый | 4,9 мм | 1 905 ММ | 3,9 мм | 3,3 В. | 8 | 14 | НЕТ SVHC | 8 | Spi, sererial | Не | 5,5 В. | 2,3 В. | 1 | 650 мка | 2,3 В ~ 5,5 В. | Дон | Крхлоп | 3,3 В. | 1,27 ММ | Аналеоз | ± 3% RH | 6 с | 1,75 б | SPI | 14b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HIH6130-000-001 | Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Humidicon ™, HIH-6100 | Пефер | Пефер | -25 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -25 ° С | 650 мка | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hih6130021001-datasheets-0412.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 4,9 мм | 1 905 ММ | 3,9 мм | 3,3 В. | 17 | 5,5 В. | 2,3 В. | 8 | I2c, spi, serial | 5,5 В. | 2,3 В. | 650 мка | 2,3 В ~ 5,5 В. | ± 4% RH | 6 с | 8 лейт | 1,75 б | SPI | 14b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HIH-4021-003 | Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | HIH-4021 | Чereз dыru | Чereз dыru | -40 ° C ~ 85 ° C. | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hih4020001-datasheets-1327.pdf | Резу | 4,17 мм | 8,59 мм | 2,67 мм | 5в | 10 nedely | НЕТ SVHC | 5,8 В. | 4 | 3 | 2,54 мм | Не | 500 мк | 4 В ~ 5,8 В. | ± 3,5% RH | 5 с | Аналогово | 3268 Е @ 75,3%RH | Влагност | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2D23-SIP | Amfenol produynuetыege | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Chipcap2 ™ | Чereз dыru | Чereз dыru | -40 ° C ~ 125 ° C. | Поднос | 3 (168 чASOW) | ROHS COMPRINT | /files/amphenoladvancedsensesress-cc2d25sip-datasheets-1100.pdf | 4-sip-modooly | 10 nedely | 4 | НЕИ | 3,3 В. | Аналеоз | ± 2% RH | 7S | I2c | 14b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7021-A20-GM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Полески | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/siliconlabs-si7021a20gm1r-datasheets-0339.pdf | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | 5 207 мм | 24892 ММ | 5 207 мм | 8 | НЕИ | 1 О | 6 | 20% | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 3% RH | 18 с | 14 | I2c | Кранированан | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 98,57 мкм | 394,3 мкл | 2 | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | 4,02 ОМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SHT75 | Sensirion | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | Чereз dыru | -40 ° C ~ 125 ° C. | Полески | 1 (neograniчennnый) | 125 ° С | -40 ° С | 1MA | Rohs3 | 2007 | /files/sensirionag-ht75-datasheets-2351.pdf | 4-sip-modooly | EmcoStnый | 5,08 мм | 13,5 мм | 3,1 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 8 | НЕТ SVHC | 5,5 В. | 2,4 В. | 4 | Серриал | 28 Мка | 2,4 В ~ 5,5. | ± 1,8% RH | 8 с | 4-sip | 1,75 б | Цyfrovoй | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7005-B-FM1R | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 0 ° C ~ 70 ° C. | Веса | 2 (1 годы) | CMOS | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/siliconlabs-si7005bgm1-datasheets-1367.pdf | 24-lfqfn otkrыtai-anploщadca | 3,3 В. | 24 | 8 | 24 | I2c, Серриал | в дар | IP67 | 3,6 В. | 2.1 | В дар | 2,1 В ~ 3,6 В. | ± 3% RH | 8 с | Drugiee -DaTSHIKI/PREOOBRASHOWETERI | 1,5 б | 14 | I2c | 0,75 мм | 4 мм | 4 мм | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SHT30-DIS-P2.5KS | Sensirion | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | SHT3 | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/sensirionag-ht30disp25ks-datasheets-1596.pdf | 8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca | 7 | 2,15 n 5,5. | ± 3% RH | 8 с | 8-DFN (2,5x2,5) | I2c | 16b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDC1050DMBR | Тел | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -20 ° C ~ 60 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | 3 ММ | 800 мкм | 3 ММ | СОУДНО ПРИОН | 6 | 6 | Nrnd (posleDniй obnowlenen: 1 нор. | в дар | 750 мкм | ЗOLOTO | 1 | E4 | 2,7 В ~ 5,5 В. | Дон | NeT -lederStva | 3В | 1 ММ | HDC1050 | 6 | 5,5 В. | 2,7 В. | 1 | Аналеоз | ± 3% RH | 30 -Год | I2c | 11b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7013-A20-GM1 | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Полески | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/siliconlabs-si7013a20gm-datasheets-0825.pdf | 10-wfdfn oTkrыTAIN-oploщadka | 3 ММ | 750 мкм | 3 ММ | 8 | НЕИ | 6 | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 3% RH | 18 с | 14 | I2c | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HPP845E034R5 | ТЕСИИАЛЕЙНОСИНГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | HTU | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/TeConnectivityMeasuRentiesPecialties-hpp845e034r5-datasheets-1538.pdf | 6-vdfn otkrыtaiNAN | 10 nedely | в дар | E4 | Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) | В дар | 1,5 В ~ 3,6 В. | ± 5% RH | 5 с | 14 | I2c | 0,9 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | Пластик | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7005-B-GM1R | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Веса | 2 (1 годы) | CMOS | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/siliconlabs-si7005bgm1-datasheets-1367.pdf | 24-lfqfn otkrыtai-anploщadca | 3,3 В. | 24 | 8 | 24 | I2c, Серриал | в дар | IP67 | Не | 3,6 В. | 2.1 | 2,1 В ~ 3,6 В. | ± 3% RH | 8 с | Drugiee -DaTSHIKI/PREOOBRASHOWETERI | 1,75 б | 14 | I2c | 0,75 мм | 4 мм | 4 мм | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7021-A20-GMR | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/siliconlabs-si7021a20gm1r-datasheets-0339.pdf | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | 8 | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 3% RH | 18 с | 14 | I2c | 0,75 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A1DU5P2CP006B | Sharp/Socle Technology | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШASCI | -40 ° C ~ 60 ° C. | Поднос | Neprigodnnый | Модул | 16 | 1,71 В ~ 3,6 В. | ± 5% RH | Модул | I2c | 10б | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BPS230-D3P0-S10E | Bourns Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 105 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/bournsinc-bps230d3p0s10e-datasheets-1638.pdf | 6-SMD, neTLIDERSTVA | 16 | 1,62 В ~ 5,5. | BPS230 | ± 3% RH | 8 с | I2c | 10б | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SHT31-DIS-B2.5KS | Sensirion | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | SHT3 | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/sensirionag-ht30disb25ks-datasheets-9903.pdf | 8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca | 5 nedely | 2,15 n 5,5. | ± 2% RH | 8 с | 8-DFN (2,5x2,5) | I2c | 16b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7013-A20-IM1R | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 2008 | /files/siliconlabs-si7013a20gm-datasheets-0825.pdf | 10-wfdfn oTkrыTAIN-oploщadka | 8 | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 3% RH | 18 с | 14 | I2c | 1,21 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 386 | Adafruit Industries LLC | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ШASCI | Чereз dыru | 0 ° C ~ 50 ° C. | МАССА | 1 (neograniчennnый) | 50 ° С | 0 ° С | Rohs3 | /files/adafruitindustriesllc-393-datasheets-0841.pdf | Резу | 2 nede | 3 В ~ 5 В. | ± 5% | 1S | Цyfrovoй | 16b | Влайна, темперратара | 20 ~ 80% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7013-A20-GM1R | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 2008 | /files/siliconlabs-si7013a20gm-datasheets-0825.pdf | 10-wfdfn oTkrыTAIN-oploщadka | 8 | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 3% RH | 18 с | 14 | I2c | 1,21 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7021-A20-IM1R | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | /files/siliconlabs-si7021a20gm1r-datasheets-0339.pdf | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | 7 | В дар | 1,9 В ~ 3,6 В. | 125 ° С | -40 ° С | ± 3% RH | 18 с | 14 | I2c | 1,21 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 4 май | 12б | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HIH-4021-001 | Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | HIH-4021 | Чereз dыru | Чereз dыru | -40 ° C ~ 85 ° C. | МАССА | 1 (neograniчennnый) | Чereз dыru | 85 ° С | -40 ° С | 200 мк | ROHS COMPRINT | 2007 | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hih4020001-datasheets-1327.pdf | Резу | EmcoStnый | 41656 ММ | 8 5852 мм | 2667 мм | 5в | 10 nedely | НЕТ SVHC | 5,8 В. | 4 | 3 | 2,54 мм | 5,8 В. | 4 | 500 мк | 4 В ~ 5,8 В. | ± 3,5% RH | 5 с | Аналогово | 3268 Е @ 75,3%RH | Влагност | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SHT35-DIS-B2.5KS | Sensirion | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | SHT3 | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/sensirionag-ht30disb25ks-datasheets-9903.pdf | 8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca | 7 | 2,15 n 5,5. | ± 1,5% RH | 8 с | 8-DFN (2,5x2,5) | I2c | 16b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HTU20D | ТЕСИИАЛЕЙНОСИНГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | HTU | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | ROHS COMPRINT | 2014 | /files/teconnectivitymeasurentiespecialties-htu20d-datasheets-1588.pdf | 6-vdfn otkrыtaiNAN | 10 nedely | 1,5 В ~ 3,6 В. | ± 5% RH | 5 с | I2c | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH |
