Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГБУ1504ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБУ | 6А | 175А | 5 мкА | 5А | 400В | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBHM220L-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm2100lg-datasheets-8887.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 4 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 20 В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 20 В | 1 при мА 20 В | 550 мВ при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ1004ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 10 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ605Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbl601gt0-datasheets-0530.pdf | 4-СИП, КБЛ | 5 недель | КБЛ | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBJ401G | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-СИП, КБЖ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | КБЖ | 4А | 120А | 5 мкА | 5А | 100 В | Однофазный | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ802 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 10 недель | ГБУ | Однофазный | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ804 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 10 недель | ГБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBLA02-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | лавина | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbla04e351-datasheets-0593.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 4А | 120А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | Однофазный | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||
| DF1508S-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-df1504stg-datasheets-9878.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | DF1508 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 50А | 1,5 А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ10 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, ГБЛ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБЛ | 4А | 150А | 5 мкА | 5А | 1кВ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ603Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbl601gt0-datasheets-0530.pdf | 4-СИП, КБЛ | 10 недель | КБЛ | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU607HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 10 недель | ГБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF202S-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-df204stg-datasheets-9495.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | 4 | EAR99 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Однофазный | 60А | 2А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ606Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbl601gt0-datasheets-0530.pdf | 4-СИП, КБЛ | 5 недель | КБЛ | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR1-D040 PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbr1d060pbfree-datasheets-7701.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 46 недель | е3 | МАТОВЫЙ ТИН ПОВЕРХ НИКЕЛЯ | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 50А | 1А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ15005ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU4J | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2013 год | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБУ | 4А | 150А | 5 мкА | 5А | 600В | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ06 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, ГБЛ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБЛ | 4А | 150А | 5 мкА | 5А | 600В | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ604Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbl601gt0-datasheets-0530.pdf | 4-СИП, КБЛ | 10 недель | КБЛ | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г2СБ80-Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sb80e351-datasheets-0542.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,5 А | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | Однофазный | 1 | 800В | 50 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | |||||||||||||||||||||||
| ДБ101-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-db107g-datasheets-0381.pdf | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 10 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | ДБ101 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 30А | 1 | 1А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||
| Г2СБ80-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sb80e351-datasheets-0542.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | Без свинца | 4 | 8 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,5 А | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | Однофазный | 1 | 800В | 50 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | ||||||||||||||||||||||
| ТС10КЛ100 Д3Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-ts10kl80d3g-datasheets-9723.pdf | 4-СИП, КБЖЛ | 10 недель | КБЖЛ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В @ 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU4D | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, ГБУ | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | ГБУ | 4А | 150А | 5 мкА | 5А | 200В | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF208S-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/comchiptechnology-df204stg-datasheets-9495.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | 4 | EAR99 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Однофазный | 60А | 2А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBHM230L-HF | Комчип Технология | 0,70 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm2100lhf-datasheets-9012.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 4,9 мм | 3,33 мм | 7,24 мм | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 50А | 1 мА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 2А | 30В | 1 при мА 30 В | 550 мВ при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GBLA04-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbla04e351-datasheets-0593.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 4А | 120А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | Однофазный | 1 | 3А | 5 мкА при 400 В | 1 В при 4 А | 3А | ||||||||||||||||||||||
| ГБУ1501ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBLA04-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbla04e351-datasheets-0593.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 4А | 120А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | Однофазный | 1 | 3А | 5 мкА при 400 В | 1 В при 4 А | 3А |
