Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Соединение корпуса | Материал диодного элемента | Напряжение проба-мин. | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВСИБ6А60-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib6a60e345-datasheets-9044.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 150А | 10 мкА | 150А | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 3 А | 2,8А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ10А60-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib10a20e345-datasheets-8963.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 180А | 10 мкА | 180А | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ1520-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib1520e345-datasheets-9002.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 950 мВ | 300А | 10 мкА | 300А | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 950 мВ при 7,5 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ2520-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib2520e345-datasheets-9005.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 350А | 10 мкА | 350А | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 12,5 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ1580-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib1520e345-datasheets-9002.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 950 мВ | 300А | 10 мкА | 300А | Однофазный | 800В | 10 мкА при 800 В | 950 мВ при 7,5 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| G5SBA80-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g5sba20e351-datasheets-8621.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 20 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 2,8А | 150А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | Однофазный | 1 | 800В | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 3 А | ||||||||||||||||||||
| ВСИБ2020-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib2020e345-datasheets-9011.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 240А | 10 мкА | 240А | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 10 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КСП10М-Е4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | Серебро (Ag) | КБП10 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,3 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 1кВ | 60А | Однофазный | 1,5 А | 1 | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 3,14 А | ||||||||||||||||||
| ВСИБ440-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib440e345-datasheets-9014.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 25,3 мм | 23 мм | 4,8 мм | ГСИБ-5С | 130А | Однофазный | 400В | 10 мкА при 400 В | 950 мВ при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВСИБ10А20-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib10a20e345-datasheets-8963.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 180А | 10 мкА | 180А | Однофазный | 200В | 10 мкА при 200 В | 1 В при 5 А | 10А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2КБП08М-Е4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~165°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | Неизвестный | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | Серебро (Ag) | 2KBP08 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 2А | 1,1 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 60А | Однофазный | 2А | 1 | 2А | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 3,14 А | |||||||||||||||
| G3SBA20-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20e351-datasheets-7679.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 20 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | G3SBA20 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 2,3А | 1В | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | 80А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 200 В | 1 В при 2 А | |||||||||||||||||
| ВСИБ15А60-Е3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-vsib15a60e345-datasheets-9020.pdf | 4-СИП, ГСИБ-5С | 30 мм | 20 мм | 4,6 мм | 4 | 1 | ГСИБ-5С | 1В | 200А | 10 мкА | 200А | Однофазный | 600В | 10 мкА при 600 В | 1 В при 7,5 А | 3,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| КБП02М-Е4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | Неизвестный | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | Серебро (Ag) | КБП02 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,5 А | 1В | 50А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | 60А | Однофазный | 1,5 А | 1 | 5 мкА при 200 В | 1 В @ 1 А | |||||||||||||||
| КБП08М-Е4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | Серебро (Ag) | КБП08 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,3 В | 50А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 60А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 3 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||
| КБП005М-Е4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | Серебро (Ag) | КБП005 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,3 В | 50А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 50В | 60А | Однофазный | 1,5 А | 1 | 5 мкА при 50 В | 1 В @ 1 А | |||||||||||||||||
| 3Н258-Е4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~165°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е4 | Серебро (Ag) | НЕПРИГОДНЫЙ | 3Н258 | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 1,1 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 60А | Однофазный | 1 | 2А | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||
| G2SBA60L-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sba80e351-datasheets-8630.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 21 неделя | G2SBA60 | ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G5SBA20L-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g5sba20e351-datasheets-8621.pdf | 4-СИП, ГБУ | ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,05 В при 3 А | 2,8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G5SBA60-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g5sba20e351-datasheets-8621.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 20 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 2,8А | 150А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 600В | Однофазный | 1 | 600В | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 3 А | ||||||||||||||||||||
| G3SBA20L-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20e351-datasheets-7679.pdf | 4-СИП, ГБУ | G3SBA20 | ГБУ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 2 А | 2,3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КБЛ02 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | 2001 г. | /files/onsemiconductor-kbl06-datasheets-8247.pdf | 4-СИП, КБЛ | КБЛ02 | КБЛ | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 4 А | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sba80e351-datasheets-8630.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | 4 | 21 неделя | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | G2SBA60 | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,5 А | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 600В | Однофазный | 1 | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | |||||||||||||||||||
| 3Н253-Е4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~165°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е4 | Серебро (Ag) | НЕПРИГОДНЫЙ | 3Н253 | 4 | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 1,1 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 50В | 60А | Однофазный | 1 | 2А | 50В | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | |||||||||||||||
| G3SBA60L-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20e351-datasheets-7679.pdf | 4-СИП, ГБУ | G3SBA60 | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60L-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sba80e351-datasheets-8630.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 21 неделя | G2SBA60 | ГБЛ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3Н256-Е4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~165°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е4 | Серебро (Ag) | 3Н256 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,1 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 400В | 60А | Однофазный | 1 | 2А | 5 мкА при 400 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||
| G3SBA80-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20e351-datasheets-7679.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 2,3А | 1В | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 80А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 800 В | 1 В при 2 А | ||||||||||||||||||||
| 3Н259-Э4/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~165°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е4 | Серебро (Ag) | НЕПРИГОДНЫЙ | 3Н259 | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 1,1 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 1кВ | 60А | Однофазный | 2А | 1 | 2А | 5 мкА при 1000 В | 1,1 В @ 3,14 А | ||||||||||||||
| G3SBA60-E3/45 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20e351-datasheets-7679.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 20 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | G3SBA60 | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 2,3А | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 600В | Однофазный | 1 | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А |
