| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DF02S-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-df005sg-datasheets-0750.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | DF02 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 1А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||
| GBU401GTB | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП202Г-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-kbp210gg-datasheets-9668.pdf | 4-СИП, КБП | 12 недель | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBHM290L-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm2100lg-datasheets-8887.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 4 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 90В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 90В | 1 при мА 90 В | 850 мВ при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||
| CD-DF410SL | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/bournsinc-cddf410s-datasheets-9585.pdf | Чип, Вогнутые клеммы | 18 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | CD-DF | НЕ УКАЗАН | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 900 мВ при 2 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBHM280L-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm2100lg-datasheets-8887.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 4 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 80В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 80В | 1 при мА 80 В | 850 мВ при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||
| КБП208Г-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-kbp210gg-datasheets-9668.pdf | 4-СИП, КБП | 12 недель | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ408ГТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УР8КБ60 C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ur8kb80c2g-datasheets-0254.pdf | 4-ЭСИП | 4 | 5 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | Однофазный | 170А | 1 | 8А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||
| CDBHM280L-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm2100lhf-datasheets-9012.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 50А | 2А | 80В | 1 при мА 80 В | 850 мВ при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||
| CBRHD-06 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Коробка | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/centralsemiconductorcorp-cbrhd02tr13pbfree-datasheets-6749.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | совместимый | ДА | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 0,8А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В @ 400 мА | 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| УР4КБ80-Б C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ur4kb100bc2g-datasheets-0216.pdf | 4-ЭСИП | 6 недель | Д3К | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 2 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБ155Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 4 | Р-ПДИП-Т4 | 1,5 А | 50А | 5 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 5А | 600В | Однофазный | 1 | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||
| ГБУ402ГТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBHM250L-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm2100lhf-datasheets-9012.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 50А | 2А | 50В | 1 при мА 50 В | 700 мВ при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||
| CD-HD201L | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/bournsinc-cdhd201-datasheets-9016.pdf | Чип, Вогнутые клеммы | 18 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | CD-HD | НЕ УКАЗАН | Однофазный | 100 В | 100 мкА при 100 В | 850 мВ при 1 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| УР8КБ100 C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ur8kb80c2g-datasheets-0254.pdf | 4-ЭСИП | 5 недель | Д3К | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УР8КБ80 C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ur8kb80c2g-datasheets-0254.pdf | 4-ЭСИП | 4 | 5 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | Однофазный | 170А | 1 | 8А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,2 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||
| КБП2005Г-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-kbp210gg-datasheets-9668.pdf | 4-СИП, КБП | 12 недель | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU4005GTB | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS208G РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls203grdg-datasheets-0167.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 4 | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1200В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 1,2 кВ | 2 мкА при 1200 В | 1,3 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||
| GBU6005ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 6 А | 6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD-DF408SL | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/bournsinc-cddf410s-datasheets-9585.pdf | Чип, Вогнутые клеммы | 18 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | CD-DF | НЕ УКАЗАН | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 0,9 В при 2 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU404GTB | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП204Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | 4-СИП, КБП | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | КБП | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ408ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XBR12A8-Г | Торекс Полупроводник, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XBR12A | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/torexsemiconductorltd-xbr12a10g-datasheets-0213.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 10 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | 4 | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||
| РДБЛС207Г РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-rdbls207gc1g-datasheets-9978.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | ДБЛС | Однофазный | 1кВ | 2 мкА при 1000 В | 1,15 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS107G РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | ДБЛС | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,7 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБС26 РГГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-sbs25reg-datasheets-0182.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | Однофазный | 60В | 50 мкА при 60 В | 700 мВ при 2 А | 2А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.