Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество контактов | Ориентация | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Максимальное номинальное напряжение (постоянный ток) | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Подача | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Обратное напряжение | Тип диода | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МСДМ200-08 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/microsemicorporation-msdm20016-datasheets-9175.pdf | М3-1 | 5 | 22 недели | 5 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 6 | 200А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 800В | Трехфазный | 3 | 800В | 500 мкА при 800 В | 1,45 В при 200 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ60DF20HJ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-apt60df20hj-datasheets-0825.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | В ПРОИЗВОДСТВЕ (Последнее обновление: 2 недели назад) | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 90А | 1,15 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 250 мкА | 200В | 500А | Однофазный | 1 | 250 мкА при 200 В | 1,15 В при 60 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ40DS04HJ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-apt40ds04hj-datasheets-0828.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 45А | 580 мВ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 20 мА | 45В | 450А | Однофазный | 1 | 20 при мА 45 В | 580 мВ при 40 А | 40А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД52-18 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-msd5216-datasheets-9133.pdf | М2 | 5 | 5 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 50А | 1,8 В | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 1,8 кВ | 460А | Трехфазный | 3 | 300 мкА при 1600 В | 1,8 В при 150 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ150-12 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/microsemicorporation-msdm15012-datasheets-0831.pdf | М3-1 | 5 | 22 недели | 5 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 150А | 1,4 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 1,2 кВ | 1,8 кА | Трехфазный | 3 | 500 мкА при 1200 В | 1,4 В при 150 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ50-12 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 год | Модуль | 5 | 22 недели | 5 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 50А | 1,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 1,2 кВ | 460А | Трехфазный | 3 | 300 мкА при 1200 В | 1,8 В при 150 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВДЖ848М | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | лавина | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-vj248m-datasheets-9141.pdf | 4-Квадрат, ВиДжей | 1 | виджей | 1,3 В | 100А | Однофазный | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,3 В при 1 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ06DC60HJ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-apt06dc60hj-datasheets-0836.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 6А | 1,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 200 мкА | 600В | 210А | Однофазный | 1 | 6А | 200 мкА при 600 В | 1,8 В при 6 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТДК20Х601Г | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~175°С, ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует RoHS | 1997 год | СП1 | 5 | 1 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 12 | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-X5 | 20А | 1,8 В | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 400 мкА | 600В | 250А | Однофазный | 1 | 400 мкА при 600 В | 1,8 В при 20 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ75-12 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/microsemicorporation-msdm7512-datasheets-0839.pdf | Модуль | 5 | 22 недели | 5 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 75А | 1,6 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 1,2 кВ | 750А | Трехфазный | 3 | 500 мкА при 1200 В | 1,6 В при 150 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KBJL810G-BP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 4-СИП, КБЖЛ | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | совместимый | НЕТ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-ПСФМ-Т4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 1000В | Однофазный | 180А | 1 | 8А | 1кВ | 5 мкА при 1000 В | 1 В при 4 А | 8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB1510W | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-mb1510w-datasheets-0842.pdf | 4-квадратный, МБ-Вт | 28,7 мм | 11,23 мм | 28,7 мм | 4 | 4 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 15А | 1,1 В | 300А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 10 мкА | 1кВ | 300А | Однофазный | 1 | 700В | 10 мкА при 100 В | 1,1 В @ 7,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD2320-B1600 | Борнс Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Шоттки | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/bournsinc-tisp4350t3bjrs-datasheets-3478.pdf | Чип, Вогнутые клеммы | 5,4 мм | 1,16 мм | 5,9 мм | 16 недель | Нет СВХК | 4 | EAR99 | Олово | не_совместимо | CD2320 | 4 | Одинокий | 1 | 1А | 1В | 30А | 30А | 5 мкА | 600В | 30А | Однофазный | 420В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБПМ3005Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpm302g-datasheets-0717.pdf | 4-СИП, КБПМ | 7 недель | 3А | 80А | 5 мкА | 5А | 50В | Однофазный | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 3 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД50-18 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Терминал контроля качества | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-msd5008-datasheets-1921.pdf | М1 | 5 | 22 недели | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | 5 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Р-XUFM-D5 | 50А | КРЕМНИЙ | 200 мкА | 1,8 кВ | 420А | Трехфазный | 3 | 1,8 кВ | 200 мкА при 1800 В | 1,5 В при 100 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДСРХД10-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ДИОДЕСТАР™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dsrhd1013-datasheets-0844.pdf | 4-SMD, плоские выводы | 5,1 мм | 1,27 мм | 5,5 мм | 4 | 6 недель | Нет СВХК | 4 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | ДВОЙНОЙ | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 1А | 1,15 В | КРЕМНИЙ | 1000В | 1000В | 30А | 10 мкА | 1кВ | 30А | Однофазный | 1 | 1А | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 1 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| W06M | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -65°С~125°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -65°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-w10m-datasheets-0746.pdf | 4-круговая, ВОМ | 7 недель | 4 | ВОМ | 1,5 А | 50А | 10 мкА | 10А | 600В | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБФ10Г | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-dbf10g-datasheets-0797.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ75ДЛ60ХДЖ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-apt75dl60hj-datasheets-0798.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 75А | 2В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 250 мкА | 600В | 150А | Однофазный | 1 | 250 мкА при 600 В | 2 В при 75 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ100-18 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/microsemicorporation-msdm10016-datasheets-9164.pdf | Модуль | 5 | 22 недели | 5 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 100А | 1,9 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 1,8 кВ | 920А | Трехфазный | 3 | 500 мкА при 1800 В | 1,9 В при 300 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСДМ100-12 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/microsemicorporation-msdm10016-datasheets-9164.pdf | Модуль | Без свинца | 5 | 22 недели | 5 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 100А | 1,9 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 500 мкА | 1,2 кВ | 920А | Трехфазный | 3 | 500 мкА при 1200 В | 1,9 В при 300 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД130-18 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-msd13016-datasheets-4684.pdf | М3 | 5 | 22 недели | 5 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 130А | 1,8 В | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 1,8 кВ | 1,2 кА | Трехфазный | 3 | 300 мкА при 1800 В | 1,8 В при 300 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М3П100А-140 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | Модуль | 1,2 кА | 10 мкА | 1,4 кВ | Трехфазный | 10 при мА 1400 В | 1,15 В при 100 А | 100А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДБФ40Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-dbf40g-datasheets-0805.pdf | 4-СИП, ДБФ | Без свинца | 4 | 4 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 2,3А | 1,05 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 80А | 10 мкА | 600В | 80А | Однофазный | 1 | 10 мкА при 600 В | 1,05 В при 2 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ50DL60HJ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/microsemicorporation-apt50dl60hj-datasheets-0807.pdf | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 50А | 2В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 250 мкА | 600В | Однофазный | 1 | 250 мкА при 600 В | 2 В при 50 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М3П75А-100 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 105°С | -40°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-m3p75a80-datasheets-0736.pdf | Модуль 5-СМД | 7 недель | 12 | Прямой | 5-СМД | 5,03 мм | 800А | 10 мкА | 1кВ | Трехфазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,15 В при 75 А | 75А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВДЖ647М | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | лавина | Соответствует RoHS | /files/microsemicorporation-vj647m-datasheets-0778.pdf | 4-Квадрат, ВиДжей | Нет | Одинокий | 1 | виджей | 10А | 1,3 В | 5 мкА | 1,1 кВ | 100А | Однофазный | 1,1 кВ | 5 мкА при 1100 В | 1,3 В при 1 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АПТ40DC60HJ | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Карбид кремния Шоттки | Соответствует RoHS | 1997 год | СОТ-227-4, миниБЛОК | 4 | 4 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 40А | 1,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 800 мкА | 600В | 500А | Однофазный | 1 | 800 мкА при 600 В | 1,8 В при 40 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М3П100А-120 | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | Модуль | 1,2 кА | 10 мкА | 1,2 кВ | Трехфазный | 10 при мА 1200 В | 1,15 В при 100 А | 100А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБПМ306Г | GeneSiC Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Припой | Стандартный | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/genesicemiconductor-kbpm310g-datasheets-0737.pdf | 4-СИП, КБПМ | 7 недель | 4 | 50 | Прямой | 5,05 кВ | 400 мкм | 3А | 80А | 5 мкА | 5А | 600В | Однофазный | 600В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В при 3 А |
