Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактBJT Transistors Arrays (1927)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | В припании | МОНТАНАНГИП | PakeT / KORPUES | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Синла - МАКС | Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | Current - Collector (IC) (MMAKS) | Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | Это | DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | ASTOTA - PRERESHOD | Vce saturation (max) @ ib, ic | Rerзystor - baзa (r1) | Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | Млн |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5338DW1T3G | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | - | Пефер | 6-tssop, SC-88, SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 250 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 20 @ 5ma, 10 В | - | 250 мВ @ 300 мк, 10 мая | 4,7 Ком, 47 Ком | 10KOHMS, 47KOMM | OnSemi | |||
| NSVMUN5338DW1T3G | OnSemi | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | 6-tssop, SC-88, SOT-363 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | 250 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 20 @ 5ma, 10 В | - | 250 мВ @ 300 мк, 10 мая | 4,7 Ком, 47 Ком | 10KOHMS, 47KOMM | OnSemi | |||
| PQMD2147 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Nxp poluprovoDonnyki | ||||||||||||||||
| PQMD10147 | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | * | Nxp poluprovoDonnyki | ||||||||||||||||
| RN2911FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 100NA (ICBO) | 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen | 120 @ 1MA, 5V | 200 мг | 300 м. | 10 Комов | - | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN1906FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) | 80 @ 10ma, 5в | 250 мг | 300 м. | 4,7 КОМ | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN2908FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen | 80 @ 10ma, 5в | 200 мг | 300 м. | 22khh | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN1907FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) | 80 @ 10ma, 5в | 250 мг | 300 м. | 10 Комов | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN1910FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 100NA (ICBO) | 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) | 120 @ 1MA, 5V | 250 мг | 300 м. | 4,7 КОМ | - | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN2904FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen | 80 @ 10ma, 5в | 200 мг | 300 м. | 47komm | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | |||
| RN1904FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) | 80 @ 10ma, 5в | 250 мг | 300 м. | 47komm | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN4985FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 80 @ 10ma, 5в | 250 мг, 200 мг | 300 м. | 2,2KOM | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | |||
| RN4901FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 30 @ 10ma, 5 В | 200 метров, 250 мгр. | 300 м. | 4,7 КОМ | 4,7 КОМ | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN2902FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen | 50 @ 10ma, 5 В | 200 мг | 300 м. | 10 Комов | 10 Комов | Toshiba semiconductor и хraneneee | |||
| RN1911FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 100NA (ICBO) | 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) | 120 @ 1MA, 5V | 250 мг | 300 м. | 10 Комов | - | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN1909FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) | 70 @ 10ma, 5v | 250 мг | 300 м. | 47komm | 22khh | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN4988FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 80 @ 10ma, 5в | 250 мг, 200 мг | 300 м. | 22khh | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN2910FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 100NA (ICBO) | 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen | 120 @ 1MA, 5V | 200 мг | 300 м. | 4,7 КОМ | - | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN4981FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 30 @ 10ma, 5 В | 250 мг, 200 мг | 300 м. | 4,7 КОМ | 4,7 КОМ | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN4987FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 80 @ 10ma, 5в | 250 мг, 200 мг | 300 м. | 10 Комов | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN4989FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 70 @ 10ma, 5v | 250 мг, 200 мг | 300 м. | 47komm | 22khh | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN4910FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 100NA (ICBO) | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 120 @ 1MA, 5V | 200 метров, 250 мгр. | 300 м. | 4,7 КОМ | - | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN4991FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 100NA (ICBO) | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 120 @ 1MA, 5V | 250 мг, 200 мг | 300 м. | 10 Комов | - | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN2905FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen | 80 @ 10ma, 5в | 200 мг | 300 м. | 2,2KOM | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN4907FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 80 @ 10ma, 5в | 200 метров, 250 мгр. | 300 м. | 10 Комов | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN2906FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen | 80 @ 10ma, 5в | 200 мг | 300 м. | 4,7 КОМ | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | |||
| RN2903FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen | 70 @ 10ma, 5v | 200 мг | 300 м. | 22khh | 22khh | Toshiba semiconductor и хraneneee | |||
| RN4984FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 80 @ 10ma, 5в | 250 мг, 200 мг | 300 м. | 47komm | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN4983FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) | 70 @ 10ma, 5v | 250 мг, 200 мг | 300 м. | 22khh | 22khh | Toshiba semiconductor и хraneneee | ||||
| RN1908FE, LXHF (Ct | Toshiba semiconductor и хraneneee | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Автомобиль, AEC-Q101 | Пефер | SOT-563, SOT-666 | ES6 | 100 м | 50 | 100 май | 500NA | 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) | 80 @ 10ma, 5в | 250 мг | 300 м. | 22khh | 47komm | Toshiba semiconductor и хraneneee |
