Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Материал | Срок выполнения заказа на заводе | Рейтинги | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Материал корпуса | Радиационная закалка | Максимальное напряжение питания (постоянный ток) | Минимальное напряжение питания (постоянный ток) | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный выходной ток | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Пиковая длина волны | Темный ток | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EE-SX1160-W11 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~80°К | Поднос | Непригодный | Соответствует RoHS | 2013 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1160w11-datasheets-9725.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 10 недель | 4 мкс | 50 мА | 1,2 В | 0,374 (9,5 мм) | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 50 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX971-C1 | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на раму, винт М3. | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/omron-eesx971c1-datasheets-6740.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 2 недели | 4 мкс | Фототранзистор | 0,020 (0,5 мм) | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ802Л55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb800l51-datasheets-7403.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 1,7 В | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 1 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX676P-WR 1M | Omron Автоматизация и безопасность | $47,85 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EE-SX67 | Крепление на шасси | -25°С~55°С ТА | Непригодный | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/omronautomationandsafety-ee1006-datasheets-2671.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX954-W 3М | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2009 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ870П55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX952P-R 1M | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ITR9608-F | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/everlightelectronicscoltd-itr9608f-datasheets-9903.pdf | Щелевой модуль | Пересечение объекта | Без свинца | 15 недель | 4 | да | 1 | НЕ УКАЗАН | 75мВт | 1 | 20 мА | 50 мА | 15 мкс | 15 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 5В | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 940 нм | 5 мм | 2,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890L11Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SH3-CS | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Припой, сквозное отверстие | Припой | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 9 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ815WZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb815l-datasheets-7436.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 31,75 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 16 мА | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 20 мА | 1,7 В | 0,375 (9,53 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 16 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 890 нм | 30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX953-W 1M | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-579 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/rohmsemiconductor-rpi579-datasheets-9804.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | да | Медь, Серебро, Олово | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 80мВт | 0,05А | 10 мкс | 10 мкс | 0,197 (5 мм) | 5 мм | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 800 нм | 500нА | 30 мА | 5 мм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX953-W 3М | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX950P-R 1M | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 4 недели | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА2862-002 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywell-hoa2862002-datasheets-6733.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 14 недель | 4 | Полиэстер | 75мВт | 15 мкс | 1 | 50 мА | 1,6 В | 15 мкс | 15 мкс | 0,100 (2,54 мм) | Фототранзистор | 3В | 30 В | 400мВ | 30 В | 30 мА | 50 мА | 100нА | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1161-W11 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Поднос | Непригодный | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1161w11-datasheets-9845.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 10 недель | неизвестный | 4 мкс | 50 мА | 1,2 В | 0,126 (3,2 мм) | Фототранзистор | 30 В | 20 мА | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX953P-R 1M | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | PNP — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТКУТ1600X01 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-tcut1600x01-datasheets-9540.pdf | Модуль, без результата, тип слота | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | неизвестный | 9 мкс, 16 мкс | 25 мА | 1,2 В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 20 В | 20 В | 20 мА | 25 мА | 950 нм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1115 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1115-datasheets-9701.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 7 недель | Неизвестный | 4 | 1,5 В | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ350Л125 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ОПБ350 | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-ocb350l187z-datasheets-5332.pdf | Модуль, выводы проводов, тип слота | Жидкость | 10 недель | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 50 мА | 50 мА | 30 В | 50 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-Ш3-Б | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30 В | 30 В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX954-R 1М | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Усиленный | EE-SX95 | Крепление на шасси | -25°К~55°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2015 год | Модуль, выводы проводов, тип слота | Пересечение объекта | 2 недели | 0,197 (5 мм) | NPN — Включение темноты/Включение света — по выбору | 50 мА | 24В | 15 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ871Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SJ3-C | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesj3d-datasheets-7712.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 7 недель | 4 | да | неизвестный | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 4В | 30 В | 30 В | 20 мА | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ829CZ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, печатная плата, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf | 30 В | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 24,64 мм | 20 мА | 10,03 мм | 24,64 мм | Без свинца | Пластик | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30 В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 890 нм | 30 В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1350 | Omron Electronics Inc., подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Лента и катушка (TR) | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/omron-eesx1350-datasheets-6703.pdf | Модуль, без результата, тип слота | Пересечение объекта | 9,2 мм | 9 недель | 30 мА | 1,2 В | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 11 мкс | 14 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 20 мА | 940 нм | 10нА | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX972-C1 | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на раму, винт М3. | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Разъем | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/omron-eesx972c1-datasheets-6705.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 2 недели | IP50 | 4 | Полибутилен | 24В | 5В | 4 мкс | 0,020 (0,5 мм) | 30 В | 30 В | 20 мА | 50 мА | 30 В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380Т55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ880Н11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Свободное подвешивание | Свободное подвешивание | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30 В | 30 В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30 В | 30 мА |
