Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| УР4КБ60-Б C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ur4kb100bc2g-datasheets-0216.pdf | 4-ЭСИП | 6 недель | Д3К | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ402ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBRHD-04 БК PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Коробка | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/centralsemiconductorcorp-cbrhd02tr13pbfree-datasheets-6749.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | совместимый | ДА | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 0,8А | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В @ 400 мА | 500 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УГ6КБ20ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBHM240L-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm2100lg-datasheets-8887.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 4 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | CDBHM240 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 40В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 40В | 1 при мА 40 В | 550 мВ при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS105GHRDG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls104grdg-datasheets-6761.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | ДБЛС | Однофазный | 600В | 2 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBHM250L-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm2100lg-datasheets-8887.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 4 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 50В | 1 при мА 50 В | 700 мВ при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS105G РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | ДБЛС | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDBHM230L-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-cdbhm2100lg-datasheets-8887.pdf | ТО-269АА, 4-БЕСОП | 4 | 10 недель | EAR99 | СВОБОДНЫЙ ДИОД | 8541.10.00.80 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 30 В | Однофазный | 50А | 1 | 2А | 30 В | 1 при мА 30 В | 550 мВ при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS101G РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | ДБЛС | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XBR12A10-Г | Торекс Полупроводник, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XBR12A | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/torexsemiconductorltd-xbr12a10g-datasheets-0213.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 10 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | 4 | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП206Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | 4-СИП, КБП | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | КБП | 2А | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УР4КБ100-Б C2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-ur4kb100bc2g-datasheets-0216.pdf | 4-ЭСИП | 4 | 6 недель | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 135А | 1 | 2А | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS102G РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 10 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100 В | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS104G РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | ДБЛС | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,3 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XBR12A6-Г | Торекс Полупроводник, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XBR12A | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/torexsemiconductorltd-xbr12a10g-datasheets-0213.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | 10 недель | EAR99 | ДА | ДВОЙНОЙ | 4 | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBLS106G РДГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbls103grdg-datasheets-7653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | ДБЛС | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,7 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSPB60K-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Супер Планар™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/comchiptechnology-cspb60khf-datasheets-0158.pdf | 4-СМД | 1 неделя | Однофазный | 800В | 1 мкА при 800 В | 1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП210Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | 4-СИП, КБП | 4 недели | 4 | ПРОИЗВОДСТВО (последнее обновление: 5 месяцев назад) | КБП | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ204 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbl205d2g-datasheets-9775.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 10 недель | ГБЛ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBL106G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbl104gc1g-datasheets-0116.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | 10 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,7 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБЛ206 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-gbl205d2g-datasheets-9775.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 4 | 10 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | НЕТ | 4 | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HDBL105G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbl104gc1g-datasheets-0116.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | 10 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,7 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| EABS1DHREG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-eabs1dhrgg-datasheets-9767.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | АБС | Однофазный | 200В | 1 мкА при 200 В | 950 мВ при 1,5 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DFL1501S-E3/77 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-dfl1508se377-datasheets-6847.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 250 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 50А | 5 мкА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 100 В | 50А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||
| HDBL107G C1G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-hdbl104gc1g-datasheets-0116.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4 | 10 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 50А | 1 | 1А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,7 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| B80C800GL-801E4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | 125°С | -40°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-b40c800ge451-datasheets-0928.pdf | 4-круговая, WOG | 8 недель | 4 | 1 | ВОГ | 1В | 45А | Однофазный | 125 В | 10 мкА при 125 В | 1 В при 900 мА | 900 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| B125C1000G-E4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-b250c1000ge451-datasheets-0515.pdf | 4-круговая, WOG | 9,86 мм | 5,6 мм | 8,84 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | Серебро | Нет | е4 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,2А | 1В | 45А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 45А | 10 мкА | 200В | 45А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||
| CD-DF408S | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/bournsinc-cddf410s-datasheets-9585.pdf | Чип, Вогнутые клеммы | 18 недель | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | CD-DF | НЕ УКАЗАН | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 950 мВ при 2 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EABS1GHRGG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-eabs1dhrgg-datasheets-9767.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | АБС | Однофазный | 400В | 1 мкА при 400 В | 1,2 В при 1 А | 1А |
