Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Напряжение запуска | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Длина волны – пик | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QVB11124 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA21213 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ703W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-opb704w-datasheets-5964.pdf | Модуль предварительно смонтированный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11323 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11324 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WFM50-60N321 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 1181 (30 мм) | НПН | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11224 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11124 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA21314 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WFM50-60P311 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 1969 (50 мм) | ПНП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22A2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-h22a1-datasheets-0851.pdf | 30 В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 60 мА | 1,7 В | Без свинца | 48 недель | 4 | 150 мВт | 8 мкс, 50 мкс | 1 | 30 В | 60 мА | 1,7 В | 8 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 30 В | 30 В | 60 мА | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ705W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-opb704w-datasheets-5964.pdf | Модуль предварительно смонтированный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA21114 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | совместимый | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ703 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-opb705-datasheets-1136.pdf | Монтаж на печатной плате | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380L51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11123 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11333 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11133 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11224 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК70П3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/onsemiconductor-moc70p3f132-datasheets-7020.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 20 мкс, 80 мкс | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11323 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие, фланец | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21A3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-h21a1-datasheets-0798.pdf | 30 В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 24,7 мм | 60 мА | 11 мм | 6,35 мм | Без свинца | Нет СВХК | 4 | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 8 мкс, 150 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 7,5 кВ | 8 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| МОК70П2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-moc70p3f132-datasheets-7020.pdf | 5В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | 1 | 150 мВт | 20 мкс, 80 мкс | 1 | 30 В | 50 мА | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 6В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11223 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-СМ3 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | Непригодный | печатная плата | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesm3-datasheets-1129.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | неизвестный | 1 | 180 мкс, 60 мкс | 0,015А | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 24В | 24В | 20 мА | 15 мА | 250 нА | 3 мм | 1,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WFM30-40P311 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 1181 (30 мм) | ПНП | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ705 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/onsemiconductor-opb705-datasheets-1136.pdf | Монтаж на печатной плате | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNZ1023 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnz1021-datasheets-1013.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | да | неизвестный | 1 | 5 мкс, 5 мкс | 1,25 В | 0,05 А | 0,015А | 5 мкс | 0,118 (3 мм) | 3 мм | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 50 мА | 200нА | 3 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h21b1-datasheets-0829.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7 мкс, 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 30 В | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1107 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1107-datasheets-0889.pdf | 4-СМД | Пересечение объекта | 3,4 мм | 5мА | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 15 недель | Неизвестный | 4 | да | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 75мВт | 1 | 75мВт | 10 мкс, 10 мкс | 20 мА | 20 В | 25 мА | 1,1 В | 5мА | 10 мкс | 10 мкс | 0,039 (1 мм) | Фототранзистор | 5В | 20 В | 20 В | 20 В | 20 мА | 5В | 940 нм | 1 мм | 0,15 мА |
