Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3SBA60L-M3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20m351-datasheets-0807.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП02М-М4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~165°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 4 | 22 недели | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-PSIP-W4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 60А | 1 | 2А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБ158В | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-mb1510w-datasheets-0842.pdf | 4-квадратный, МБ-Вт | 28,7 мм | 11,23 мм | 28,7 мм | 4 | 4 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 15А | 1,1 В | 300А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 800В | 300А | Однофазный | 1 | 560В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 7,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МБ3505W | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-mb1510w-datasheets-0842.pdf | 4-квадратный, МБ-Вт | 28,7 мм | 11,23 мм | 28,7 мм | 4 | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 35А | 1,2 В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 50В | 400А | Однофазный | 1 | 35В | 10 мкА при 50 В | 1,2 В @ 17,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МБ358W | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-mb1510w-datasheets-0842.pdf | 4-квадратный, МБ-Вт | 28,7 мм | 11,23 мм | 28,7 мм | 4 | 7 недель | 4 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 35А | 1,2 В | 400А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 800В | 400А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 800 В | 1,2 В @ 17,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МБ152Вт | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-mb1510w-datasheets-0842.pdf | 4-квадратный, МБ-Вт | 28,7 мм | 11,23 мм | 28,7 мм | 4 | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 15А | 1,1 В | 300А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 200В | 300А | Однофазный | 1 | 140 В | 10 мкА при 200 В | 1,1 В @ 7,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| КБПМ206Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpm210g-datasheets-0738.pdf | 4-СИП, КБПМ | 7 недель | 5 | Прямой | 5,05 кВ | 1,25 мм | 2А | 65А | 5 мкА | 5А | 600В | Однофазный | 600В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ150-08 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/microsemicorporation-msdm15012-datasheets-0831.pdf | Модуль | 5 | 22 недели | 5 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 6 | 150А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 800В | Трехфазный | 3 | 800В | 500 мкА при 800 В | 1,4 В при 150 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD2320-B11000 | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/bournsinc-cd2320b11000-datasheets-0645.pdf | Чип, Вогнутые клеммы | 5,4 мм | 1,16 мм | 5,9 мм | 4 | 16 недель | Нет СВХК | 4 | EAR99 | НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Олово | не_совместимо | е3 | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | CD2320 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 1А | 1В | 30А | 5 мкА | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 1кВ | 30А | Однофазный | 1 | 1А | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||
| АПТ60DS10HJ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-apt60ds10hj-datasheets-0871.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 60А | 910 мВ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 100В | 700А | Однофазный | 1 | 2 при мА 100 В | 910 мВ при 60 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ75-16 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/microsemicorporation-msdm7512-datasheets-0839.pdf | Модуль | 81 мм | 22,5 мм | 41 мм | Без свинца | 5 | 22 недели | 5 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 75А | 1,6 В | 750А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 1,6 кВ | 750А | Трехфазный | 75А | 3 | 1,7 кВ | 500 мкА при 1600 В | 1,6 В при 150 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТДК20Х1201Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует RoHS | 1997 год | СП1 | 12 | 22 недели | 1 | НЕ РЕКОМЕНДУЕТСЯ ДЛЯ НОВОГО ДИЗАЙНА (последнее обновление: 3 недели назад) | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 20А | 1,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 400 мкА | 1,2 кВ | 250А | Однофазный | 1 | 400 мкА при 1200 В | 1,8 В при 20 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБРХДШ2-40 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbrhdsh240tr13pbfree-datasheets-8101.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ДА | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 2А | 40В | 50 мкА при 40 В | 0,5 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ75-18 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/microsemicorporation-msdm7512-datasheets-0839.pdf | Модуль | 5 | 22 недели | 5 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 75А | 1,6 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 1,8 кВ | 750А | Трехфазный | 3 | 500 мкА при 1800 В | 1,6 В при 150 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA20L-M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20m351-datasheets-0807.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТДК10Х601Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -40°С | Карбид кремния Шоттки | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-aptdc10h601g-datasheets-0881.pdf | СП1 | 5 | 1 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-X5 | 10А | 1,8 В | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 200 мкА | 600В | 125А | Однофазный | 1 | 200 мкА при 600 В | 1,8 В при 10 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G5SBA20L-M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,05 В при 3 А | 2,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБ158 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-mb1510w-datasheets-0842.pdf | 4-квадратный, МБ-Вт | 28,7 мм | 11,23 мм | 28,7 мм | 4 | 35 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | С-МУФМ-Д4 | 15А | 1,1 В | 300А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 800В | 300А | Однофазный | 1 | 560В | 10 мкА при 800 В | 1,1 В @ 7,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ20DC120HJ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует RoHS | 1997 год | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 22 недели | 4 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 20А | 1,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 400 мкА | 1,2 кВ | 250А | Однофазный | 1 | 400 мкА при 1200 В | 1,8 В при 20 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ200-18 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/microsemicorporation-msdm20016-datasheets-9175.pdf | М3-1 | 5 | 22 недели | 5 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 200А | 1,45 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 1,8 кВ | Трехфазный | 3 | 500 мкА при 1800 В | 1,45 В при 200 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ150-18 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/microsemicorporation-msdm15012-datasheets-0831.pdf | М3-1 | 5 | 22 недели | 5 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 150А | 1,4 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 1,8 кВ | 1,8 кА | Трехфазный | 3 | 500 мкА при 1800 В | 1,4 В при 150 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МБ356W | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-mb1510w-datasheets-0842.pdf | 4-квадратный, МБ-Вт | 28,7 мм | 11,23 мм | 28,7 мм | Без свинца | 4 | 4 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 35А | 1,2 В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 600В | 400А | Однофазный | 35А | 1 | 420В | 10 мкА при 600 В | 1,2 В @ 17,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MB1505W | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-mb1510w-datasheets-0842.pdf | 4-квадратный, МБ-Вт | 28,7 мм | 11,23 мм | 28,7 мм | 4 | 6 недель | 4 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 15А | 1,1 В | 300А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 50В | 300А | Однофазный | 1 | 35В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В @ 7,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20m351-datasheets-0807.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ40DC120HJ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует RoHS | 1997 год | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 22 недели | 4 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 40А | 1,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 800 мкА | 1,2 кВ | 500А | Однофазный | 1 | 800 мкА при 1200 В | 1,8 В при 40 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД100-18 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-msd10012-datasheets-9111.pdf | М3 | 5 | 22 недели | 5 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 100А | 1,9 В | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 1,8 кВ | 920А | Трехфазный | 3 | 300 мкА при 1800 В | 1,9 В при 300 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G5SBA60L-M3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 3 А | 2,8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТДК20Х601Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует RoHS | 1997 год | СП1 | 5 | 1 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-X5 | 20А | 1,8 В | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 400 мкА | 600В | 250А | Однофазный | 1 | 400 мкА при 600 В | 1,8 В при 20 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ75-12 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/microsemicorporation-msdm7512-datasheets-0839.pdf | Модуль | 5 | 22 недели | 5 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 75А | 1,6 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 1,2 кВ | 750А | Трехфазный | 3 | 500 мкА при 1200 В | 1,6 В при 150 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBJL810G-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, КБЖЛ | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | НЕТ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 180А | 1 | 8А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 8А |
