Оптические датчики транзистора - Электронные компоненты Поиск - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Статус Ройс Опуликовано Техниль На PakeT / KORPUES Метод Делина Вес Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Верна - DOSTIчH SVHC Колист PBFREE CODE Конец ЖILIGHNый МАТЕРИАЛ Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Колист. Каналов R. Вернее Колист Сонсирн Кран В конце концов Вес Vpreged VpreDnoE Втипа Ведьтока-макс Верна Я не могу Чywytelnene rassto -jainaonie Raзmerrыrыw Vodnaver -koanfiguraцian Опрена Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo) МАККСКОЛЕРНА Current - DC Forward (if) (max) Охрация. Coll-EMTR BKDN VOLTAGE-MIN ШТат Делина Вонн ТЕМНЕС ТЕМНЕСА Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Шirina slota-noma Колеркшионер
CNZ1111 CNZ1111 Panasonic glektronnene -Componentы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2004 /files/panasonicelectroniccomponents-cnz1112-datasheets-1353.pdf Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН в дар НЕИ 1 6 мкс, 6 мкс 1,2 В. 0,05а 6 мкс 0,197 (5 ММ) 5 ММ Фототраншистор 30 20 май 50 май 200NA 5 ММ 0,3 мая
OPB380L55 OPB380L55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С В 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 май 50 май 30 30 май
CNA1011K CNA1011K Panasonic glektronnene -Componentы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2008 /files/panasonicelectroniccomponents-cna1011k-datasheets-1702.pdf Креплэни Чereзlч в дар НЕИ 1 6 мкс, 6 мкс 0,05а 0,197 (5 ММ) Фототраншистор 50 май 30 200NA 30 20 май 5 ММ 0,3 мая
OPB380L11 OPB380L11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С В 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 май 50 май 30 30 май
OPB360T11 OPB360T11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН 4 100 м 1 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB380L11Z OPB380L11Z TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН 3 nede 4 Не 100 м 1 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB365P51 OPB365P51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 4 100 м 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB375P51 OPB375P51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 4 100 м 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB365L11 OPB365L11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч 4 100 м 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
QVE00033 QVe00033 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Пефер -55 ° C ~ 100 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 1999 /files/onsemyonductor-qVek00033-datasheets-1722.pdf 4-SMD, Плоскилили Чereзlч Сообщите 7 мкс 0,079 (2 мм) Фототраншистор 50 май 30 20 май
GP1S73PJ000F GP1S73PJ000F Оправовов
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Nedrietth Зaщelca -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 1997 /files/sharpmicroelectronics-gp1s74p-datasheets-1341.pdf Модуль, raзъem Чereзlч СОУДНО ПРИОН 3 НЕИ 1 75 м 3 мкс, 4 мкс 50 май 15 мкс 20 мкс 0,197 (5 ММ) Фототраншистор 35 35 20 май 20 май 5 ММ
EE-SX298 EE-SX298 Omron Electronics Inc-Emc Div
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА Neprigodnnый ROHS COMPRINT 2003 /files/omronelectronicsicemcdiv-eesx298-datasheets-1732.pdf Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН 4 НЕИ 1 100 м 70 мкс, 70 мкм 1 50 май 1,2 В. 70 мкс 70 мкс 0,118 (3 мм) Фотодарлингтона 4 35 35 20 май 940 nm 3 ММ 0,5 мая
HOA1882-012 HOA1882-012 Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1882013-datasheets-7387.pdf 30 Креплэни Чereзlч 12,95 мм 50 май 6,35 мм 6,86 мм СОДЕРИТС 10 nedely 4 Policuolpon Не 100 м 1 100 м 15 мкс 1 ИНФракрасн (ir) 30 82ma 50 май 1,6 В. Фототраншистор 15 мкс 15 мкс 0,200 (5,08 мм) Фототраншистор 30 400 м 30 50 май 100NA 30
GP1S59J0000F GP1S59J0000F Sharp/Socle Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН 4 1 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) 75 м 3 мкс, 4 мкс 1 20 май 50 май 1,25 15 мкс 20 мкс 0,165 (4,2 мм) Фототраншистор 35 35 20 май 4,2 мм 0,5 мая
RPI-441C1 RPI-441C1 ROHM Semiconductor
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/rohmsemiconductor-rpi441c1-datasheets-1751.pdf 1,3 В. Креплэни Чereзlч 8 ММ 5,2 мм 4,2 мм СОУДНО ПРИОН 10 nedely 4 в дар Далее, Секребро, олова Не 1 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) 80 м 1 80 м 10 мкс, 10 мкс 50 май 1,3 В. 10 мкс 10 мкс 0,157 (4 мк) Фототраншистор 30 30 30 май 950 nm 500NA 4 мм 1MA
OPB370L11 OPB370L11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч 4 100 м 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB380L51 OPB380L51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С В 2012 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 май 50 май 30 30 май
OPB370P55 OPB370P55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 4 100 м 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB365L55 OPB365L55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч 4 100 м 1 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
GP1L52VJ000F GP1L52VJ000F Оправовов
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 3 (168 чASOW) 85 ° С -25 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/sharp-gp1l52vj000f-datasheets-7166.pdf Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН 4 Далее, Секребро, олова 75 м 80 мкс, 70 мкс 1 50 май 40 мкс 30 мкс 0,118 (3 мм) Фотодарлингтона 35 35 40 май 50 май 35 40 май
HOA1877-001 HOA1877-001 Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 100 ° С -55 ° С ROHS COMPRINT 1997 Креплэни Чereзlч 30 май 4 neDe НЕИ 4 Поликарбонат Не 75 м 15 мкс, 15 мкс 1 30 30 май 50 май 1,6 В. 15 мкс 15 мкс 0,375 (9,52 мм) Фототраншистор 30 400 м 30 30 май 50 май 100NA 30 30 май
QVE00034 QVe00034 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru -55 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 2003 /files/onsemyonductor-qVek00034-datasheets-1692.pdf Модул, буласки pk, typslota Чereзlч 4 мкс, 4 мкс 0,315 (8 мм) Фототраншистор 50 май 30 20 май
OPB375N55 OPB375N55 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Креплэни, Винт ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 4 100 м 1 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
GP1S560J000F GP1S560J000F Оправовов
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 85 ° С -25 ° С ROHS COMPRINT 1997 /files/sharpmicroelectronics gp1s560-datasheets-1360.pdf Креплэни Чereзlч СОУДНО ПРИОН 4 Не 75 м 38 мкс, 48 мкс 1 20 май 50 май 1,2 В. 90 мкс 100 мкс 0,079 (2 мм) Фототраншистор 35 35 20 май 50 май 35 20 май
QCK5 QCK5 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Пефер Пефер -40 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 1999 /files/onsemyonductor-qck5-datasheets-1624.pdf 4-SMD, крхло Чereзlч 1,4 В. СОУДНО ПРИОН 4 100 м 8 мкс, 50 ​​мкс 1 50 май 8 мкс 50 мкс 0,157 (4 мк) Фототраншистор 30 30 940 nm
CNA1012K CNA1012K Panasonic glektronnene -Componentы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru -25 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 2009 /files/panasonicelectroniccomponents-cna1012k-datasheets-1629.pdf Креплэни Чereзlч 1 Не 6 мкс, 6 мкс 0,05а 0,197 (5 ММ) 5 ММ Фототраншистор 50 май 30 30 200NA 30 20 май 5 ММ 0,7 ма
OPB365T51 OPB365T51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Винт Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч 4 100 м 1 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB370L51 OPB370L51 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf Креплэни Чereзlч 4 100 м 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB370N11 OPB370N11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 10 nedely 4 100 м 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май
OPB375P11 OPB375P11 TT Electronics/Optek Technology
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Npoonhenenen ШASCI ШASCI -40 ° C ~ 85 ° C. МАССА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2006 /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf МОДУЛЯ, ПРЕДВАРИТЕЛЕЛЕВОН Чereзlч 4 100 м 50 май 0,125 (3,18 мм) Фототраншистор 30 30 30 май 50 май 890 nm 30 30 май

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.