Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотодиоды (1953 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Материал корпуса | Длина результата | Достичь соответствия кода | Количество функций | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Угол обзора | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Высота тела | Длина или диаметр корпуса | Напряжение проба | Обратное напряжение | Тип диода | Макс. обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Длина волны | Длина волны — Пик | Темный ток | Размер | Тип оптоволоконного устройства | Рабочая длина волны-ном. | Инфракрасный спектр | Темный ток-Макс. | Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) | Спектральный диапазон | Активная область | Текущий – Темный (тип.) | Чувствительность @ нм | Цвет — улучшенный | Напряжение обратного проба-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МТАПД-06-011 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/marktechoptoelectronics-mtapd06009-datasheets-4249.pdf | ТО-46-3 Металлическая банка | 12 недель | неизвестный | 600пс | лавина | 905 нм | 120 В | 400 нм ~ 1100 нм | Диаметр 230 мкм | 200пА | 55 А/Вт при 800 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УВГ20С | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УФГ | Сквозное отверстие | -20°К~80°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/optodiodecorp-uvg20s-datasheets-5801.pdf | 16 недель | 4 мкс | 50В | 250–1100 нм | 24 мм2 | 0,115 А/Вт при 254 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В114 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbv114-datasheets-5732.pdf | Вариант ТО-5, 2 провода, металлическая банка с верхней крышкой объектива | Без свинца | 14 недель | 63° | 13нс | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 950 нм | 335пА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 17,92 мм2 | 0,17 А/Вт при 450 нм | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДА-6В-100М | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Гибридный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | 16 недель | неизвестный | 940 нм | 400 нм ~ 1100 нм | 6 мм2 | Инфракрасный (NIR)/красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С113 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~90°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc113-datasheets-5736.pdf | 6,73 мм | Радиальный | 3,56 мм | 14 недель | Керамика | 13нс | 120° | 16 нс | 100В | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 950 нм | 5нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 8,24 мм2 | 0,18 А/Вт при 450 нм | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICROFJ-60035-TSV-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | J-СЕРИЯ SIPM | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfj60035tsvtr1-datasheets-0053.pdf | 36-ВБГА | КВАДРАТ | 4 недели | да | 1 | 250пс | СЛОЖНЫЙ | лавина | 420 нм | 6,07 мм | НЕТ | 12000нА | 24,7 В | 200 нм ~ 900 нм | 36,85 мм2 | 7,5 мкА | 24,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПР5913 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opr5910t-datasheets-5521.pdf | СМД/СМТ | 12 недель | 8 | 10 В | ПРИКОЛОТЬ | 10 В | 880 нм | 100нА | 10 В | 400 нм ~ 1100 нм | 26 мм2 | 100нА | 0,4 А/Вт при 890 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С140 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/advancedphotonix-pdbc140-datasheets-5749.pdf | 10,9 мм | Радиальный | 2,92 мм | 14 недель | Керамика | 40 мм | 13нс | 120° | 18нс | 75В | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 940 нм | 10нА | 350 нм ~ 1100 нм | 29,03 мм2 | 10нА | 0,18 А/Вт при 450 нм | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТАПД-07-010 | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Полоска | 5А (24 часа) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/marktechoptoelectronics-mtapd07009-datasheets-5120.pdf | 3-LCC | 12 недель | да | 600пс | лавина | 200В | 905 нм | 200пА | 200В | 400 нм ~ 1100 нм | Диаметр 230 мкм | 55 А/Вт при 905 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С164 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | Металлизированная Керамика | Без свинца | 14 недель | 13нс | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 950 нм | 1нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 3,09 мм2 | 0,18 А/Вт при 450 нм | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В113 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~90°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbv113-datasheets-5764.pdf | 6,73 мм | Радиальный | 3,5 мм | 16 недель | Керамика | 13нс | 120° | 750 нс | 50В | ПРИКОЛОТЬ | 75В | 950 нм | 300пА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 8,24 мм2 | 0,17 А/Вт при 450 нм | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-C150SM | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~80°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc150sm-datasheets-5770.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | Без свинца | 14 недель | 3 | 120° | 6нс | ПРИКОЛОТЬ | 50В | 660 нм | 2нА | 50В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,185 мм2 | Синий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICROFJ-30020-TSV-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | J-СЕРИЯ SIPM | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfj60035tsvtr1-datasheets-0053.pdf | 8-ШБГА | КВАДРАТ | 4 недели | да | 1 | 160пс | СЛОЖНЫЙ | лавина | 420 нм | 3,07 мм | НЕТ | 720нА | 24,7 В | 200 нм ~ 900 нм | 9,43 мм2 | 100нА | 24,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICROFC-10035-SMT-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SIPM C-СЕРИИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 недели | да | 300пс | лавина | 420 нм | 24,7 В | 300 нм ~ 950 нм | 1 мм2 | 15нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТД6100ПТ | Марктех Оптоэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/marktechoptoelectronics-mtd6100pt-datasheets-5653.pdf | 12 недель | 6нс | 20° | 2,9 мм | 2,41 мм | 30 В | 880 нм | 10нА | ФОТОДИОДНЫЙ ДЕТЕКТОР | 800 нм | 30 В | 400 нм ~ 1100 нм | Инфракрасный (NIR)/красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОДД-12Вт | Оптодиодная корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Видимый | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/optodiodecorp-odd12w-datasheets-5660.pdf | 16 недель | неизвестный | 15 нс | 60В | 940 нм | 3нА | 60В | 400 нм ~ 1100 нм | 12 мм2 | 0,4 А/Вт при 632 нм | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICROFC-60035-SMT-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SIPM C-СЕРИИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 недели | да | 1нс | лавина | 420 нм | 24,7 В | 300 нм ~ 950 нм | 36 мм2 | 618нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MICROFC-30035-SMT-TR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SIPM C-СЕРИИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 недели | да | 600пс | лавина | 420 нм | 24,7 В | 300 нм ~ 950 нм | 9 мм2 | 154нА | Синий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП916 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 12 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-С607-2 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/advancedphotonix-pdbc6072-datasheets-5668.pdf | Чип с ПВХ-проводом диаметром 30 мм. | 10,1 мм | 410 мкм | 2,46 мм | 14 недель | 31,8 мм | 25нс | 100В | 75В | 950 нм | 15нА | 75В | 350 нм ~ 1100 нм | 14,5 мм2 | Красный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПВ 21 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~80°К | Трубка | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-bpw21-datasheets-5604.pdf | ТО-39 | 14 недель | 1,5 мкс | 110° | 550 нм | 10 В | 350 нм ~ 820 нм | 7,45 мм2 | 2нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПДБ-В609-3 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~100°К | Поднос | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/advancedphotonix-pdbv6093-datasheets-5673.pdf | Чип с шинным проводом 34 калибра | Без свинца | 14 недель | 1,5 мкс | 1,5 мкс | 25 В | 940 нм | 50нА | 25 В | 350 нм ~ 1100 нм | 42,4 мм2 | 50нА | Красный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЛСД-71Н200 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/advancedphotonix-slsd71n200-datasheets-5615.pdf | Коробка с проводами | 14 недель | Неизвестный | 2 | 130 мм | 120° | 930 нм | 3,3 мкА | 20 В | 400 нм ~ 1100 нм | 0,55 А/Вт при 940 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СЛСД-71Н700 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Свободное подвешивание | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-slsd71n700-datasheets-5678.pdf | Прямоугольные проволочные выводы | 14 недель | 120° | 940 нм | 20 В | 400 нм ~ 1100 нм | 5 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 039-151-001 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Полоска | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-039151001-datasheets-5619.pdf | 14 недель | 2нс | 40В | 800 нм ~ 1700 нм | 200пА | 0,90 А/Вт при 1310 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 012-УВА-011 | Расширенный Фотоникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/advancedphotonix-012uva011-datasheets-5682.pdf | 14 недель | 55° | 5В | 220–370 нм | 100нА | 0,18 А/Вт при 350 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD3410-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sd3410003-datasheets-4889.pdf | 5,56 мм | ТО-46 | 12,7 мм | 14 недель | 3 | НПН | 150 мВт | 150 мВт | 75 мкс | 1 | 90° | 75 мкс | 75 мкс | 15 В | 1,1 В | 15 В | 880 нм | 250 нА | 250 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 2704 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЧИПЛИРОВАННЫЙ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh2704-datasheets-5366.pdf | 2-СМД, без свинца | 47нс, 67нс | 120° | ПРИКОЛОТЬ | 900 нм | 6В | 400 нм ~ 1100 нм | 1,51 мм2 | 100пА | 0,34 А/Вт при 535 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЭМД5510С-GS15 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd5510c-datasheets-1705.pdf | 4-SMD, контактная площадка без контакта со свинцом | 9 недель | 70нс | 130° | ПРИКОЛОТЬ | 550 нм | 20 В | 440 нм ~ 700 нм | 7,5 мм2 | 200пА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МИКРОФК-30020-СМТ-ТР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SIPM C-СЕРИИ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-microfc30035smttr1-datasheets-0340.pdf | 4-СМД, без свинца | 4 недели | да | 600пс | лавина | 420 нм | 24,7 В | 300 нм ~ 950 нм | 9 мм2 | 50нА | Синий |
