Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Количество выходов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TSM6968DCA РВГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | 1,71 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm6968dcarvg-datasheets-8448.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 недель | 20 В | 1,04 Вт | 2 N-канала (двойной) | 950пФ при 10 В | 22 мОм при 6 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 6,5 А Тс | 15 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM7002AJ TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm7002agtrpbfree-datasheets-6962.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 42 недели | ДА | Полевой транзистор общего назначения | 0,35 Вт | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350 мВт | 0,28 А | 2 N-канала (двойной) | 50пФ при 25В | 2 Ом при 500 мА, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 280 мА | 0,59 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD4820NR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntmd4820nr2g-datasheets-8288.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 2 недели | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | ДА | 1,29 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | NTMD4820N | 8 | Двойной | 1,28 Вт | 1 | Полевой транзистор общего назначения | 9,4 нс | 4нс | 4 нс | 21 нс | 6,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 750 мВт | 4,9А | 0,02 Ом | 30В | 2 N-канала (двойной) | 940пФ при 15В | 20 мОм при 7,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,9А | 7,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVLJD4007NZTAG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvljd4007nztag-datasheets-8476.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | Без свинца | 2 недели | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ДА | 755 МВт | 6 | Двойной | 755 МВт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 9 нс | 41нс | 72 нс | 96 нс | 245 мА | 10 В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 30В | 2 N-канала (двойной) | 20пФ при 5В | 7 Ом @ 125 мА, 4,5 В | 1,5 В @ 100 мкА | 0,75 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6042SSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmnh6042ssdq13-datasheets-8497.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 18 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,1 Вт | 5,3А | 35А | 0,05 Ом | 65 мДж | 2 N-канала (двойной) | 584пФ при 25В | 50 мОм при 5,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 16,7 А Тс | 4,2 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS7602S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms7602s-datasheets-0282.pdf | 8-PowerWDFN | 5 мм | 700 мкм | 6 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 211мг | Нет СВХК | 7,5 МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | е4 | 2,5 Вт | 1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 3,8 нс | 3,2 нс | 27 нс | 17А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,8 В | 40А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1750пФ при 15В | 1,8 В | 7,5 мОм при 12 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12А 17А | 28 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3664С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3664s-datasheets-8525.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,1 мм | 5,9 мм | 6 | 13 недель | 171 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | ПЛОСКИЙ | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 7,7 нс | 19 нс | 25А | 12 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 70 пФ | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1765пФ при 15В | 8 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 13А 25А | 29 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C470NLT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c470nlwft1g-datasheets-8413.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ПЛОСКИЙ | 260 | 30 | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт Та 24 Вт Тс | 110А | 0,0178Ом | 49 мДж | 2 N-канала (двойной) | 590пФ при 25В | 11,5 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 20 мкА | 11А Та 36А Ц | 4нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С2Л65ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineon-ipg20n06s2l65aatma1-datasheets-0295.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 10 недель | 8 | Без галогенов | 43 Вт | 43 Вт | 2 | ПГ-ТДСОН-8-10 | 410пФ | 2 нс | 3нс | 7 нс | 10 нс | 20А | 20 В | 55В | 55В | 43 Вт | 53мОм | 2 N-канала (двойной) | 410пФ при 25В | 65 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 14 мкА | 20А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 65 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ952EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sqj952ept1ge3-datasheets-7856.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 12 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 25 Вт Тс | 2 N-канала (двойной) | 1800пФ при 30В | 20 мОм при 10,3 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 23А Тк | 30 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTMD6P02R2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/onsemiconductor-ntmd6p02r2g-datasheets-8272.pdf | -20В | -6А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 29 недель | Нет СВХК | 33мОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ, ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | Нет | е3 | ДА | 750 мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | NTMD6P02 | 8 | Двойной | 40 | 2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 6А | 20нс | 50 нс | 85 нс | 7,8А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 | -880мВ | 450 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1700пФ при 16В | 33 мОм при 6,2 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 4,8А | 35 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF8915TRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕТР® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/infineontechnologies-irf8915trpbf-datasheets-8087.pdf | 20 В | 8,9А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,4986 мм | 3,9878 мм | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 18,3 МОм | 8 | EAR99 | Нет | 2 Вт | IRF8915PBF | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 6 нс | 12нс | 3,6 нс | 7,1 нс | 8,9А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 540пФ при 10В | 18,3 мОм при 8,9 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 7,4 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C470NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c470nlwft1g-datasheets-8413.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 48 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ПЛОСКИЙ | 260 | 30 | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт Та 24 Вт Тс | 110А | 0,0178Ом | 49 мДж | 2 N-канала (двойной) | 590пФ при 25В | 11,5 мОм при 5 А, 10 В | 2,2 В @ 20 мкА | 11А Та 36А Ц | 4нК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3669С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/onsemiconductor-fdms3669s-datasheets-8351.pdf | 8-PowerTDFN | 5 мм | 1,1 мм | 5,9 мм | 6 | 13 недель | 171 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 2,5 Вт | ПЛОСКИЙ | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Ф6 | 3нс | 3 нс | 24 нс | 60А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1 Вт | 13А | 0,01 Ом | 55 пФ | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1605пФ при 15В | 10 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 13А 18А | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8КА4ТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт | 9А | 18А | 21,4 Ом | 4,6 мДж | 2 N-канала (двойной) | 640пФ при 15В | 21,4 мОм при 9 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 9А | 15,5 НК при 10 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2011UFX-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn2011ufx7-datasheets-8046.pdf | 4-ВФДФН Открытая площадка | 23 недели | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,1 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 12,2А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 2248пФ при 10 В | 9,5 мОм при 10 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 12.2А Та | 56 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8МА4ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-sh8ma4tb1-datasheets-7846.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 16 недель | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт Та | 18А | 0,0325Ом | 5,7 мДж | N и P-канал | 640пФ 890пФ при 15В | 21,4 мОм при 9 А, 10 В, 29,6 м Ом при 8,5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 9А Та 8,5А Та | 15,5 нк, 19,6 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN4027SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/diodesincorporated-dmn4027ssd13-datasheets-8182.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Олово | Нет | е3 | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMN4027SSD | 8 | Двойной | 40 | 2,1 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 3,1 нс | 3,1 нс | 7,5 нс | 15,4 нс | 5,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7.1А | 40В | 2 N-канала (двойной) | 604пФ при 20В | 27 мОм при 7 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 12,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСО220Н03МДГСУМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-bso220n03mdgxuma1-datasheets-8187.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 18 недель | 8 | да | EAR99 | Олово | е3 | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 1,4 Вт | 2 | Не квалифицированный | 2,8 нс | 6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 N-канала (двойной) | 800пФ при 15В | 22 мОм при 7,7 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMP3056LSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/diodesincorporated-dmp3056lsdq13-datasheets-8209.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 23 недели | Нет СВХК | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30В | 2,5 Вт | 2 P-канала (двойной) | 722пФ при 25 В | 45 мОм при 6 А, 10 В | 2,1 В при 250 мкА | 6,9А Та | 13,7 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD85301Q2T | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 6-WDFN Открытая площадка | 2 мм | 2 мм | Без свинца | 6 | 12 недель | 9,695537мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 750 мкм | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | е3 | 2,3 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | CSD85301 | 2 | Двойной | 2 | 6 нс | 26нс | 15 нс | 14 нс | 5А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 5А | 0,039 Ом | 3,8 мДж | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 469пФ при 10 В | 27 мОм при 5 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 5,4 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня, привод 5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К134-100ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k134100ex-datasheets-8245.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | Без свинца | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 32 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 8,5 А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 32 Вт | 34А | 0,159 Ом | 12,6 мДж | 2 N-канала (двойной) | 755пФ при 25В | 159 мОм при 5 А, 5 В | 2,1 В при 1 мА | 7,4 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD83325LT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-csd83325lt-datasheets-0241.pdf | 6-XFBGA | 1,11 мм | 2,16 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 200 мкм | 2,3 Вт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD83325 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | 205 нс | 353 нс | 589 нс | 711 нс | 8А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 950 мВ | 9,9 мОм | 144 пФ | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1,25 В @ 250 мкА | 10,9 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БСК150Н03ЛДГАТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Оптимос™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-bsc150n03ldgatma1-datasheets-8201.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 6 | 26 недель | 8 | нет | EAR99 | СОВМЕСТИМЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ | Олово | не_совместимо | е3 | Без галогенов | ПЛОСКИЙ | БСК150Н03 | 8 | 26 Вт | 2 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф6 | 2,2 нс | 8А | 20 В | 30В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 10 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1100пФ при 15В | 15 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 13,2 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD75208W1015T | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 6-УФБГА, ДСБГА | 1,5 мм | 1 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | 1,700971мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 2 мм | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 750 мВт | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | CSD75207 | 2 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2 | 9 нс | 5нс | 11 нс | 29 нс | 1,6 А | -6В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -800мВ | 0,15 Ом | 10 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной), общий источник | 410пФ при 10 В | 68 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 2,5 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3604С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3604s-datasheets-8049.pdf | 8-PowerTDFN | 6 мм | 1 мм | 5 мм | 6 | 13 недель | 171 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н6 | 13 нс | 4,8 нс | 3,4 нс | 31 нс | 23А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 13А | 40А | 40 мДж | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1785пФ при 15В | 8 мОм при 13 А, 10 В | 2,7 В при 250 мкА | 13А 23А | 29 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К30-80ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/nexperiausainc-buk9k3080ex-datasheets-0744.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | совместимый | 8 | 80В | 53 Вт | 2 N-канала (двойной) | 2297пФ при 25 В | 26 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 17А Та | 17,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ980AEP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj980aept1ge3-datasheets-8013.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 12 недель | Неизвестный | 41мОм | 8 | EAR99 | ДА | 34 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г4 | 17А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 34 Вт Тс | 10 мДж | 2 N-канала (двойной) | 790пФ при 35 В | 50 мОм при 3,8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 17А Тк | 21 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ942EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-sqj942ept1ge3-datasheets-7636.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 17 Вт 48 Вт | 15А | 60А | 0,022 Ом | 18,5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 809пФ при 20В 1451пФ при 20В | 22 мОм при 7,8 А, 10 В, 11 м Ом при 10,1 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 15А Ц 45А Ц | 19,7 нк при 10 В, 33,8 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3600С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3600s-datasheets-8063.pdf | 5 мм | 1,05 мм | 6 мм | 7 | 13 недель | 171 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | КВАД | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-PQFP-N7 | 1,68 нФ | 5,3 нс | 3,9 нс | 38 нс | 30А | 20 В | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15А | 1,6 мОм | 90 пФ | 25В | 1,8 В | 5,6 мОм |
