Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Неповторяющийся Pk Прямой ток-макс. | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ГБУ4М-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2016 год | 4-СИП, ГБУ | ГБУ4М | Однофазный | 1кВ | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД100-12 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-msd10012-datasheets-9111.pdf | М3 | 94 мм | 30 мм | 54 мм | 5 | 22 недели | 5 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 100А | 1,15 В | 920А | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 1,2 кВ | 920А | Трехфазный | 3 | 1,2 кВ | 300 мкА при 1200 В | 1,9 В при 300 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД130-12 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-msd13016-datasheets-4684.pdf | М3 | 94 мм | 30 мм | 54 мм | Без свинца | 5 | 22 недели | 5 | EAR99 | Нет | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 130А | 1,8 В | 1,2 кА | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 1,2 кВ | 1,2 кА | Трехфазный | 130А | 3 | 1,2 кВ | 300 мкА при 1200 В | 1,8 В при 300 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| BR2510W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/comchiptechnology-br3510wg-datasheets-9067.pdf | 4-кв., КОМ-З | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В при 25 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR50504-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/comchiptechnology-br5010g-datasheets-5812.pdf | 4-кв., КОМ. | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,1 В при 25 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВДЖ447М | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | лавина | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/microsemicorporation-aptrg8a120g-datasheets-4026.pdf | 4 | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | С-ПУФМ-W4 | 10А | 1,3 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 400В | 450В | 5 мкА | 900В | 100А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 900 В | 1,3 В при 1 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД200-16 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-msd20016-datasheets-9125.pdf | М3 | 94 мм | 30 мм | 54 мм | 5 | 22 недели | 5 | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 200А | 1,2 В | 2,24 кА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 1,6 кВ | Трехфазный | 3 | 1,7 кВ | 300 мкА при 1600 В | 1,55 В при 300 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД30-08 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Терминал контроля качества | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-msd3008-datasheets-9127.pdf | М1 | 5 | 5 | EAR99 | Нет | НЕУКАЗАНО | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 30А | КРЕМНИЙ | 200 мкА | 800В | 300А | Трехфазный | 3 | 800В | 200 мкА при 800 В | 1,6 В при 100 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR35005W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/comchiptechnology-br3510wg-datasheets-9067.pdf | 4-кв., КОМ-З | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В @ 12,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ2580-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib2520e345-datasheets-9005.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | Нет | Одинокий | 1 | ГСИБ-5С | 3,5 А | 1В | 350А | 10 мкА | 10 мкА | 800В | 350А | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 12,5 А | 3,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД52-16 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/microsemicorporation-msd5216-datasheets-9133.pdf | М2 | Без свинца | 5 | 22 недели | 5 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 50А | 1,8 В | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 1,6 кВ | 460А | Трехфазный | 52А | 3 | 300 мкА при 1600 В | 1,8 В при 150 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ640-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib620e345-datasheets-9023.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 950 мВ | 180А | 10 мкА | 180А | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 950 мВ при 3 А | 2,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ6А60-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib6a60e345-datasheets-9044.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 150А | 10 мкА | 150А | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 3 А | 2,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ10А60-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib10a20e345-datasheets-8963.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 180А | 10 мкА | 180А | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBU4A-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu4ge351-datasheets-7288.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 4А | е3 | Матовый олово (Sn) | 50В | ГБУ4А | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 4А | 1В | 150А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 50В | 150А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 50 В | 1 В при 4 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||
| КБП06М-Е4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | Серебро (Ag) | КБП06 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,3 В | 50А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 600В | 60А | Однофазный | 1,5 А | 1 | 5 мкА при 600 В | 1,1 В @ 3,14 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| МБ354-БП | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Терминал контроля качества | -55°С~175°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/microcommercialco-mb354bp-datasheets-9058.pdf | 4-Квадрат, МБ-35 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | 8541.10.00.80 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | МБ354 | 4 | НЕ УКАЗАН | 4 | Не квалифицирован | С-ПУФМ-Д4 | МОСТ, 4 ЭЛЕМЕНТА | КРЕМНИЙ | 400В | Однофазный | 400А | 1 | 35А | 400В | 10 мкА при 400 В | 1,2 В @ 17,5 А | 35А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ4А60-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib4a60e345-datasheets-9061.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | ГСИБ-5С | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ6А40-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib6a60e345-datasheets-9044.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 150А | 10 мкА | 150А | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 3 А | 2,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR3510W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/comchiptechnology-br3510wg-datasheets-9067.pdf | 4-кв., КОМ-З | Однофазный | 1кВ | 10 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 12,5 А | 35А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ10А80-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib10a20e345-datasheets-8963.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 180А | 10 мкА | 180А | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ620-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib620e345-datasheets-9023.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 950 мВ | 180А | 10 мкА | 180А | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 950 мВ при 3 А | 2,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ6А20-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib6a60e345-datasheets-9044.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 150А | 10 мкА | 150А | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 3 А | 2,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ460-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib440e345-datasheets-9014.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 25,3 мм | 23 мм | 4,8 мм | ГСИБ-5С | 130А | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 950 мВ при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BR25005W-G | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/comchiptechnology-br3510wg-datasheets-9067.pdf | 4-кв., КОМ-З | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 25 А | 25А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ2540-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib2520e345-datasheets-9005.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 350А | 10 мкА | 350А | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 12,5 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД50-16 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт | Терминал контроля качества | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-msd5008-datasheets-1921.pdf | М1 | 5 | Нет | Одинокий | 1 | МСД | 50А | 200 мкА | 1,6 кВ | 420А | Трехфазный | 1,6 кВ | 200 мкА при 1600 В | 1,5 В при 100 А | 50А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ2040-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib2020e345-datasheets-9011.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 240А | 10 мкА | 240А | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 1 В при 10 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ2080-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib2020e345-datasheets-9011.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 240А | 10 мкА | 240А | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 10 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ15А80-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib15a60e345-datasheets-9020.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 200А | 10 мкА | 200А | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 1 В при 7,5 А | 3,5 А |
