Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратный ток-Макс. | Обратное испытательное напряжение | Обратное время восстановления | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CDNBS04-B08600 | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/bournsinc-cdnbs04b08200-datasheets-0653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4,9 мм | 2,7 мм | 4 мм | 4 | 16 недель | 4 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | CDNBS04 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 1,15 В | 30А | 5 мкА | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 600В | 30А | 200 нс | Однофазный | 1 | 0,8А | 5 мкА при 600 В | 1,15 В @ 400 мА | 800мА | ||||||||||||||||||||||||||
| ДБА20Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-dba20gk15-datasheets-0659.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | Без свинца | 4 | 4 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 1,05 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 40А | 10 мкА | 600В | 40А | Однофазный | 1 | 2А | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 1 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJL1010-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microcommercialco-gbjl1010bp-datasheets-0701.pdf | 4-СИП, ГБЖЛ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е4 | Серебро (Ag) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 170А | 1 | 10А | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,05 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБА100Г-К15 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-dba100gk15-datasheets-0667.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 4 | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 5 А | 3,7А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBD10G-TM-E | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/onsemiconductor-dbd10gtme-datasheets-0669.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | да | EAR99 | 8541.10.00.80 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 1А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 500 мА | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJL2502-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, ГБЖЛ | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | НЕТ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 350А | 1 | 25А | 200В | 10 мкА при 200 В | 1,05 В @ 12,5 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJL608-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, ГБЖЛ | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | НЕТ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 170А | 1 | 6А | 800В | 5 мкА при 800 В | 1 В при 3 А | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБА40Г-К15 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-dba40g-datasheets-0651.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 4 | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 2 А | 2,6А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJL1006-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, ГБЖЛ | 4 | 8 недель | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | НЕТ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 170А | 1 | 10А | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 5 А | 10А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБРСДШ2-40 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbrsdsh240bk-datasheets-0639.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ДА | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 110А | 2А | 40В | 70 мкА при 40 В | 0,45 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБРСДШ2-60 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbrsdsh260bk-datasheets-0641.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | ДА | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 110А | 2А | 60В | 70 мкА при 60 В | 0,6 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБФ60Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-dbf60g-datasheets-0613.pdf | 4-СИП, ДБФ | Без свинца | 4 | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 2,8А | 1,05 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 120А | 10 мкА | 600В | 120А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 600 В | 1,05 В @ 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБА500Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-dba500g-datasheets-0643.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 5 | 4 | е4 | Серебро (Ag) | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 5 | Одинокий | 1 | Не квалифицированный | Р-ПУФМ-Д5 | 50А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500А | 10 мкА | 600В | 500А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 25 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ2С-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/comchiptechnology-tb2sg-datasheets-0615.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 1А | 200В | 10 мкА при 200 В | 950 мВ при 400 мА | 800мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБА150Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-dba150g-datasheets-0649.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 26,5 мм | 25 мм | 26,5 мм | Без свинца | 4 | 4 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е4 | Серебро (Ag) | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | Одинокий | 1 | Не квалифицированный | 1,05 В | 200А | 10 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200А | 10 мкА | 600В | 200А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 600 В | 1,05 В @ 7,5 А | 4,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБГ150Г | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-dba20g-datasheets-5017.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБА40Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-dba40g-datasheets-0651.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | Без свинца | 4 | 4 | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 1,05 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 80А | 10 мкА | 600В | 80А | Однофазный | 1 | 2,6А | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 2 А | 2,6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBJL3508-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, ГБЖЛ | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 800В | Однофазный | 350А | 1 | 35А | 800В | 10 мкА при 800 В | 1,05 В @ 17,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CDNBS04-B08200 | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/bournsinc-cdnbs04b08200-datasheets-0653.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4,9 мм | 2,7 мм | 4 мм | 4 | 16 недель | Нет СВХК | 4 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Медь, Серебро, Олово | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | CDNBS04 | 4 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | 800мА | 1,15 В | 30А | КРЕМНИЙ | 30А | 5 мкА | 200В | 30А | 150 нс | Однофазный | 1 | 0,8А | 140 В | 5 мкА при 200 В | 1,15 В @ 400 мА | |||||||||||||||||||||||
| CDSPB40K-HF | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Супер Планар™ | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/comchiptechnology-cdspb40khf-datasheets-0621.pdf | 4-СМД | совместимый | Однофазный | 800В | 1 мкА при 800 В | 1 В при 800 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБФ10ТГ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-dbf10g-datasheets-0610.pdf | 4-СИП, ДБФ | 4 | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 500 мА | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ6С-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/comchiptechnology-tb2sg-datasheets-0615.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 1А | 600В | 10 мкА при 600 В | 950 мВ при 400 мА | 800мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБ4С-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/comchiptechnology-tb2sg-datasheets-0615.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 10 недель | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | Однофазный | 30А | 1А | 400В | 10 мкА при 400 В | 950 мВ при 400 мА | 800мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБРХДШ1-200 БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Шоттки | /files/centralsemiconductorcorp-cbrhdsh1200bk-datasheets-0629.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4-HD ДИП | Однофазный | 200В | 50 мкА при 200 В | 900 мВ при 1 А | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТБСЛ40Дж-ТП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~150°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-SMD, плоские выводы | 4 | совместимый | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 4 | Р-ПДСО-Ф4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 600В | Однофазный | 110А | 1 | 4А | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 4 А | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBB04G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/onsemiconductor-dbb04g-datasheets-0632.pdf | 4-ЭДИП (0,200, 5,08 мм) | 5 мм | 4,6 мм | Без свинца | 4 недели | 4 | EAR99 | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 400 мА | 1,05 В | 30А | 10 мкА | 30А | 10 мкА | 600В | 30А | Однофазный | 10 мкА при 600 В | 1,05 В @ 200 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DBD10G-E | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Лента и коробка (ТБ) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-dbd10ge-datasheets-0634.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 500 мА | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЦБРСДШ2-100 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -50°С~125°С ТДж | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cbrsdsh2100-datasheets-0635.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 4 | EAR99 | 8541.10.00.80 | ДА | ДВОЙНОЙ | 4 | 4 | Р-ПДСО-Г4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | 50 мкА | 100В | Однофазный | 110А | 1 | 2А | 100В | 50 мкА при 100 В | 0,7 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Г2СБ20-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~150°К | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2014 год | 4-СИП, ГБЛ | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | НЕ УКАЗАН | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицированный | Р-ПСИП-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 200В | Однофазный | 80А | 1 | 1,5 А | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В @ 1 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBJL801G-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, КБЖЛ | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | НЕТ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 100В | Однофазный | 180А | 1 | 8А | 100В | 5 мкА при 100 В | 1 В при 4 А | 8А |
