Фотодиоды – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по продаже электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Диаметр Пакет/ключи Высота Рабочее напряжение питания Без свинца Форма Срок выполнения заказа на заводе Масса ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Полярность Код дела (метрика) Код дела (имперский) Состав Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Подкатегория Скорость передачи данных Тип выхода Тип оптоэлектронного устройства Особенности монтажа Угол обзора Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Высота тела Длина или диаметр тела Ширина тела Тип завершения Напряжение проба Жилье Тип датчиков/преобразователей Обратное напряжение проба Обратное напряжение Тип диода Макс. обратное напряжение (постоянный ток) Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Полупроводниковый материал Длина волны Пиковая длина волны Темный ток Инфракрасный спектр Размер пикселя Динамический диапазон Горизонтальное количество пикселей Вертикальный пиксель Тип массива Темный ток-Макс. Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Спектральный диапазон Активная область Текущий – Темный (тип.) Световой ток-ном. Чувствительность @ нм Цвет — улучшенный
SFH 2440 L СФХ 2440 Л OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Мощность TOPLED® Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh2440l-datasheets-0742.pdf 2-СМД, Крыло Чайки 90 нс 120° ПРИКОЛОТЬ 620 нм 16В 400 нм ~ 690 нм 7,02 мм2 1нА 0,37 А/Вт при 620 нм
SFH 225 FA СФХ 225 ФА OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh225fa-datasheets-0663.pdf Радиальный 20 нс 120° ПРИКОЛОТЬ 900 нм 20 В 740 нм ~ 1120 нм 4,84 мм2 2нА
VTP9412H VTP9412H Экселитас Технологии
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -20°К~75°К Непригодный Соответствует RoHS 2009 год /files/excelitastechnologies-vtp9412h-datasheets-0744.pdf 2-DIP-модуль 2 8541.40.60.50 НЕТ Фотодиоды PIN-ФОТОДИОД 100° Кремний 925 нм 7нА 140 В 400 нм ~ 1150 нм 1,6 мм2 7нА Макс. 0,55 А/Вт при 925 нм
KLI-2113-AAA-ER-AA КЛИ-2113-ААА-ЭР-АА ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 0°С~70°С 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2014 год /files/onsemiconductor-kli2113raaedaa-datasheets-2031.pdf КРИС 12,5 В Без свинца 9 недель ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) да ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 11,5 УФ/ЭЛЕКТРОН. Нет ПЗС-датчики изображения 20 Мбит/с АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ 4,24 мм 48 мм 14,66 мм ПАЙКА КЕРАМИКА ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица 12 В 20 ФА 14x14 мкм 76 дБ 2098 2098 ЛИНЕЙНЫЙ 14 мкм x 14 мкм Ø (X3) 0,02 пА
MTPD1346-080 МТПД1346-080 Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки)
UVG5 УВГ5 Оптодиодная корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать УФГ Сквозное отверстие -20°К~80°К Поднос 1 (без блокировки) 80°С -20°С Соответствует RoHS 2015 год /files/optodiodecorp-uvg5-datasheets-0678.pdf 10 недель 1 мкс 45° 1нА 250–1100 нм 5 мм2 1нА 0,115 А/Вт при 254 нм
P850-2251-001 Р850-2251-001 Финисар Корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поставщик не определен
KLI-2113-AAB-ED-AA КЛИ-2113-ААБ-ЭД-АА ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 0°С~70°С 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 2014 год /files/onsemiconductor-kli2113raaedaa-datasheets-2031.pdf КРИС 12,5 В Без свинца 9 недель ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 день назад) да ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 11,5 УФ/ЭЛЕКТРОН. Нет ПЗС-датчики изображения 20 Мбит/с АНАЛОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ 4,24 мм 48 мм 14,66 мм ПАЙКА КЕРАМИКА ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ, ПЗС-матрица 12 В 20 ФА 14x14 мкм 76 дБ 2098 2098 ЛИНЕЙНЫЙ 14 мкм x 14 мкм Ø (X3) 0,02 пА
MTD3010FC MTD3010FC Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 2 (1 год)
PDU-C106 PDU-C106 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~125°К Масса 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS 2012 год /files/advancedphotonix-pduc106-datasheets-0688.pdf Вариант ТО-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива 60нс 55° ПРИКОЛОТЬ 30В 2нА 30В 190 нм ~ 1100 нм 10 мм2 0,18 А/Вт при 254 нм
MLX90255KWB-BAM-000-TR MLX90255KWB-BAM-000-TR Мелексис Технологии Н.В.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~125°К Поднос 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2008 год /files/melexistechnologiesnv-mlx90255kwbbam000tr-datasheets-0749.pdf 5-SIP-модуль ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ, ЭФФЕКТ ХОЛЛА 880 нм 400 нм ~ 1000 нм 200 мкм В x 66,0 мкм Ш
019-141-411-IR920 019-141-411-IR920 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~105°К Лента и катушка (TR) 2 (1 год) /files/advancedphotonix-019141411ir920-datasheets-0692.pdf 2-СМД, без свинца 920 нм 50В 20пА
P850-2274-001 Р850-2274-001 Финисар Корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поставщик не определен
BCS2015A1 БКС2015А1 Корпорация ТДК
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -20°К~85°К Лента и катушка (TR) 2 (1 год) Соответствует RoHS 2005 г. /files/tdkcorporation-bcs2015a1-datasheets-0314.pdf Без свинца 580 нм 10нА 350 нм ~ 750 нм 1,09 мм2
P850-2123-001 Р850-2123-001 Финисар Корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поставщик не определен
MTPD1346-150 МТПД1346-150 Марктех Оптоэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 1346 Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) 2013 год /files/marktechoptoelectronics-mtpd1346150-datasheets-0701.pdf неизвестный 45° ПРИКОЛОТЬ 1300 нм 800 нм ~ 1750 нм 1,5 мм2 500 нА Макс.
SD3410-004 SD3410-004 Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~125°К Масса 1 (без блокировки) 125°С -55°С Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sd3410004-datasheets-0707.pdf ТО-46 14 недель 3 НПН 150 мВт 150 мВт 75 мкс 1 90° 75 мкс 75 мкс 15 В 1,1 В 880 нм 250 нА 250 нА
SFH 2302 СФХ 2302 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh2302-datasheets-0566.pdf 2нс 34° ПРИКОЛОТЬ 820 нм 15 В 400 нм ~ 1050 нм 0,36 мм2 50пА 0,5 А/Вт при 780 нм
SD1420-002L SD1420-002L Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Печатная плата, сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~125°К Масса 1 (без блокировки) 125°С -55°С Соответствует RoHS 1997 год /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sd1420002-datasheets-4962.pdf 1,57 мм Металл 3,1 мм 14 недель Нет СВХК 2 75мВт 50 нс 24° 50 нс 50 нс 50В 50В 50В 50В 935 нм 935 нм 5нА 50В 5нА
SMD2420-021 СМД2420-021 Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать СМД Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~125°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 125°С -55°С Соответствует RoHS 1999 год /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sme2470001-datasheets-0592.pdf КСМД 14 недель 2 Нет 3825 1510 г. Керамика 125 МВт 20 нс 50В 50В 880 нм 5нА 50В 5нА
KLI-2113-DAA-ED-AA КЛИ-2113-ДАА-ЭД-АА ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие 0°С~70°С 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2014 год /files/onsemiconductor-kli2113raaedaa-datasheets-2031.pdf КРИС 12,5 В Без свинца да Нет 12 В 20 ФА 14,0 мкм В x 14,0 мкм Ш (X3) 0,02 пА
QSE973RCE3R0 QSE973RCE3R0 ОН Полупроводник
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 85°С -40°С Соответствует RoHS /files/onsemiconductor-qse973rce3r0-datasheets-6969.pdf ТО-92 276,3 мг 2 150 мВт 50 нс 50 нс 32В 32В 30нА
055-23-21-211 055-23-21-211 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~125°К Масса 1 (без блокировки) /files/advancedphotonix-0552321211-datasheets-0644.pdf 13нс 67° 660 нм 50В 350 нм ~ 1100 нм 0,25 мм2 (х4) 100пА 0,55 А/Вт при 900 нм Красный
PDU-V115Q PDU-V115Q Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~125°К Масса 1 (без блокировки) Не соответствует требованиям RoHS /files/advancedphotonix-pduv115q-datasheets-0575.pdf Вариант ТО-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива 500 нс 73° ПРИКОЛОТЬ 75В 2пА 75В 190 нм ~ 1100 нм 5,07 мм2 0,18 А/Вт при 254 нм
BPW 21 E9272 БПВ 21 Э9272 OSRAM Оптические полупроводники
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать 4 (72 часа) Соответствует ROHS3
ODD-470W ОДД-470Вт Оптодиодная корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -30°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Соответствует RoHS 2010 год /files/optodiodecorp-odd470w-datasheets-0579.pdf неизвестный 200 нс 470 нм 30пА 370 нм ~ 600 нм 0,62 мм2 0,3 А/Вт при 470 нм
012-70-62-541 012-70-62-541 Расширенный Фотоникс
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -40°К~85°К Масса 1 (без блокировки) Металлическая банка с верхней крышкой объектива ТО-46-3 700пс 280В 400 нм ~ 1100 нм Диаметр 0,30 мм 2нА 47 А/Вт при 830 Нм
PD101SC0SS0F PD101SC0SS0F Острая микроэлектроника
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -25°К~85°К Масса 3 (168 часов) Соответствует RoHS 2001 г. /files/sharpmicroelectronics-pd101sc0ss-datasheets-6498.pdf Радиальный, вид спереди Без свинца КВАДРАТ 2 ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ неизвестный 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ОДИНОКИЙ 820 нм 1нА ДА 0,00045 мА 0,55 А/Вт при 780 нм
NR8800FS-CB-AZ NR8800FS-CB-AZ Ренесас Электроникс Америка
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Фланцевое крепление -40°К~85°К 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 Модуль, 3-проводной, многомодовое оптоволокно НЕТ Фотодиоды КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ лавина InGaAs 1310 нм 30нА 100В Диаметр 80 мкм 7нА 0,94 А/Вт при 1310 нм
BCS1210A1L БКС1210А1Л Корпорация ТДК
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать БКС Поверхностный монтаж -20°К~85°К Лента и катушка (TR) 2 (1 год) Соответствует RoHS да совместимый ЛИНЕЙНЫЙ ВЫХОД ФОТОИС 580 нм 350 нм ~ 750 нм 0,1925 мм2 4нА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.