| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Тип триггерного устройства | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3Н257-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GXS045A120S-D1 | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-ghxs045a120sd1-datasheets-0998.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | СОТ-227 | Однофазный | 1,2 кВ | 300 мкА при 1200 В | 1,7 В при 45 А | 45А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП06М-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/microcommercialco-kbp10mbp-datasheets-4498.pdf | 4-СИП, КБПР | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 50А | 1 | 1,5 А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,1 В @ 1,5 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| GXS020A060S-D1 | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-ghxs020a060sd1-datasheets-1008.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | СОТ-227 | Однофазный | 600В | 200 мкА при 600 В | 1,7 В при 20 А | 20А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GXS015A120S-D1 | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-ghxs015a120sd1-datasheets-1009.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | СОТ-227 | Однофазный | 1,2 кВ | 100 мкА при 1200 В | 1,7 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CBR10-J100 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-cbr10j040-datasheets-9234.pdf | 4-Квадратный, см | Без свинца | 4 | 10 недель | нет | 8541.10.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | С-ПУФМ-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | 1000В | 1кВ | 10 мкА | 1000В | Однофазный | 10А | 150А | 1 | 10 мкА при 1000 В | 1,2 В при 5 А | 5А | ||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБРСДШ2-40 ТР13 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/centralsemiconductorcorp-cbrsdsh240tr13-datasheets-0999.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | ДА | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 110А | 2А | 40В | 70 мкА при 40 В | 450 мВ при 2 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GXS015A120S-D1E | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-ghxs015a120sd1e-datasheets-1017.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | СОТ-227 | Однофазный | 1,2 кВ | 100 мкА при 1200 В | 1,7 В при 15 А | 15А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GXS030A060S-D1 | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-ghxs030a060sd1-datasheets-1018.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | СОТ-227 | Однофазный | 600В | 100 мкА при 600 В | 1,7 В при 30 А | 30А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП10М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КСП10М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 60А | 1 | 1,5 А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 3,14 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП01М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100 В | Однофазный | 60А | 1 | 1,5 А | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М3П75А-60 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2017 год | Модуль 5-СМД | 18 недель | 800А | 10 мкА | 600В | Трехфазный | 10 мкА при 600 В | 75А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3КБП04М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 80А | 1 | 3А | 50В | 5 мкА при 400 В | 1,05 В при 3 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП06М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 60А | 1 | 1,5 А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 3,14 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП02М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 60А | 1 | 1,5 А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3Н255-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП08М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 60А | 1 | 1,5 А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 3,14 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3Н254-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100 В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М3П100А-60 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | Модуль | 1,2 кА | 10 мкА | 600В | Трехфазный | 10 при мА 600 В | 1,15 В при 100 А | 100А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП005М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-SA60BA60 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | СОТ-227-4, миниБЛОК | СОТ-227 | Однофазный | 600В | 61А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБПМ208Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpm210g-datasheets-0738.pdf | 4-СИП, КБПМ | 7 недель | 4 | 6 | Прямой | 5,05 кВ | 1,25 мм | 2А | 65А | 5 мкА | 5А | 800В | Однофазный | 800В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВС-94МТ160КПБФ | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vs104mt160kpbf-datasheets-2312.pdf | Модуль МТ-К | EAR99 | неизвестный | Трехфазный | СКР | 1,6 кВ | 90А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBJL1001G-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, КБЖЛ | EAR99 | совместимый | Однофазный | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1,1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП005М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | ПРОВОЛОКА | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 60А | 1 | 1,5 А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1 В при 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3Н258-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 8541.10.00.80 | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ60DF120HJ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-apt60df120hj-datasheets-0984.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 90А | 3В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100 мкА | 1,2 кВ | 540А | Однофазный | 1 | 100 мкА при 1200 В | 3 В при 60 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3Н253-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GXS010A060S-D1E | ПолуQ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/semiq-ghxs010a060sd1e-datasheets-0985.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | СОТ-227 | Однофазный | 600В | 100 мкА при 600 В | 1,7 В при 10 А | 10А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.