Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| QH8JA1TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 Вт | 5А | 18А | 0,048Ом | 8,9 мДж | 2 P-канала (двойной) | 720пФ при 10 В | 38 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,2 В при 1 мА | 5А | 10,2 нк при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6984AS | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench®, SyncFET™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-fds6984as-datasheets-7126.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 3,99 мм | Без свинца | 18 недель | 187 мг | Нет СВХК | 32МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | Олово | 2 Вт | 2 Вт | 2 | 6нс | 2 нс | 22 нс | 8,5 А | 20 В | 1,7 В | 900мВт | 30В | 2 N-канала (двойной) | 420пФ при 15В | 31 мОм при 5,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,5 А 8,5 А | 11 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C478NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-nvmfd5c478nlt1g-datasheets-6876.pdf | 8-PowerTDFN | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | е3 | Олово (Вс) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 40В | 3,1 Вт Та 23 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 420пФ при 25В | 14,5 мОм при 7,5 А, 10 В | 2,2 В @ 20 мкА | 10,5 А Та 29 А Тс | 8,1 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| VEC2415-TL-W | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-vec2415tlw-datasheets-6085.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | не_совместимо | 1 Вт | 3А | 60В | 2,6 В | 1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 505пФ при 20В | 80 мОм при 1,5 А, 10 В | 2,6 В при 1 мА | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня, привод 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ958EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj958ept1ge3-datasheets-7120.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 1,267 мм | 12 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 35 Вт | 175°С | 5 нс | 18 нс | 20А | 20 В | 60В | 2 N-канала (двойной) | 1075пФ при 30 В | 34,9 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 20А Ц | 23 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН1002UCA6-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmn1002uca67-datasheets-6889.pdf | 6-СМД, без свинца | 17 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1,1 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 68,6 НК при 4 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ECH8667-TL-H | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-ech8667tlh-datasheets-6607.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,9 мм | 900 мкм | 2,3 мм | Без свинца | 8 | 2 недели | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | Без галогенов | ДА | 1,5 Вт | 8 | Двойной | 1,5 Вт | 2 | 7,2 нс | 23нс | 42 нс | 63 нс | 5,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 40А | 0,039 Ом | 30В | 2 P-канала (двойной) | 600пФ при 10В | 39 мОм при 2,5 А, 10 В | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ3011LDT-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~155°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 155°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmt3011ldt7-datasheets-7250.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 23 недели | 1,9 Вт | V-DFN3030-8 (Тип К) | 641пФ | 10,7А | 30В | 1,9 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 641пФ при 15 В | 20 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 8А 10,7А | 13,2 НК при 10 В | Стандартный | 20 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM6963SDCA РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm6963sdcarvg-datasheets-7046.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 18 недель | 8-ЦСОП | 20 В | 1,14 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1500пФ при 10В | 30 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 4,5 А Тс | 20 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ730ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-siz730dtt1ge3-datasheets-7074.pdf | 6-PowerPair™ | 6 мм | 750 мкм | 3,73 мм | Без свинца | 6 | 15 недель | Неизвестный | 6 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 48 Вт | 260 | СИЗ730 | 6 | 2 | Двойной | 40 | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 15нс | 10 нс | 35А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 27 Вт 48 Вт | 100А | 0,0053Ом | 45 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 830пФ при 15В | 9,3 мОм при 15 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 16А 35А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QH8MA4TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/rohm-qh8ma4tcr-datasheets-0043.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | 2 | EAR99 | 1,5 Вт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | 8А | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,016Ом | 3,5 мДж | N и P-канал | 640пФ при 15В | 16 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 9А 8А | 15,5 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К41ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rohmsemiconductor-sh8k41gzetb-datasheets-7094.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | 1,4 Вт | 8-СОП | 600пФ | 3,4А | 80В | 1,4 Вт | 90мОм | 2 N-канала (двойной) | 600пФ при 10В | 130 мОм при 3,4 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3,4А | 6,6 нк при 5 В | Ворота логического уровня | 130 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К35-60ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k3560ex-datasheets-7115.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | Без свинца | 4 | 12 недель | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 38 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | 2 | Р-ПССО-Г4 | 22А | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 95А | 0,03 Ом | 2 N-канала (двойной) | 794 пФ при 25 В | 30 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 20,7А | 12,5 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM7002AG TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm7002agtrpbfree-datasheets-6962.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 24 недели | ДА | Полевой транзистор общего назначения | 0,35 Вт | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 мВт | 0,28 А | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 280 мА | 0,59 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТ3009ЛДТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmt3009ldt7-datasheets-7140.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 23 недели | да | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,2 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30А | 30В | 1,2 Вт | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1500пФ при 15В | 11,1 мОм при 14,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 20 НК при 15 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC8032L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | 8-PowerWDFN | 3 мм | 750 мкм | 3 мм | Без свинца | 4 | 11 недель | 196мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 часа назад) | да | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 12 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | С-ПДСО-Н4 | 5,5 нс | 1,2 нс | 1,3 нс | 13 нс | 20А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 Вт | 7А | 50А | 13 мДж | 40В | 2 N-канала (двойной) | 720пФ при 20В | 20 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А | 11 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD6N03R2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-ntmd6n03r2g-datasheets-6957.pdf | 30В | 6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 2 недели | Нет СВХК | 32МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTMD6N03 | 8 | 40 | 2 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | Не квалифицированный | 22нс | 45 нс | 45 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 1,29 Вт | 6А | 30А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 950пФ при 24В | 32 мОм при 6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTHD3100CT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-nthd3100ct1g-datasheets-5869.pdf | 20 В | 2,9 А | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,05 мм | 1,65 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 4.535924г | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 7 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 1,1 Вт | С ИЗГИБ | 260 | NTHD3100C | 8 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6,3 нс | 11,7 нс | 11,7 нс | 16 нс | 3,9 А | 8В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,5 В | -20В | N и P-канал | 165пФ при 10В | 80 мОм при 2,9 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 2,9 А 3,2 А | 2,3 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8958A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-fds8958a-datasheets-6553.pdf | 7А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 18 недель | Нет СВХК | 28мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 15 часов назад) | да | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 Вт | 2 | 13нс | 9 нс | 14 нс | 7А | 20 В | 30В | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,9 В | 900мВт | 7А | 54 мДж | 30В | N и P-канал | 575пФ при 15В | 1,9 В | 28 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7А 5А | 16 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4K105NUZTDG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-efc4k105nuztdg-datasheets-7008.pdf | 10-СМД, без свинца | 7 недель | да | 22В | 2,5 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 3,55 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 25А Та | 43 НК при 3,8 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН1003UCA6-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmn1003uca67-datasheets-7033.pdf | 6-СМД, без свинца | 6 | 17 недель | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | НИЖНИЙ | 260 | 30 | 2 | Р-XBCC-N6 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,67 Вт | 2 N-канала (двойной) | 3315пФ при 6В | 1,3 В @ 1 мА | 56,5 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN1006UCA6-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmn1006uca67-datasheets-6667.pdf | 6-СМД, без свинца | 6 | 17 недель | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 30 | 2 | Р-ПБГА-В6 | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 Вт | 0,011 Ом | 2 N-канала (двойной) | 2360пФ при 6В | 1,3 В @ 1 мА | 35,2 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К18-40Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/nexperiausainc-buk9k1840e115-datasheets-6902.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | Без свинца | 6 | 12 недель | 19,5 МОм | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | не_совместимо | е3 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 4 нс | 4,6 нс | 9,9 нс | 17,5 нс | 30А | 15 В | 40В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 38 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1061пФ при 25В | 16 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 14,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC2K103NUZTDG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-efc2k103nuztdg-datasheets-6684.pdf | 10-СМД, без свинца | 40 недель | да | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12 В | 3,3 Вт Та | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1,8 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,3 В @ 1 мА | 40А Та | 62 НК при 6 В | Ворота логического уровня, привод 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6816 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 8-PowerSMD, плоские выводы | Без свинца | 18 недель | 2,8 Вт | 17А | 30В | 2,8 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1540пФ при 15В | 6,2 мОм при 16 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 45 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4946CDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | $13,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysiliconix-si4946cdyt1ge3-datasheets-6855.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 1,75 мм | 14 недель | 2 | 2 Вт | 150°С | 8-СО | 8 нс | 16 нс | 5,2А | 20 В | 60В | 2 Вт Та 2,8 Вт Тс | 33мОм | 60В | 2 N-канала (двойной) | 350пФ при 30В | 40,9 мОм при 5,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 5,2 А Та 6,1 А Тс | 10 нк @ 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К18-40ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/nexperiausainc-buk7k1840ex-datasheets-6858.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 24,2А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 38 Вт | 127А | 0,019 Ом | 26,3 мДж | 2 N-канала (двойной) | 808пФ при 25 В | 19 мОм при 10 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 11,8 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К89-100Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k89100e115-datasheets-6879.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | не_совместимо | е3 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 38 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 38 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 3,6 нс | 5,8 нс | 12,1 нс | 22,1 нс | 12,5 А | 10 В | 100В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 50А | 2 N-канала (двойной) | 1108пФ при 25В | 85 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 16,8 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL40DN3LLH5 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | STripFET™ V | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stl40dn3llh5-datasheets-6866.pdf | 8-PowerVDFN | 4,75 мм | 850 мкм | 5,75 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | Нет СВХК | 18МОм | 5 | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 60 Вт | ПЛОСКИЙ | СТЛ40 | 8 | Двойной | 60 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 4 нс | 22нс | 2,8 нс | 13 нс | 40А | 22В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 В | 11А | 44А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 475пФ при 25В | 18 мОм при 5,5 А, 10 В | 1,5 В @ 250 мкА | 4,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТТ8J2TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-tt8j2tr-datasheets-6842.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 1,25 Вт | 260 | *J2 | 8 | 10 | 1,25 Вт | 2 | 7 нс | 20нс | 14 нс | 35 нс | 2,5 А | 20 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10А | -30В | 2 P-канала (двойной) | 460пФ при 10В | 84 мОм при 2,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 4,8 нк при 5 В | Ворота логического уровня |
