Транзисторные оптические датчики(1354)

Имя	Производитель	Количество	Размер (ДхШхВ)	Статус детали	Тип	Установить	Тип монтажа	Рабочая температура	Упаковка	Уровень чувствительности к влаге (MSL)	Максимальная рабочая температура	Минимальная рабочая температура	Статус RoHS	Опубликовано	Техническая спецификация	Напряжение — номинальный постоянный ток	Пакет/ключи	Метод измерения	Длина	Входной ток	Высота	Ширина	Рабочее напряжение питания	Без свинца	Срок выполнения заказа на заводе	Количество контактов	Код Pbfree	Контактное покрытие	Материал корпуса	Радиационная закалка	Достичь соответствия кода	Количество функций	Код JESD-609	Терминальные отделки	Поверхностный монтаж	Максимальная рассеиваемая мощность	Количество вариантов	Рассеяние активности	Время ответа	Количество элементов	Количество цепей	Сенсорный экран	Выходное напряжение	Выходной ток	Прямой ток	Прямое напряжение	Тип выхода	Прямой ток-макс.	Время подъема	Осень (тип.)	Расстояние внедрения	Размер зазора	Конфигурация вывода	Обратное напряжение проба	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	Макс. ток коллектора	Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.)	Coll-Emtr Bkdn Минимальное напряжение напряжения	Максимальное напряжение во включенном состоянии	Длина волны	Темный ток	Темный ток-Макс.	Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	Ширина слота-ном.	Номинальный ток коллектора в состоянии включения
ОПБ380Л11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта																																	0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В			30 мА	50 мА						30 В	30 мА
ОПБ360Т11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца		4												100мВт		1					50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ380L11Z	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2012 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца	3 недели	4				Нет								100мВт		1					50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ365П51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта								4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ375П51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта								4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ365Л11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта								4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
QVE00033	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный		Поверхностный монтаж	-55°К~100°К	Лента и катушка (TR)	1 (без блокировки)				1999 год	/files/onsemiconductor-qve00033-datasheets-1722.pdf		4-SMD, плоские выводы	Пересечение объекта													совместимый								7 мкс												0,079 (2 мм)		Фототранзистор						50 мА						30 В	20 мА
GP1S73PJ000F	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Прикрепить	Оснастка	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	1997 год	/files/sharpmicroelectronics-gp1s74p-datasheets-1341.pdf		Модуль, Разъем	Пересечение объекта						Без свинца		3					неизвестный	1						75мВт	3 мкс, 4 мкс						50 мА				15 мкс	20 мкс	0,197 (5 мм)		Фототранзистор		35В		35В	20 мА								20 мА	5 мм
EE-SX298	Omron Electronics Inc., подразделение EMC	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	Непригодный			Соответствует RoHS	2003 г.	/files/omronelectronicsincemcdiv-eesx298-datasheets-1732.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца		4					неизвестный	1						100мВт	70 мкс, 70 мкс	1					50 мА	1,2 В			70 мкс	70 мкс	0,118 (3 мм)		Фотодарлингтон	4В	35В		35В	20 мА				940 нм					3 мм	0,5 мА
НОА1882-012	Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hoa1882013-datasheets-7387.pdf	30 В	Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта	12,95 мм	50 мА	6,35 мм	6,86 мм		Содержит свинец	10 недель	4			Полисульфон	Нет						100мВт	1	100мВт	15 мкс	1		Инфракрасный (ИК)	30 В	82 мА	50 мА	1,6 В	Фототранзистор		15 мкс	15 мкс	0,200 (5,08 мм)		Фототранзистор	3В	30 В	400мВ	30 В		50 мА				100 нА		30 В
GP1S59J0000F	SHARP/Цокольная технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Трубка	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS				Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца		4						1	е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)				75мВт	3 мкс, 4 мкс	1				20 мА	50 мА	1,25 В			15 мкс	20 мкс	0,165 (4,2 мм)		Фототранзистор	6В	35В		35В	20 мА									4,2 мм	0,5 мА
РПИ-441С1	РОМ Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)			Соответствует ROHS3	2005 г.	/files/rohmsemiconductor-rpi441c1-datasheets-1751.pdf	1,3 В	Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта	8 мм		5,2 мм	4,2 мм		Без свинца	10 недель	4	да	Медь, Серебро, Олово		Нет		1	е1	Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu)		80мВт	1	80мВт	10 мкс, 10 мкс						50 мА	1,3 В			10 мкс	10 мкс	0,157 (4 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА				950 нм		500нА			4 мм	1 мА
ОПБ370Л11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта								4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ380Л51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	2012 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта																																	0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В			30 мА	50 мА						30 В	30 мА
ОПБ375Т51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2012 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта								4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ380П51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта																																	0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В			30 мА	50 мА						30 В	30 мА
CNZ1111	Электронные компоненты Panasonic	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	2004 г.	/files/panasonicelectroniccomComponents-cnz1112-datasheets-1353.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца			да				неизвестный	1							6 мкс, 6 мкс							1,2 В		0,05 А	6 мкс		0,197 (5 мм)	5 мм	Фототранзистор		30 В			20 мА	50 мА					200нА			5 мм	0,3 мА
ОПБ375Н55	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на раму, винт	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта								4												100мВт		1					50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
GP1S560J000F	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Трубка	1 (без блокировки)	85°С	-25°С	Соответствует RoHS	1997 год	/files/sharpmicroelectronics-gp1s560-datasheets-1360.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта						Без свинца		4				Нет								75мВт	38 мкс, 48 мкс	1				20 мА	50 мА	1,2 В			90 мкс	100 мкс	0,079 (2 мм)		Фототранзистор	6В	35В		35В	20 мА	50 мА						35В	20 мА
QCK5	ОН Полупроводник	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж	-40°К~100°К	Трубка	1 (без блокировки)			Соответствует RoHS	1999 год	/files/onsemiconductor-qck5-datasheets-1624.pdf		4-СМД, Крыло Чайки	Пересечение объекта					1,4 В	Без свинца		4												100мВт	8 мкс, 50 мкс	1					50 мА				8 мкс	50 мкс	0,157 (4 мм)		Фототранзистор	5В	30 В		30 В					940 нм
CNA1012K	Электронные компоненты Panasonic	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный		Сквозное отверстие	-25°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)				2009 год	/files/panasonicelectroniccomComponents-cna1012k-datasheets-1629.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта														1			НЕТ				6 мкс, 6 мкс									0,05 А			0,197 (5 мм)	5 мм	Фототранзистор						50 мА	30 В	30 В			200нА	30 В	20 мА	5 мм	0,7 мА
ОПБ365Т51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Винт, сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта								4												100мВт		1					50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ370Л51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Сквозное отверстие	Сквозное отверстие	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Монтаж на печатной плате	Пересечение объекта								4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ370Н11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта							10 недель	4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ375П11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта								4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ370П51	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта								4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ830W55	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на раму, винт	Крепление на шасси	-40°К~80°К	Масса	1 (без блокировки)	80°С	-40°С	Не соответствует требованиям RoHS	1997 год	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb840w11-datasheets-1501.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта			10,8 мм					4			Пластик									100мВт		1					50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА						30 В	30 мА
GP1S196HCZSF	Острая микроэлектроника	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Поверхностный монтаж	Поверхностный монтаж, крыло чайки	-25°К~85°К	Трубка	3 (168 часов)			Соответствует RoHS	2006 г.			4-СМД	Пересечение объекта						Без свинца		4		Медь, Олово		Нет		1	е6	Олово/Висмут (Sn/Bi)				100мВт	50 мкс, 50 мкс		1				30 мА				150 мкс	150 мкс	0,043 (1,1 мм)		Фототранзистор	6В	35В		35В	20 мА				930 нм				20 мА	1,1 мм	20 мА
ОПБ360П11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на раму, винт	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта	18,47 мм		10,8 мм	6,35 мм			10 недель	4				Нет						100мВт		100мВт		1					50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор	2В	30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА
ОПБ370П11	ТТ Электроникс/Оптек Технология	запросить цену Мин: 1 Мульт: 1	0x0x0	скачать	Неусиленный	Крепление на шасси	Крепление на шасси	-40°К~85°К	Масса	1 (без блокировки)	85°С	-40°С	Соответствует RoHS	2006 г.	/files/ttelectronicsoptektechnology-opb355p-datasheets-4238.pdf		Модуль предварительно смонтированный	Пересечение объекта								4												100мВт							50 мА						0,125 (3,18 мм)		Фототранзистор		30 В		30 В	30 мА	50 мА			890 нм			30 В	30 мА

Транзисторные оптические датчики(1354)

Скайп

WhatAapp

Электронная почта

Тел.

В наличии