Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Эмкость | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Текущий | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Расстояние между строками | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Код JEDEC-95 | Время восстановления | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIA975DJ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-sia975djt1ge3-datasheets-5566.pdf | PowerPAK® SC-70-6 Двойной | Без свинца | 6 | 14 недель | 28,009329мг | Неизвестный | 41мОм | 6 | EAR99 | Олово | Нет | 7,8 Вт | SIA975 | 6 | Двойной | 1,9 Вт | 2 | Другие транзисторы | 22 нс | 22нс | 15 нс | 32 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -400мВ | -12В | 2 P-канала (двойной) | 1500пФ при 6В | 41 мОм при 4,3 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 26 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN4031SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmn4031ssd13-datasheets-5807.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,95 мм | 1,5 мм | 3,95 мм | Без свинца | 8 | 15 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 31мОм | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,42 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ДМН4031 | 8 | Двойной | 40 | 2,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6,4 нс | 9,7 нс | 3,1 нс | 19,8 нс | 5,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7А | 40В | 2 N-канала (двойной) | 945пФ при 20 В | 31 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 18,6 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS6M4TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 1,5 А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 20 недель | 6 | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е1 | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *М4 | 6 | Двойной | 10 | 1,25 Вт | 2 | Другие транзисторы | 12нс | 12 нс | 45 нс | 1,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В 20В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 0,245 Ом | -20В | N и P-канал | 80пФ при 10В | 230 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 1,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2023UCB4-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn2023ucb47-datasheets-5556.pdf | 4-XFBGA, WLBGA | 2,564 нФ | 8 недель | 4 | EAR99 | 1,45 Вт | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 10 нс | 20нс | 29 нс | 75 нс | 6А | 12 В | 24В | 27мОм | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 3333пФ при 10 В | 1,3 В @ 1 мА | 6А Та | 37 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДК8602 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdc8602-datasheets-5222.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 3 мм | 1,1 мм | 1,7 мм | Без свинца | 6 | 35 недель | 36мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 690мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 690мВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 3,5 нс | 1,7 нс | 2,3 нс | 5,4 нс | 1,2А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,2 В | МО-193АА | 0,35 Ом | 5 пФ | 100В | 2 N-канала (двойной) | 70пФ при 50В | 350 мОм при 1,2 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 2 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| US6J12TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 6-SMD, плоские выводы | 16 недель | EAR99 | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12 В | 910мВт Та | 2 P-канала (двойной) | 850пФ при 6В | 105 мОм при 2 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 2А Та | 7,6 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI9933CDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si9933cdyt1ge3-datasheets-4547.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 58МОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | 470мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ9933 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 | Другие транзисторы | 21 нс | 50 нс | 13 нс | 29 нс | -4А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,4 В | 3,1 Вт | 4А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 665пФ при 10 В | 58 мОм при 4,8 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4А | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmc4029sk413-datasheets-5642.pdf | ТО-252-5, ДПак (4 отведения + вкладка), ТО-252АД | 23 недели | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8,3А | 40В | 1,5 Вт | Дополняющие N и P-каналы | 1060пФ при 20В | 24 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 19,1 нк при 20 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8МА2ГЗЕТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-sh8ma2gzetb-datasheets-5645.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,4 Вт Та | 12А | 0,08 Ом | 1,1 мДж | N и P-канал | 125пФ 305пФ при 15В | 80 мОм при 4,5 А, 10 В, 82 м Ом при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,5 А Та | 3 нк, 6,7 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QH8KA1TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 Вт | 12А | 0,073Ом | 0,65 мДж | 2 N-канала (двойной) | 125пф при 15В | 73 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,5 А | 3нК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS6J1TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/rohmsemiconductor-qs6j1tr-datasheets-5577.pdf | -20В | -1,5 А | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | Без свинца | 6 | 340МОм | 5 | да | EAR99 | Нет | е1 | 1,25 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | *J1 | 6 | Двойной | 10 | 1,25 Вт | 2 | Другие транзисторы | Р-ПДСО-Г6 | 10 нс | 12нс | 12 нс | 45 нс | 1,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -2В | 6А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 270пФ при 10В | 215 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 2 В при 1 мА | 3nC @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS9926A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/onsemiconductor-fds9926a-datasheets-5681.pdf | 20 В | 6,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 9нс | 4 нс | 15 нс | 6,5 А | 10 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 900мВт | 0,03 Ом | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 650пФ при 10 В | 1 В | 30 мОм при 6,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 9 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1900DL-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si1900dlt1e3-datasheets-4332.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 6 | 14 недель | да | EAR99 | неизвестный | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 6 | 30 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 0,3 Вт | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 300 МВт 270 МВт | 0,59 А | 0,48 Ом | 2 N-канала (двойной) | 480 мОм при 590 мА, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 630 мА Та 590 мА Та | 1,4 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL8DN6LF6AG | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, STripFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl8dn6lf6ag-datasheets-5452.pdf | 8-PowerVDFN | 20 недель | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | 55 Вт | НЕ УКАЗАН | STL8 | НЕ УКАЗАН | 1,34 нФ | 32А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 27 мОм при 9,6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 32А Тк | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI6926ADQ-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/vishaysiliconix-si6926adqt1e3-datasheets-4790.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3 мм | 1 мм | 4,4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 157,991892мг | Неизвестный | 30МОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ6926 | 8 | Двойной | 40 | 830мВт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 6 нс | 16 нс | 16 нс | 46 нс | 4,5 А | 8В | КРЕМНИЙ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 4,1А | 2 N-канала (двойной) | 30 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,1А | 10,5 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К29-100Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-buk9k29100e115-datasheets-5500.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 68 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 6,1 нс | 6,4 нс | 35,1 нс | 67,3 нс | 30А | 10 В | 100В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 100В | 2 N-канала (двойной) | 3491пФ при 25 В | 27 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 54 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMC3A16DN8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-zxmc3a16dn8tc-datasheets-5510.pdf | 30В | 6,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 48мОм | 8 | да | EAR99 | НИЗКИЙ ПОРОГ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,25 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 40 | 2,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 3 нс | 6,4 нс | 9,4 нс | 21,6 нс | 4,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,9А | 30В | N и P-канал | 796пФ при 25 В | 35 мОм при 9 А, 10 В | 1 В @ 250 мкА (мин) | 4,9 А 4,1 А | 17,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QH8K22TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-qh8k22tcr-datasheets-5551.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 16 недель | EAR99 | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт Та | 18А | 0,046Ом | 1,6 мДж | 2 N-канала (двойной) | 195пФ при 20В | 46 мОм при 6,5 А, 10 В | 2,5 В @ 10 мкА | 6,5 А Та | 2,6 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К25ГЗ0ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-sh8k25gz0tb-datasheets-5571.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 8А | 0,085Ом | 0,48 мДж | 2 N-канала (двойной) | 100пФ при 10В | 85 мОм при 5,2 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5.2А Та | 1,7 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMHC3F381N8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-zxmhc3f381n8tc-datasheets-5264.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 55мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 870мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXMHC3F381 | 8 | 40 | 1,35 Вт | 4 | Другие транзисторы | 1,9 нс | 3нс | 21 нс | 30 нс | 3,36А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | -30В | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 430пФ при 15В | 33 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 3,98 А 3,36 А | 9 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC8030 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fdmc8030-datasheets-4982.pdf | 8-PowerWDFN | 3 мм | 800 мкм | 3 мм | 8 | 7 недель | 196мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 часа назад) | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 800мВт | 2 | Двойной | 1,9 Вт | 1 | 150°С | 7 нс | 3нс | 3 нс | 19 нс | 12А | 12 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 50А | 30 пФ | 40В | 2 N-канала (двойной) | 1975 пФ при 20 В | 10 мОм при 12 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4946BEY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/vishaysiliconix-si4946beyt1e3-datasheets-5417.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 41мОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 2,4 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4946 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2,4 Вт | 2 | 175°С | 10 нс | 12нс | 10 нс | 25 нс | 6,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 В | 3,7 Вт | 5,3А | 30А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 840пФ при 30 В | 41 мОм при 5,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 25 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7341TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7341trpbf-datasheets-5055.pdf | 55В | 4,7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,75 мм | 3,9878 мм | Содержит свинца, не содержит свинца | 8 | 12 недель | Нет СВХК | 50мОм | 8 | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ, СВЕРХНИЗКАЯ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | IRF7341PBF | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 150°С | 8,3 нс | 3,2 нс | 13 нс | 32 нс | 4,7А | 20 В | 55В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3 мм | 1В | 90 нс | 5,1А | 140 мДж | 55В | 2 N-канала (двойной) | 740пФ при 25В | 1 В | 50 мОм при 4,7 А, 10 В | 1 В при 250 мкА | 36 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4922BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4922bdyt1e3-datasheets-5484.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 16мОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4922 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 13 нс | 53нс | 54 нс | 68 нс | 8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 3,1 Вт | 8А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 2070пФ при 15В | 16 мОм при 5 А, 10 В | 1,8 В @ 250 мкА | 62 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НВМФД5К462НЛТ1Г | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c462nlt1g-datasheets-5481.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ПЛОСКИЙ | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 50 Вт | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт Та 50 Вт Тс | 311А | 0,0077Ом | 174 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1300пФ при 25В | 4,7 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 40 мкА | 18А Та 84А Ц | 11 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К12-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k1260ex-datasheets-5489.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 68 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 35А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 68 Вт | 204А | 0,0115Ом | 118 мДж | 2 N-канала (двойной) | 3470пФ при 25В | 10,7 мОм при 15 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 24,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6875 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fds6875-datasheets-5249.pdf | -20В | -6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 30мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 8 нс | 15нс | 35 нс | 98 нс | -6А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -800мВ | 900мВт | 6А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 2250пФ при 10 В | 30 мОм при 6 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 6А | 31 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4288DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si4288dyt1ge3-datasheets-5505.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,75 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 506,605978мг | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 150°С | 7 нс | 8 нс | 16 нс | 7,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 40В | 2 N-канала (двойной) | 580пФ при 20В | 20 мОм при 10 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 9,2А | 15 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF7329TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/infineontechnologies-irf7329trpbf-datasheets-5288.pdf | -12В | -9,2А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 8 | 12 недель | 8 | Нет | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | IRF7329PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | 10 нс | 8,6 нс | 260 нс | 340 нс | 9,2А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,017Ом | -12В | 2 P-канала (двойной) | 3450пФ при 10 В | 17 мОм при 9,2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 57 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6910 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-fds6910-datasheets-5349.pdf | 30В | 7,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | Нет СВХК | 13МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 75А | е3 | Олово (Вс) | 30В | 1,6 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 1,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 5нс | 5 нс | 26 нс | 7,5 А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 900мВт | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1130пФ при 15В | 1,8 В | 13 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня |
