| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Контактное сопротивление | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальное номинальное напряжение (переменный ток) | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Напряжение проба | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CBRHD-02 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Может | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbrhd02tr13pbfree-datasheets-6749.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 15 недель | ДА | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 0,8 А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 400 мА | 500 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS201GHRDG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls203grdg-datasheets-0167.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | ДБЛС | Однофазный | 50В | 2 мкА при 50 В | 1,15 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF1501S-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-df1506se345-datasheets-7395.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 250 | DF1501 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 50А | 5 мкА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 100В | 50А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SBS24HREG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-sbs25reg-datasheets-0182.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | АБС | Однофазный | 40В | 100 мкА при 40 В | 500 мВ при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБ154Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 недели | 280Ом | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | 1,5 А | 50А | 5 мкА | 5А | 400В | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SBS26 РЕГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-sbs25reg-datasheets-0182.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | АБС | Однофазный | 60В | 50 мкА при 60 В | 700 мВ при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS152GHRDG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls157grdg-datasheets-6853.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | ДБЛС | Однофазный | 100В | 2 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБ156Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 300 | Прямой | 10мОм | ДВОЙНОЙ | 4 | Р-ПДИП-Т4 | 1,27 мм | 1,5 А | 240В | 50А | 5 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 5А | 800В | Однофазный | 1 | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Двухместный номер 204G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbl202gc1g-datasheets-9623.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 400В | 2 мкА при 400 В | 1,15 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS156G РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls157grdg-datasheets-6853.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | ДБЛС | Однофазный | 800В | 2 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СБС36 РГГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-sbs36rgg-datasheets-0020.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | АБС | Однофазный | 60В | 500 мкА при 60 В | 500 мВ при 3 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS106GHRDG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | ДБЛС | Однофазный | 800В | 2 мкА при 800 В | 1,1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБ157Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 2017 год | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | да | 300 | Прямой | 10мОм | ДВОЙНОЙ | 4 | Р-ПДИП-Т4 | 1,27 мм | 1,5 А | 240В | 50А | 5 мкА | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | 5А | 1кВ | Однофазный | 1 | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Двухместный номер 207GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbl202gc1g-datasheets-9623.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | двухместный номер | Однофазный | 1кВ | 2 мкА при 1000 В | 1,15 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD-HD2006 | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/bournsinc-cdhd201-datasheets-9016.pdf | Чип, Вогнутые клеммы | 4 | 18 недель | да | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | CD-HD | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДСО-Н4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 60В | 200 мкА при 60 В | 700 мВ при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS107GHRDG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | ДБЛС | Однофазный | 1кВ | 2 мкА при 1000 В | 1,1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Двухместный номер 103GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbl106gc1g-datasheets-9313.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | двухместный номер | Однофазный | 200В | 2 мкА при 200 В | 1,1 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДБФ256-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-SMD, плоские выводы | 4 | 12 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДСО-Ф4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 75А | 1 | 2,5 А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,3 В при 2,5 А | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS202G РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls203grdg-datasheets-0167.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ДА | ДВОЙНОЙ | 4 | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 100В | 2 мкА при 100 В | 1,15 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF02S-T | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-df04st-datasheets-9291.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,4 мм | 6,5 мм | Без свинца | 4 | 9 недель | 4 | нет | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | ДВОЙНОЙ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1А | 1,1 В | 50А | 200В | КРЕМНИЙ | 50А | 10 мкА | 200В | 50А | Однофазный | 1А | 1 | 1А | 140 В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||
| КБП404ГТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBHM120L-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm140lhf-datasheets-9432.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 4 | 10 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 20 В | Однофазный | 40А | 1 | 0,8 А | 20 В | 500 мкА при 20 В | 550 мВ при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF15005S-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-df1506se345-datasheets-7395.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 250 | DF15005 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 1,1 В | 50А | 5 мкА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 50В | 50А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DFL1508S-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-dfl1508se377-datasheets-6847.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | ДФС | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДБЛС207Г C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-rdbls207gc1g-datasheets-9978.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | ДБЛС | Однофазный | 1кВ | 2 мкА при 1000 В | 1,15 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБ152Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 недели | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | 1,5 А | 50А | 5 мкА | 5А | 100В | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Двухместный номер 208G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbl202gc1g-datasheets-9623.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1200В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 1,2 кВ | 2 мкА при 1200 В | 1,3 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Двухместный номер 208GHC1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbl202gc1g-datasheets-9623.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | двухместный номер | Однофазный | 1,2 кВ | 2 мкА при 1200 В | 1,3 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF02ST-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/comchiptechnology-df005sg-datasheets-0750.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 10 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | DF02 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 30А | 1 | 1А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РДБФ258-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-SMD, плоские выводы | 4 | 12 недель | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДСО-Ф4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 75А | 1 | 2,5 А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,3 В при 2,5 А | 2,5 А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.