Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФототранзисторы(1019)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Диаметр | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Форма | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Длина результата | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Цвет линзы | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Код дела (метрика) | Код дела (имперский) | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Выходной ток | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Максимальный ток во включенном состоянии | Угол обзора | Стиль объектива | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение проба | Время отклика-Макс. | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. | Длина волны | Длина волны — Пик | Пиковая длина волны | Темный ток | Размер | Инфракрасный спектр | Темный ток-Макс. | Световой ток-ном. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Текущий — Темный (Id) (Макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PNZ150 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz150-datasheets-2436.pdf | Радиальный | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | Вид спереди | неизвестный | 8541.40.70.80 | 1 | 100мВт | 85°С | -25°С | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 70° | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 100мВт | 20 В | 20 мА | 800 нм | 1 мкА | 3,5 мм | ДА | 3мА | 1 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПНА1401Л | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pna1401l-datasheets-2446.pdf | ТО-18-2 Металлическая банка | Без свинца | КРУГЛЫЙ | да | Вид сверху | неизвестный | 8541.40.70.80 | 1 | 150 мВт | 85°С | -25°С | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,05А | 20° | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 150 мВт | 30В | 50 мА | 800 нм | 300нА | 4,6 мм | ДА | 3,5 мА | 300нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT480FE0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Сумка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt480fe0000f-datasheets-2452.pdf | Радиальный | 3 мм | 4 мм | 2,95 мм | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 16 недель | Неизвестный | 2 | Вид спереди | Нет | 17,5 мм | 1 | Черный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 75мВт | 1 | 75мВт | 75мВт | 20 мА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 70° | Куполообразный | 3 мкс | 3,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 35В | 35В | 20 мА | 860 нм | 100нА | ДА | 0,8 мА | 100 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 303 ФА-3/4 | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptosemiconductorsinc-sfh303fa34-datasheets-2456.pdf | Радиальный – 3 отведения | Вид сверху | 40° | 200мВт | 990 нм | 35В | 50 мА | 50нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSB363CZR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-qsb363czr-datasheets-2468.pdf | 2-СМД, З-изгиб | Без свинца | 90мг | 2 | Вид сверху | Прозрачный | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | 24° | Куполообразный | 15 мкс | 15 мкс | 30В | 5В | 940 нм | 100нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ 3162 Ф | Опто-полупроводники OSRAM | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/osramoptoseemiconductorsinc-sfh3162f-datasheets-2472.pdf | Радиальный | Вид спереди | 150° | 100мВт | 920 нм | 30В | 10 мА | 100нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП572 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op570-datasheets-2414.pdf | 2-SMD, изгиб хомута | 2,5 мм | 2,7 мм | 2 мм | 30В | Без свинца | 20 недель | Нет СВХК | 2 | Вид сверху | Нет | НПН | 130 мВт | 130 мВт | 1 | 130 мВт | 25° | 15 мкс | 130 мВт | 30В | 30В | 30В | 20 мА | 935 нм | 100нА | 30В | 20 мА | 100нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT481E00000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Радиальный | 3 мм | 4 мм | 2,95 мм | Без свинца | 16 недель | 2 | Вид спереди | Нет | Синий, Прозрачный | НПН | 75мВт | 1 | 75мВт | 1 | 50 мА | 70° | Куполообразный | 80 мкс | 70 мкс | 75мВт | 35В | 6В | 50 мА | 800 нм | 1 мА | 35В | 50 мА | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT481FE0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Радиальный | 3 мм | 4 мм | 2,95 мм | Без свинца | 2 | Вид спереди | Нет | Черный | НПН | 75мВт | 1 | 75мВт | 1 | 50 мА | 70° | Куполообразный | 80 мкс | 70 мкс | 75мВт | 35В | 6В | 50 мА | 860 нм | 1 мА | 35В | 50 мА | 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PNA1801L00NC | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pna1801l-datasheets-1973.pdf | Т-1 | Вид сверху | 60° | 100мВт | 800 нм | 30В | 20 мА | 500нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSC114C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-qsc114c-datasheets-2487.pdf | Радиальный, диаметр 3 мм (Т-1) | Без свинца | 1 | Вид сверху | Нет | Черный, Прозрачный | НПН | 100мВт | 100мВт | 8° | Куполообразный | 5 мкс | 5 мкс | 30В | 5В | 880 нм | 100нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PNZ108CLR | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz108cl-datasheets-2100.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Без свинца | КРУГЛЫЙ | Вид сверху | неизвестный | 8541.40.70.80 | 1 | 100мВт | 85°С | -25°С | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,02 А | 160° | 5 мкс | ОДИНОКИЙ | 100мВт | 20 В | 20 мА | 900 нм | 2мкА | 4,2 мм | ДА | 5мА | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПНЗ107 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz107-datasheets-2491.pdf | ТО-18-2 Металлическая банка | КРУГЛЫЙ | да | Вид сверху | 8541.40.70.80 | 1 | НЕТ | 85°С | -25°С | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,03 А | 20° | ОДИНОКИЙ | 150 мВт | 0,15 Вт | 20 В | 900 нм | 4,6 мм | ДА | 2000нА | 5мА | 20 В | 30 мА | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT4810 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt4800f-datasheets-2143.pdf | Радиальный | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | 2 | Вид спереди | неизвестный | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 75мВт | 50 мА | ФОТО ДАРЛИНГТОН | 70° | 80 мкс | ОДИНОКИЙ | 75мВт | 35В | 50 мА | 800 нм | 1 мА | 0,8 мм | ДА | 0,45 мА | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПТ481 | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt481f-datasheets-2147.pdf | Радиальный | Содержит свинец | 2 | Вид спереди | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | 50 мА | 70° | 80 мкс | 70 мкс | 75мВт | 35В | 6В | 50 мА | 800 нм | 1 мА | 35В | 50 мА | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОЭД-СТ-44Ф | Люмекс Опто/Компонентс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 2-СМД, без свинца | Без свинца | ОВАЛ | да | Вид сверху | 8541.40.70.80 | 1 | 200мВт | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,003А | ОДИНОКИЙ | 200мВт | 70В | 3мА | 850 нм | 400 нА | 2 мм | ДА | 3мА | 400 нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSB320 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~100°С ТА | Масса | 3 (168 часов) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-qsb320-datasheets-2339.pdf | 35В | 2-PLCC | 5В | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 128,7 мг | Нет СВХК | 2 | да | Вид сверху | EAR99 | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | НПН | 165мВт | 165мВт | 1 | Фототранзисторы | 165мВт | 100 мкА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 120° | Плоский | 8 мкс | 8 мкс | ОДИНОКИЙ | 35В | 5В | 15 мА | 30В | 880 нм | 200нА | ДА | 0,016 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СДП8406-003 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, под углом | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1995 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sdp8406004-datasheets-1741.pdf | 5В | Радиальный | 4,45 мм | 5,72 мм | 2,28 мм | 10 недель | Неизвестный | 2 | Вид спереди | Нет | НПН | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 6,5 мА | 50° | 15 мкс | 15 мкс | 100мВт | 30В | 6,5 мА | 935 нм | 100нА | 30В | 6,5 мА | 100нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT4810E0000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Радиальный | Без свинца | 2 | Вид спереди | 75мВт | 50 мА | 70° | 400 мкс | 350 мкс | 75мВт | 35В | 35В | 50 мА | 800 нм | 1 мА | 35В | 50 мА | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СДП8406-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, под углом | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sdp8406004-datasheets-1741.pdf | Радиальный | 4,45 мм | 5,72 мм | 2,28 мм | Без свинца | 10 недель | Нет СВХК | 2 | Вид спереди | Нет | НПН | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 3,6 мА | 50° | 15 мкс | 15 мкс | 100мВт | 30В | 30В | 3,6 мА | 935 нм | 100нА | 30В | 3,6 мА | 100нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSC114 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-qsc113-datasheets-1949.pdf | 30В | Радиальный, диаметр 3 мм (Т-1) | 100 мкА | 5В | Без свинца | 129,6 мг | Нет СВХК | 2 | да | Вид сверху | Нет | Черный, Прозрачный | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 100мВт | 30В | 100 мкА | 8° | Куполообразный | 5 мкс | 5 мкс | 30В | 30В | 30В | 9мА | 880 нм | 100нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СДП8436-003 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, под углом | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1996 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sdp8436003-datasheets-2366.pdf | 30В | Радиальный | 4,57 мм | 3,3 мм | 4,29 мм | Без свинца | 4 недели | Неизвестный | 2 | Вид спереди | Нет | Черный | НПН | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 100мВт | 17,5 мА | 18° | 15 мкс | 15 мкс | 100мВт | 30В | 30В | 17 мА | 880 нм | 100нА | 30В | 17 мА | 100нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT4800FE000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Сумка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/sharpmicroelectronics-pt4800fe000f-datasheets-2371.pdf | Радиальный | Без свинца | КРУГЛЫЙ | 2 | Вид спереди | Нет | 1 | Черный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | 20 мА | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 70° | Куполообразный | 3 мкс | 3,5 мкс | ОДИНОКИЙ | 35В | 6В | 20 мА | 860 нм | 100 мкА | 0,8 мм | ДА | 0,25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПНЗ154 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz154-datasheets-2375.pdf | Радиальный | Без свинца | КРУГЛЫЙ | да | Вид спереди | неизвестный | 8541.40.70.80 | 1 | 100мВт | 85°С | -25°С | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,02 А | 54° | 4 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,00001 с | 100мВт | 20 В | 20 мА | 800 нм | 2мкА | 2,2 мм | ДА | 0,001 мА | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT480E00000F | Острая микроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1997 год | Радиальный | 3 мм | Без свинца | Неизвестный | 2 | Вид спереди | Нет | 17,5 мм | Прозрачный | НПН | 75мВт | 75мВт | 1 | 75мВт | 20 мА | 70° | Куполообразный | 3 мкс | 3,5 мкс | 75мВт | 35В | 6В | 20 мА | 800 нм | 800 нм | 100 мкА | 35В | 20 мА | 100 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QSD122 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~100°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-qsd123a4r0-datasheets-1491.pdf | Радиальный, диаметр 5 мм (Т 1 3/4) | 5В | Без свинца | 284 мг | 2 | Вид сверху | Нет | Черный, Прозрачный | НПН | 100мВт | 100мВт | 1 | 24° | Куполообразный | 7 мкс | 7 мкс | 30В | 30В | 5В | 6мА | 880 нм | 100нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СДП8476-201 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sdp8476201-datasheets-2389.pdf | Радиальный | 3,18 мм | 6,35 мм | 3,94 мм | Без свинца | 12 недель | 2 | Вид спереди | НПН | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 6мА | 20° | 15 мкс | 15 мкс | 100мВт | 30В | 400мВ | 30В | 6мА | 935 нм | 100нА | 30В | 6мА | 100нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОП522 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-op522-datasheets-2311.pdf | 1206 (3216 Метрическая единица) | 2В | Без свинца | 2 | Вид сверху | НПН | 3216 | 1206 | 75мВт | 75мВт | 1 | 75мВт | 105° | 15 мкс | 15 мкс | 75мВт | 30В | 30В | 400мВ | 30В | 20 мА | 935 нм | 100нА | 30В | 20 мА | 100нА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SD1440-003L | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-sd1440004l-datasheets-1892.pdf | 5В | 1,57 мм | Коаксиальный, металлический корпус | 2,41 мм | 3,1 мм | 2,41 мм | Без свинца | 4 недели | Неизвестный | 2 | Вид сверху | Нет | НПН | 75мВт | 1 | 75мВт | 1 | 75мВт | 3мА | 24° | 15 мкс | 15 мкс | 75мВт | 50В | 30В | 400мВ | 30В | 3мА | 935 нм | 100нА | 30В | 3мА | 100нА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПНЗ108Ф | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-pnz108f-datasheets-2324.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | Содержит свинец | КРУГЛЫЙ | Вид сверху | неизвестный | 8541.40.70.80 | 1 | 150 мВт | 85°С | -25°С | Фототранзисторы | ФОТО ТРАНЗИСТОР | 0,03 А | 80° | 8 мкс | ОДИНОКИЙ | 150 мВт | 20 В | 30 мА | 900 нм | 2мкА | 4,6 мм | ДА | 0,4 мА | 2мкА |
