Массивы транзисторов BJT - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Упако Вернояж Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Верна - КОД ECCN Доленитейн Ая DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Поседл Коунфигуразия Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ MATERIOLTRANSHOTORA Коунфигура Прилоэна Пола Power Dissipation-Max (ABS) Колемкшионерток Коллеркшионер-имиттер-naprayonee-maks Neprerыvnыйtokkollekshyorana Синла - МАКС Power Dissipation-Max МАКСИМАЛИН Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo) МАККСКОЛЕРНА DCTOK-UWEREGHENEEE (hfe) Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks Current - Collector (IC) (MMAKS) Napraheneee boshovowowogogolyheenhynaipe (Vebo) Hfe Min Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) Это DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce ASTOTA - PRERESHOD Vce saturation (max) @ ib, ic Rerзystor - baзa (r1) Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) Колиствот Млн
NHUMB2X Nhumb2x Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 6-tssop 350 м 80 100 май 100NA 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 100 @ 10ma, 5 В 150 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 47komm 47komm Nexperia USA Inc.
NHUMD10F Nhumd10f Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 6-tssop 350 м 80 100 май 100NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 100 @ 10ma, 5 В 170 мг. 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 2,2KOM 47komm Nexperia USA Inc.
NHUMD12X NHUMD12X Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 6-tssop 350 м 80 100 май 100NA 1 npn, 1 pnp - predvariotelnonosmeheneeneeneneeneenen (Dvoйnoй) 100 @ 10ma, 5 В 170 мг. 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 47komm 47komm Nexperia USA Inc.
NHUMH1F Nhumh1f Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 6-tssop 350 м 80 100 май 100NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 70 @ 10ma, 5v 170 мг 100 мВ @ 500 мк, 10 мая 22khh 22khh Nexperia USA Inc.
SMUN2233T1 SMUN2233T1 OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
PBLS1503V,115-NXP PBLS1503V, 115-NXP Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 - Пефер SOT-563, SOT-666 SOT-666 300 м 50 В, 15 В. 100 май, 500 мат 1 Млекс, 100NU 1 npn, prervariotelnonos -sэtapnый, 1 pnp 30 @ 5ma, 5V, 200 @ 10ma, 2V 280 мг 150 мв 500 мк, 10 май, 250 м. При 50 мам, 500 10 Комов 10 Комов NXP USA Inc.
UMH25NFHATN UMH25NFHATN ROHM Semiconductor
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер 6-tssop, SC-88, SOT-363 UMT6 150 м 50 100 май 500NA 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) 80 @ 10ma, 5в 250 мг 300 м. 4,7 КОМ 47komm ROHM Semiconductor
NSBC114EPDXVT1G NSBC114EPDXVT1G OnSemi
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * OnSemi
PUMB17/ZL115 PUMB17/ZL115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 * Nexperia USA Inc.
BCR185SH6327TR BCR185SH6327TR Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Автомобиль, AEC-Q101 Пефер 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 PG-SOT363-6-1 250 м 50 100 май 100NA (ICBO) 2 pnp - prervariotelnonosmeheneeneeneeneen 70 @ 5ma, 5 В 200 мг 300 мВ 500 мк, 10 10 Комов 47komm Infineon Technologies
NSBC144EDXV6T5 NSBC144EDXV6T5 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 ROHS COMPRINT [obъekt obъekta] Ear99 Вестрон, Сообщите E3 Олово (sn) В дар Дон Плоски 260 6 40 2 Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal Н.Квалиирована R-PDSO-F6 Кремни Otdelne, 2 эlementa so -strohennnnnnhmer - Псевдон Npn 0,5 0,1а 50 80 6
NSBA123JDXV6T5 NSBA123JDXV6T5 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT Ear99 Вестрон, выступая E3 Олово (sn) В дар Дон Плоски 260 6 40 2 Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal Н.Квалиирована R-PDSO-F6 Кремни Otdelne, 2 эlementa so -strohennnnnnhmer - Псевдон Pnp 0,5 0,1а 50 80 6
NSBC124XPDXV6T1 NSBC124XPDXV6T1 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 ROHS COMPRINT [obъekt obъekta] Ear99 Вестрон. Сообщите E3 Олово (sn) В дар Дон Плоски 260 6 40 2 Bip obhego nahonaчenemena nebolshoй yegnal Н.Квалиирована R-PDSO-F6 Кремни Otdelne, 2 эlementa so -strohennnnnnhmer - Псевдон Npn и pnp 0,5 0,1а 50 80 6
RN4986FE,LF(CB RN4986FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4986felfcb-datasheets-3561.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN4984FE,LF(CB RN4984FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4984444felfcb-datasheets-3473.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 250 мг
RN4906FE,LF(CB RN4906FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4906felfcb-datasheets-3386.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN4905FE,LF(CB RN4905FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4905felfcb-datasheets-3273.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN2905FE,LF(CB RN2905FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn2905felfcb-datasheets-3075.pdf 12 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN1907FE,LF(CB RN1907FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn1907felfcb-datasheets-2227.pdf 12 100 м 50 50 300 м 100 май 250 мг
RN1905FE,LF(CB RN1905FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn1905felfcb-datasheets-2118.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 250 мг
RN4990FE,LF(CB RN4990FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4990felfcb-datasheets-2944.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN4987FE,LF(CB RN4987FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4987felfcb-datasheets-2865.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN4983FE,LF(CB RN4983FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4983felfcb-datasheets-2772.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 250 мг
RN4982FE,LF(CB RN4982FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4982felfcb-datasheets-2657.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 250 мг
RN4981FE,LF(CB RN4981FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4981felfcb-datasheets-2570.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN4907FE,LF(CB RN4907FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4907felfcb-datasheets-2458.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN4904FE,LF(CB RN4904FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn4904felfcb-datasheets-2361.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN2910FE,LF(CB RN2910FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn2910felfcb-datasheets-2231.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN2907FE,LF(CB RN2907FE, LF (CB Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn2907felfcb-datasheets-2056.pdf 16 100 м 50 50 300 м 100 май 200 мг
RN2905T5LFT RN2905T5LFT Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Веса ROHS COMPRINT 2014 /files/toshiba-rn2905t5lft-datasheets-0254.pdf SOT-363 18 Pnp Дон -100 Ма 200 м 50 50 300 м 100 май -5V 80 200 мг

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.