Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМостовые выпрямители(5898)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный импульсный ток | Максимальный обратный ток утечки | Конфигурация | Соединение корпуса | Напряжение проба | Материал диодного элемента | Rep Pk Обратное напряжение-Макс. | Напряжение проба-мин. | Максимальный прямой импульсный ток (Ifsm) | Пиковый обратный ток | Максимальное повторяющееся обратное напряжение (Vrrm) | Пиковый неповторяющийся импульсный ток | Тип диода | Средний выпрямленный ток | Количество фаз | Выходной ток-Макс. | Обратное напряжение (постоянный ток) | Напряжение — пиковое обратное (макс.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Ток – средний выпрямленный (Io) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 3Н253-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~165°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-2kbp04me451-datasheets-7907.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 22 недели | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | е4 | Серебро (Ag) | НЕПРИГОДНЫЙ | 3Н253 | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 1,1 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 50В | 60А | Однофазный | 1 | 2А | 5 мкА при 50 В | 1,1 В @ 3,14 А | 2А | ||||||||||||||||||||||||||
| 3Н249-Э4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 22 недели | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | неизвестный | е4 | НЕПРИГОДНЫЙ | 3Н249 | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 1,5 А | 1,3 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 60А | 5 мкА | 400В | 60А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 400 В | 1 В @ 1 А | |||||||||||||||||||||||||||
| 3Н248-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 22 недели | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | неизвестный | е4 | НЕПРИГОДНЫЙ | 3Н248 | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 1,3 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 60А | 5 мкА | 200В | 60А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 200 В | 1 В @ 1 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA20-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sba80e351-datasheets-8630.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | 4 | 21 неделя | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,5 А | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | Однофазный | 1 | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 750 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3КБП08М-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-3kbp01me451-datasheets-8607.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | 22 недели | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | Нет | е4 | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,05 В | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 80А | 5 мкА | 800В | 80А | Однофазный | 1 | 3А | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 3 А | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||
| G2SBA60-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g2sba80e351-datasheets-8630.pdf | 4-СИП, ГБЛ | 20,9 мм | 10,7 мм | 3,56 мм | 4 | 21 неделя | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | G2SBA60 | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,5 А | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 600В | Однофазный | 1 | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 750 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ME701602 | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси, панель | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/powerexinc-me701202-datasheets-8550.pdf | Модуль | 5 | Неизвестный | 5 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 6 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 20А | 1,25 В | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 1600В | 1280В | 1,6 кВ | Трехфазный | 3 | 2 при мА 1600 В | 1,25 В при 20 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA20L-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20e351-datasheets-7679.pdf | 4-СИП, ГБУ | 21,8 мм | 18,3 мм | 3,3 мм | 15 недель | 4 | G3SBA20 | ГБУ | 80А | 5 мкА | Однофазный | 200В | 5 мкА при 200 В | 1 В при 2 А | 2,3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G5SBA80-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g5sba20e351-datasheets-8621.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 2,8А | 1,05 В | 150А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 150А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 800 В | 1,05 В при 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3Н250-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | 22 недели | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | неизвестный | е4 | НЕПРИГОДНЫЙ | 3Н250 | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 1,3 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 600В | КРЕМНИЙ | 60А | 5 мкА | 600В | 60А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 600 В | 1 В @ 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||
| 3КБП06М-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-3kbp01me451-datasheets-8607.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | 24 недели | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | неизвестный | е4 | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 3А | 1,05 В | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 80А | 5 мкА | 600В | 80А | Однофазный | 1 | 3А | 5 мкА при 600 В | 1,05 В при 3 А | |||||||||||||||||||||||||
| 3Н251-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 22 недели | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | Нет | е4 | 3Н251 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,3 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 60А | 5 мкА | 800В | 60А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 800 В | 1 В @ 1 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| МСД75-16 | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/microsemicorporation-msd7516-datasheets-8694.pdf | М2 | 72 мм | 30 мм | 42 мм | 5 | 22 недели | 5 | нет | EAR99 | Нет | е0 | Оловянный свинец | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 5 | Одинокий | 1 | 75А | 1,15 В | 750А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 300 мкА | 1,6 кВ | 750А | Трехфазный | 3 | 1,7 кВ | 300 мкА при 1600 В | 1,6 В при 150 А | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ГБУ6А-Е3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbu6me345-datasheets-7734.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ГБУ6А | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 6А | 1В | 175А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 50В | 175А | Однофазный | 1 | 3,8А | 5 мкА при 50 В | 1 В при 6 А | 3,8А | |||||||||||||||||||||||||||||
| ГБПК101-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-gbpc104e451-datasheets-3156.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-1 | 16 мм | 5,08 мм | 16 мм | 4 | 22 недели | 1 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | Никель (Ni) | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | С-ПУФМ-Х4 | 2А | 1В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 100 В | 60А | Однофазный | 1 | 2А | 5 мкА при 100 В | 1 В при 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||
| 3Н246-Э4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-kbp04m1-datasheets-3144.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 22 недели | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | Нет | е4 | 3Н246 | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,3 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 60А | 5 мкА | 50В | 60А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 50 В | 1 В @ 1 А | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2W02G | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/diodesincorporated-2w10g-datasheets-8452.pdf | 4-круговая, WOG | 9,86 мм | 4,6 мм | 9,86 мм | 4 | 1,120005г | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | неизвестный | е4 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 2W02 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Не квалифицированный | 2А | 1,1 В | 60А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 60А | 5 мкА | 200В | 60А | Однофазный | 2А | 1 | 2А | 140 В | 5 мкА при 200 В | 1,1 В при 2 А | |||||||||||||||||||||||
| ЭФГ15Г | Сенсата-Кридом | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~125°С ТДж | Масса | Непригодный | 125°С | -40°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2006 г. | 1,4 кВ | 170А | Модуль | Без свинца | 5 | Одинокий | Модуль | 125А | 1,4 кВ | Однофазный | 125А | 1,4 кВ | 1,55 В при 125 А | 125А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3КБП04М-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-3kbp01me451-datasheets-8607.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | Без свинца | 4 | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | Нет | е4 | ПРОВОЛОКА | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 1,05 В | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 80А | 5 мкА | 400В | 80А | Однофазный | 3А | 1 | 3А | 5 мкА при 400 В | 1,05 В при 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||
| РС201-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/comchiptechnology-rs204g-datasheets-8586.pdf | 4-СИП, РС-2 | 2 | РС-2 | 50А | 10 мкА | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1,1 В при 2 А | 2А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA80-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20e351-datasheets-7679.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 15 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 2,3А | 1В | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 80А | Однофазный | 1 | 5 мкА при 800 В | 1 В при 2 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2W08G | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-2w10g-datasheets-8452.pdf | 4-круговая, WOG | 9,86 мм | 4,6 мм | 9,86 мм | 4 | 4 | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | не_совместимо | е4 | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | 2W08 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 2А | 1,1 В | 60А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 60А | 5 мкА | 800В | 60А | Однофазный | 1 | 2А | 5 мкА при 800 В | 1,1 В при 2 А | ||||||||||||||||||||||||||
| W01G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | /files/onsemiconductor-w04g-datasheets-8241.pdf | 4-круговая, WOB | W01 | WOB | Однофазный | 100 В | 5 мкА при 100 В | 1 В @ 1 А | 1,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3КБП01М-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-3kbp01me451-datasheets-8607.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 22 недели | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | неизвестный | е4 | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Одинокий | НЕПРИГОДНЫЙ | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 1,05 В | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 80А | 5 мкА | 100 В | 80А | Однофазный | 1 | 3А | 5 мкА при 100 В | 1,05 В при 3 А | 3А | |||||||||||||||||||||||||
| RM30TPM-H | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует RoHS | 2002 г. | Модуль | 5 | 5 | да | неизвестный | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5 | НЕ УКАЗАН | 6 | Не квалифицированный | МОСТ, 6 ЭЛЕМЕНТОВ | КРЕМНИЙ | Трехфазный | 3 | 60А | 800В | 10 при мА 800 В | 1,2 В при 60 А | 60А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GBPC3508W | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°С~150°С ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | Сквозное отверстие | Стандартный | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-gbpc3504-datasheets-2807.pdf | 4-Квадратный, ГБПК-З | 28,8 мм | 8 мм | 28,8 мм | 4 | 17.210003г | 4 | нет | ПРИЗНАНИЕ УЛ, НИЗКИЕ ПОТЕРИ МОЖНОСТИ | Нет | е4 | Серебро (Ag) | ВЕРХНИЙ | ПРОВОЛОКА | 260 | GBPC3508 | 4 | Одинокий | 40 | 1 | Мостовые выпрямительные диоды | 35А | 1,1 В | 400А | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 800В | 400А | Однофазный | 1 | 560В | 5 мкА при 800 В | 1,1 В @ 17,5 А | |||||||||||||||||||||||||||
| G3SBA60L-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g3sba20e351-datasheets-7679.pdf | 4-СИП, ГБУ | G3SBA60 | ГБУ | Однофазный | 600В | 5 мкА при 600 В | 1 В при 2 А | 2,3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РС501-Г | Комчип Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С, ТДж | Поднос | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | Стандартный | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/comchiptechnology-rs507g-datasheets-8596.pdf | 4-СИП, РС-5 | 5 | РС5 | 30А | 10 мкА | Однофазный | 50В | 10 мкА при 50 В | 1 В @ 5 А | 5А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G5SBA20-E3/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-g5sba20e351-datasheets-8621.pdf | 4-СИП, ГБУ | 22,3 мм | 18,8 мм | 3,56 мм | 4 | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 4 | Одинокий | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | 2,8А | 150А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 5 мкА | 200В | Однофазный | 1 | 200В | 5 мкА при 200 В | 1,05 В при 3 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3КБП02М-Е4/51 | Подразделение полупроводниковых диодов Vishay | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Стандартный | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/vishaysemiconductordiodesdivision-3kbp01me451-datasheets-8607.pdf | 4-СИП, КБПМ | 15,24 мм | 11,68 мм | 5,08 мм | 4 | 22 недели | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Серебро | неизвестный | е4 | ПРОВОЛОКА | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | НЕПРИГОДНЫЙ | 4 | Мостовые выпрямительные диоды | Не квалифицированный | 80А | 5 мкА | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | КРЕМНИЙ | 80А | 5 мкА | 200В | Однофазный | 1 | 3А | 5 мкА при 200 В | 1,05 В при 3 А | 3А |
