Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производитель производитель | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Минимальное напряжение проба | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTUD3170NZT5G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-ntud3170nzt5g-datasheets-4091.pdf | СОТ-963 | 1,05 мм | 400 мкм | 850 мкм | Без свинца | 6 | 8 недель | Нет СВХК | 1,5 Ом | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 125 МВт | ПЛОСКИЙ | NTUD3170NZ | 6 | Двойной | 200мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 16,5 нс | 25,5 нс | 80 нс | 142 нс | 280 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 12,5 пФ при 15 В | 1,5 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 220 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АО4842 | Альфа и Омега Semiconductor Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 16 недель | 8 | Нет | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 7,7А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 448пФ при 15В | 22 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,6 В при 250 мкА | 11 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1900DL-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si1900dlt1e3-datasheets-4332.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 7,512624 мг | Неизвестный | 480мОм | 6 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ1900 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 270мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 5 нс | 8нс | 8 нс | 8 нс | 630 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,59 А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 3 В | 480 мОм при 590 мА, 10 В | 3 В при 250 мкА | 590 мА | 1,4 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМГ4800ЛСД-13 | Диодс Инкорпорейтед | 0,47 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmg4800lsd13-datasheets-4156.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,7 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 16 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,17 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМГ4800ЛСД | 8 | Двойной | 40 | 1,17 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 5,03 нс | 4,5 нс | 8,55 нс | 26,33 нс | 7,5 А | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,6 В | 0,016Ом | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 798пФ при 10 В | 16 мОм при 9 А, 10 В | 1,6 В при 250 мкА | 8,56 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA519EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sia519edjt1ge3-datasheets-4324.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 40МОм | 6 | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 7,8 Вт | 260 | SIA519 | 6 | 40 | 1,9 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 600мВ | 20 В | N и P-канал | 350пФ при 10В | 40 мОм при 4,2 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIA533EDJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia533edjt1ge3-datasheets-4354.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | 800 мкм | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 34МОм | 6 | EAR99 | 7,8 Вт | С ИЗГИБ | НЕ УКАЗАН | SIA533 | 6 | 2 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 7,8 Вт | 2 | Другие транзисторы | Не квалифицированный | 150°С | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 400мВ | 12 В | N и P-канал | 420пФ при 6В | 400 мВ | 34 мОм при 4,6 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS6K1TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 30 В | 1А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 20 недель | Нет СВХК | 364МОм | 6 | да | EAR99 | Нет | е1 | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *К1 | 6 | Двойной | 10 | 1,25 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 7 нс | 7нс | 7 нс | 15 нс | 1А | 12 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 1А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 77пФ при 10 В | 1,5 В | 238 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,5 В @ 1 мА | 2,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6506P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | -30В | -1,8А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 170МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 960мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 7 нс | 8нс | 8 нс | 14 нс | 1,8 А | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,8 В | 700мВт | -30В | 2 P-канала (двойной) | 190пФ при 15В | 170 мОм при 1,8 А, 10 В | 3 В при 250 мкА | 3,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2240УДМ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dmp2240udm7-datasheets-4161.pdf | СОТ-23-6 | 3 мм | 1,4 мм | 1,6 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | Нет СВХК | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | СОТ26 (SC74R) | е3 | 600мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМП2240УДМ | 6 | Двойной | 40 | 600мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 11,51 нс | 12,09 нс | 12,09 нс | 55,34 нс | -2А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 2А | 0,15 Ом | -20В | 2 P-канала (двойной) | 320пФ при 16В | 150 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 2А | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| НДЦ7001С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-ndc7001c-datasheets-9360.pdf | 350 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 900 мкм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 8 недель | 36мг | Нет СВХК | 2Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 700мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 960мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 2,8 нс | 10 нс | 10 нс | 8 нс | 510 мА | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,1 В | 60В | 0,51 А | 60В | N и P-канал | 20пФ при 25В | 2,1 В | 2 Ом при 510 мА, 10 В | 2,5 В @ 250 мкА | 510 мА 340 мА | 1,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6401N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdc6401n-datasheets-4103.pdf | 20 В | 3А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 70МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 960мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 5 нс | 7нс | 1,6 нс | 13 нс | 3А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 700мВт | 3А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 324пФ при 10В | 900 мВ | 70 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,6 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМП2075УФДБ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmp2075ufdb7-datasheets-3909.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 23 недели | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 700мВт Та | 2 P-канала (двойной) | 642пФ при 10 В | 75 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 3,8А Та | 8,8 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2400УВ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmn2400uv7-datasheets-3553.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 1,7 мм | 600 мкм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 3,005049мг | Нет СВХК | 500мОм | 6 | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, НИЗКИЙ ПОРОГ | Олово | Нет | е3 | 530мВт | ПЛОСКИЙ | 6 | Двойной | 530мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4,06 нс | 7,28 нс | 10,54 нс | 13,74 нс | 1,33А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 2 N-канала (двойной) | 36пФ при 16В | 480 мОм при 200 мА, 5 В | 900 мВ при 250 мкА | 0,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ6К7Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-em6k7t2r-datasheets-3742.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 6 | 16 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | *К7 | 6 | 10 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 200 мА | 8В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,2 А | 1,4 Ом | 2 N-канала (двойной) | 25пФ при 10В | 1,2 Ом при 200 мА, 2,5 В | 1 В @ 1 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ6К1Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 30 В | 100 мА | СОТ-563, СОТ-666 | 1,6 мм | 500 мкм | 1,2 мм | Без свинца | 6 | Нет СВХК | 13Ом | 6 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 150 мВт | ПЛОСКИЙ | 260 | *К1 | 6 | Двойной | 10 | 150 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 15 нс | 35 нс | 35 нс | 80 нс | 100 мА | 20 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,1 А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 13пФ @ 5В | 1,5 В | 8 Ом при 10 мА, 4 В | 1,5 В @ 100 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН5Л06ДВК-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/diodesincorporated-dmn5l06dwk7-datasheets-3889.pdf | 50В | 305 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1,1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 2Ом | 6 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН5Л06ДВК | 6 | Двойной | 40 | 250 мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 2,1 нс | 14,4 нс | 305 мА | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,305А | 5 пФ | 50В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 Ом при 50 мА, 5 В | 1 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6306П | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-fdg6306p-datasheets-3977.pdf | -20В | -600мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 5,5 нс | 14нс | 14 нс | 6 нс | 600мА | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,2 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 114пФ при 10В | 420 мОм при 600 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF9389TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irf9389trpbf-datasheets-4013.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF9389 | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 14нс | 15 нс | 17 нс | 4,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 34А | 30 В | N и P-канал | 398пФ при 15 В | 27 мОм при 6,8 А, 10 В | 2,3 В @ 10 мкА | 6,8 А 4,6 А | 14 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6420C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 3А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 900 мкм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 70МОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | ИНН (СН) | 700мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Двойной | 30 | 960мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 12нс | 12 нс | 10 нс | 3А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 3А | 20 В | N и P-канал | 324пФ при 10В | 900 мВ | 70 мОм при 3 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 3А 2,2А | 4,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX1029X,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/nexperiausainc-nx1029x115-datasheets-4067.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | Без свинца | 4 недели | 6 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | 6 | 500мВт | 2 | 11нс | 25 нс | 48 нс | 170 мА | 20 В | 60В 50В | -50В | N и P-канал | 36пФ при 25В | 7,5 Ом при 100 мА, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 330 мА 170 мА | 0,35 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ1902ДЛ-Т1-Е3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si1902dlt1e3-datasheets-4051.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | 7,512624 мг | Нет СВХК | 385МОм | 6 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 270мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | СИ1902 | 6 | 2 | Двойной | 270мВт | 2 | 150°С | 10 нс | 16 нс | 16 нс | 10 нс | 660 мА | 12 В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 600 мВ | 385 мОм при 660 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6327C | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/onsemiconductor-fdc6327c-datasheets-4120.pdf | 2,7А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 80МОм | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Нет | ИНН (СН) | 960мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 960мВт | 2 | Другие транзисторы | 150°С | 14нс | 14 нс | 1,9 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 700мВт | 20 В | N и P-канал | 325пФ при 10В | 900 мВ | 80 мОм при 2,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2,7 А 1,9 А | 4,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDG8850NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fdg8850nz-datasheets-4127.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 400мОм | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 360мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Двойной | 360мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 4 нс | 1нс | 1 нс | 9 нс | 750 мА | 12 В | 30 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 300мВт | 0,75 А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 120пФ при 10В | 400 мОм при 750 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 1,44 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN3018SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn3018ssd13-datasheets-4152.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | 8 | 15 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | АЭК-Q101 | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2 | Одинокий | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4,3 нс | 4,4 нс | 4,1 нс | 20,1 нс | 6,7А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 60А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 697пФ при 15 В | 22 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 13,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДГ6301Н | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/onsemiconductor-fdg6301n-datasheets-3504.pdf | 25 В | 220 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 1,1 мм | 1,25 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 28мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 300мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 300мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 5 нс | 4,5 нс | 4,5 нс | 4 нс | 220 мА | 8В | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 850 мВ | 25 В | 2 N-канала (двойной) | 9,5 пФ при 10 В | 4 Ом при 220 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 0,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УПА2650Т1Е-Е2-АТ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-upa2650t1ee2at-datasheets-3723.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 6-МЛП (3х3) | 20 В | 1,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 220пФ при 10В | 65 мОм при 3 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 3,8А | 2,9 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDC6301N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-fdc6301n-datasheets-3676.pdf | 25 В | 220 мА | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 10 недель | 36мг | Нет СВХК | 4Ом | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | Нет | е3 | 900мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 900мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5 нс | 4,5 нс | 4,5 нс | 4 нс | 220 мА | 8В | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 850 мВ | 700мВт | 25 В | 2 N-канала (двойной) | 9,5 пФ при 10 В | 850 мВ | 4 Ом при 400 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 0,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSS138DW-7-F | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-bss138dw7f-datasheets-3758.pdf | 50В | 200 мА | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1,1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 3,5 Ом | 6 | Олово | 200мВт | 2 | Двойной | 200мВт | 2 | 150°С | СОТ-363 | 50пФ | 20 нс | 20 нс | 200 мА | 20 В | 50В | 1,2 В | 200мВт | 50В | 3,5 Ом | 75В | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 10В | 1,2 В | 3,5 Ом при 220 мА, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 200 мА | Ворота логического уровня | 3,5 Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC2004DWK-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmc2004dwk7-datasheets-3781.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2,2 мм | 1 мм | 1,35 мм | Без свинца | 6 | 19 недель | 6,010099мг | Нет СВХК | 900мкОм | 6 | да | EAR99 | ЭСР ЗАЩИТА | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMC2004DWK | 6 | 40 | 250 мВт | 2 | Другие транзисторы | 540 мА | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,54 А | 20 В | N и P-канал | 150пФ при 16В | 550 мОм при 540 мА, 4,5 В | 1 В @ 250 мкА | 540 мА 430 мА | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6Н58НУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,07 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-WDFN Открытая площадка | 12 недель | 6 | 1 Вт | 2 | Двойной | 26 нс | 9 нс | 4А | 1В | 30 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 129пФ при 15В | 84 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 1,8 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 1,8 В |
