+86 19168759373 info@chipsmt.ru

BJT Transistors Arrays (1927)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	В припании	МОНТАНАНГИП	PakeT / KORPUES	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Синла - МАКС	Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks	Current - Collector (IC) (MMAKS)	Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	Это	DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce	ASTOTA - PRERESHOD	Vce saturation (max) @ ib, ic	Rerзystor - baзa (r1)	Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2)	Млн
RN4989, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	70 @ 10ma, 5v	250 мг, 200 мг	300 м.	47komm	22khh	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2904, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen	80 @ 10ma, 5в	200 мг	300 м.	47komm	47komm	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN4981, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	30 @ 10ma, 5 В	250 мг, 200 мг	300 м.	4,7 КОМ	4,7 КОМ	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN4988, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	80 @ 10ma, 5в	250 мг, 200 мг	300 м.	22khh	47komm	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2903, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen	70 @ 10ma, 5v	200 мг	300 м.	22khh	22khh	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1902, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	50 @ 10ma, 5 В	250 мг	300 м.	10 Комов	10 Комов	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1903, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	70 @ 10ma, 5v	250 мг	300 м.	22khh	22khh	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN4982, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	50 @ 10ma, 5 В	250 мг, 200 мг	300 м.	10 Комов	10 Комов	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2911, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	100NA (ICBO)	2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen	120 @ 1MA, 5V	200 мг	300 м.	10 Комов	-	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN4984, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	80 @ 10ma, 5в	250 мг, 200 мг	300 м.	47komm	47komm	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1910, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	100NA (ICBO)	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	120 @ 1MA, 5V	250 мг	300 м.	4,7 КОМ	-	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN4906, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	80 @ 10ma, 5в	200 метров, 250 мгр.	300 м.	4,7 КОМ	47komm	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN4904, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	80 @ 10ma, 5в	200 метров, 250 мгр.	300 м.	47komm	47komm	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN4902, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	50 @ 10ma, 5 В	200 метров, 250 мгр.	300 м.	10 Комов	10 Комов	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2902, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen	50 @ 10ma, 5 В	200 мг	300 м.	10 Комов	10 Комов	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1907, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	80 @ 10ma, 5в	250 мг	300 м.	10 Комов	47komm	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN4901, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	30 @ 10ma, 5 В	200 метров, 250 мгр.	300 м.	4,7 КОМ	4,7 КОМ	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN4908, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	80 @ 10ma, 5в	200 метров, 250 мгр.	300 м.	22khh	47komm	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN2908, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	500NA	2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen	80 @ 10ma, 5в	200 мг	300 м.	22khh	47komm	Toshiba semiconductor и хraneneee
RN1911, LXHF (Ct	Toshiba semiconductor и хraneneee	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	US6	200 м	50	100 май	100NA (ICBO)	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	120 @ 1MA, 5V	250 мг	300 м.	10 Комов	-	Toshiba semiconductor и хraneneee
EMD38T2R	ROHM Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	SOT-563, SOT-666	Emt6	150 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	68 @ 5ma, 5 В	250 мг	300 мв 250 мка, 5 май, 300 м.	1 кум	47KOHMS, 10KOMM	ROHM Semiconductor
Emb60t2r	ROHM Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	SOT-563, SOT-666	Emt6	150 м	50	100 май	500NA	2 pnp preredvaritelnos -smeheneneeneneenen (Dvoйnoй)	80 @ 5ma, 10 В	250 мг	150 мв 500 мк, 5	2kohms	47komm	ROHM Semiconductor
EMH53T2R	ROHM Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	SOT-563, SOT-666	Emt6	150 м	50	100 май	500NA (ICBO)	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	100 @ 5ma, 10 В	250 мг	150 мв 500 мк, 5	4,7 КОМ	-	ROHM Semiconductor
EMD52T2R	ROHM Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	SOT-563, SOT-666	Emt6	150 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	60 @ 5ma, 10 В	250 мг	150 мв 500 мк, 5	22khh	22khh	ROHM Semiconductor
Emb53t2r	ROHM Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	SOT-563, SOT-666	Emt6	150 м	50	100 май	500NA (ICBO)	2 pnp preredvaritelnos -smeheneneeneneenen (Dvoйnoй)	100 @ 5ma, 10 В	250 мг	150 мв 500 мк, 5	4KOHMS	-	ROHM Semiconductor
EMD72T2R	ROHM Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	SOT-563, SOT-666	Emt6	150 м	50	100 май	500NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	80 @ 5ma, 10 В	250 мг	150 мв 500 мк, 5	4,7 КОМ	47komm	ROHM Semiconductor
EMH51T2R	ROHM Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	SOT-563, SOT-666	Emt6	150 м	50	100 май	500NA	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	60 @ 5ma, 10 В	250 мг	150 мв 500 мк, 5	22khh	22khh	ROHM Semiconductor
Emb52t2r	ROHM Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	SOT-563, SOT-666	Emt6	150 м	50	100 май	500NA	2 pnp preredvaritelnos -smeheneneeneneenen (Dvoйnoй)	80 @ 5ma, 10 В	250 мг	150 мв 500 мк, 5	47komm	47komm	ROHM Semiconductor
EMH52T2R	ROHM Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-	Пефер	SOT-563, SOT-666	Emt6	150 м	50	100 май	500NA	2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй)	80 @ 5ma, 10 В	250 мг	150 мв 500 мк, 5	47komm	47komm	ROHM Semiconductor
Nhumd3f	Nexperia USA Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Автомобиль, AEC-Q101	Пефер	6-tssop, SC-88, SOT-363	6-tssop	350 м	80	100 май	100NA	1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй)	50 @ 10ma, 5 В	170 мг.	100 мВ @ 500 мк, 10 мая	10 Комов	10 Комов	Nexperia USA Inc.