| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Время обратного восстановления-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ДБ103-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/comchiptechnology-db107g-datasheets-0381.pdf | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 10 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | ДБ103 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 30А | 1 | 1А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ1008ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF201-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/comchiptechnology-df206g-datasheets-5067.pdf | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 10 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ДВОЙНОЙ | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF202-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/comchiptechnology-df206g-datasheets-5067.pdf | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 10 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ДВОЙНОЙ | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ402 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 12 недель | ГБУ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU407HD2G | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 10 недель | ГБУ | Однофазный | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ10005ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF1506S-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/comchiptechnology-df1504stg-datasheets-9878.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | DF1506 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 50А | 1,5 А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ404Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbl405gt0-datasheets-5613.pdf | 4-СИП, КБЛ | 5 недель | КБЛ | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБ104-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/comchiptechnology-db107g-datasheets-0381.pdf | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 10 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | ДБ104 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | КРЕМНИЙ | Однофазный | 30А | 1 | 1А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU808GTB | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DFL1514S-E3/77 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-dfl1508se377-datasheets-6847.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 21 неделя | 4 | 1 | ДФС | 1,1 В | 50А | 5 мкА | 50А | Однофазный | 1,4 кВ | 5 мкА при 1400 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ403Г Т0 | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-kbl405gt0-datasheets-5613.pdf | 4-СИП, КБЛ | 10 недель | КБЛ | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF2005-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/comchiptechnology-df206g-datasheets-5067.pdf | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 10 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ДВОЙНОЙ | 260 | 30 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ1001ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 10 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU802ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП202 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Кабель | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbp204-datasheets-0360.pdf | 4-СИП, КБП | 4 недели | 30 | Прямой | КБП | 2 мм | 2А | 60А | 10 мкА | 10А | 100В | Однофазный | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU608GTB | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭДФ1АС-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-edf1bse377-datasheets-0391.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 250 | ЭДФ1А | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,05 В | 50А | 5 мкА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 50В | 50А | Однофазный | 1 | 1А | 0,05 мкс | 5 мкА при 50 В | 1,05 В при 1 А | 1А | ||||||||||||||||||||
| КБП206 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -50°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbp208-datasheets-0375.pdf | 4-СИП, КБП | 4 | 4 недели | 4 | EAR99 | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | 2А | 60А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10А | 600В | Однофазный | 1 | 2А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В при 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DF01-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/comchiptechnology-df005g-datasheets-8472.pdf | 4-ЭДИП (0,321, 8,15 мм) | 4 | 10 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | DF01 | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 30А | 1 | 1А | 100В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU604GTB | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 6 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBLS157GHRDG | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-dbls157grdg-datasheets-6853.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | ДБЛС | Однофазный | 1кВ | 2 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU801GTB | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 100В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU8005GTB | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-ЭСИП | 6 недель | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 8 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ808ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 8 А | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EDF1CS-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-edf1bse377-datasheets-0391.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 250 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,05 В | 50А | 5 мкА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 150 В | 50А | Однофазный | 1 | 1А | 0,05 мкс | 5 мкА при 150 В | 1,05 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||
| EDF1CM-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-edf1bme345-datasheets-0800.pdf | 4-ЭДИП (0,300, 7,62 мм) | 8,51 мм | 3,3 мм | 6,5 мм | 4 | 8 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,05 В | 50А | 5 мкА | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 150 В | 50А | Однофазный | 1 | 1А | 0,05 мкс | 5 мкА при 150 В | 1,05 В при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||
| ГБУ401 Д2Г | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | 4 | 12 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4 | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 150А | 1 | 4А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU804ТБ | Диодные решения SMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-ЭСИП | 6 недель | ГБУ | Однофазный | 400В | 5 мкА при 400 В | 1,1 В при 8 А | 8А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.