Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный сток (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI3134KDW-TP | Микрокоммерческие компоненты (MCC) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcommercialco-si3134kdwtp-datasheets-9759.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | 260 | 10 | 20 В | 150 мВт | 2 N-канала (двойной) | 120пФ при 16В | 380 мОм при 650 мА, 4,5 В | 1,1 В @ 250 мкА | 750 мА | 20 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2041УВТ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-dmn2041uvt7-datasheets-9827.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 17 недель | 20 В | 1,1 Вт | 2 N-канала (двойной) | 689пФ при 10 В | 28 мОм при 8,2 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 5,8А Та | 9,1 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6П36ТУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-SMD, плоские выводы | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 20 В | 500мВт Та | 2 P-канала (двойной) | 43пФ при 10 В | 1,31 Ом при 100 мА, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 330 мА Та | 1,2 нк при 4 В | Ворота логического уровня, привод 1,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C674NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c674nlwft1g-datasheets-9508.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 48 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3 Вт Та 37 Вт Тс | 119А | 0,0204Ом | 61 мДж | 2 N-канала (двойной) | 640пФ при 25В | 14,4 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 25 мкА | 11А Та 42А Ц | 4,7 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6П15ФУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,31 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 30 В | 200мВт Та | 2 P-канала (двойной) | 9,1 пФ при 3 В | 12 Ом при 10 мА, 4 В | 1,7 В при 100 мкА | 100 мА | Карбид кремния (SiC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM4925DCS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm4925dcsrlg-datasheets-9524.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 30 В | 2 Вт | 2 P-канала (двойной) | 1900пФ при 15В | 25 мОм при 7,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7.1А Та | 33 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SSM6P35AFE,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 0,24 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | У-МОСВИИ | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | СОТ-563, СОТ-666 | 12 недель | 20 В | 150 мВт Та | 2 P-канала (двойной) | 42пФ при 10 В | 1,4 Ом при 150 мА, 4,5 В | 1 В @ 100 мкА | 250 мА Та | Ворота логического уровня, привод 1,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К22-80ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/nexperiausainc-buk9k2280ex-datasheets-9531.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | 8 | 80В | 64 Вт | 2 N-канала (двойной) | 3115пФ при 25 В | 19 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 21А Та | 23,1 нк при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К29-100ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk7k29100ex-datasheets-9540.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | 8 | 68 Вт | LFPAK56D | 2,436 нФ | 29,5А | 100 В | 68 Вт | 2 N-канала (двойной) | 2436пФ при 25 В | 24,5 мОм при 10 А, 10 В | 4 В @ 1 мА | 29,5А | 38,1 НК при 10 В | Стандартный | 24,5 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С2Л35АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s2l35atma1-datasheets-9544.pdf | 8-PowerVDFN | 10 недель | EAR99 | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | *PG20N06 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 55В | 55В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 65 Вт | 20А | 80А | 0,035 Ом | 100 мДж | 2 N-канала (двойной) | 790пФ при 25 В | 35 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 27 мкА | 20А | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2106ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2106engrt-datasheets-9551.pdf | Править | 16 недель | Править | 75пФ | 1,7 А | 100 В | 2 Н-канала (полумост) | 75пФ при 50В | 70 мОм при 2 А, 5 В | 2,5 В @ 600 мкА | 1,7 А | 0,73 нк при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | 70 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIR770DP-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sir770dpt1ge3-datasheets-9461.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | Без свинца | 6 | 14 недель | 506,605978мг | Неизвестный | 8 | EAR99 | Нет | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 17,8 Вт | С ИЗГИБ | 260 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 3,6 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-С6 | 8 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,8 В | 8А | 35А | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 900пФ при 15В | 2,8 В | 21 мОм при 8 А, 10 В | 2,8 В @ 250 мкА | 21 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4943CDY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -50°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-si4943cdyt1e3-datasheets-1867.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 19,2 МОм | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4943 | 8 | 2 | Двойной | 30 | 2 Вт | 2 | 50 нс | 71нс | 15 нс | 29 нс | 8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1В | 3,1 Вт | 8А | -20В | 2 P-канала (двойной) | 1945 пФ при 10 В | 19,2 мОм при 8,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 62 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM4946DCS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm4946dcsrlg-datasheets-9375.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | EAR99 | СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | 8541.29.00.95 | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 30 | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,4 Вт | 4,5 А | 30А | 0,055 Ом | 2 N-канала (двойной) | 910пФ при 24 В | 55 мОм при 4,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,5 А Та | 18 НК @ 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2101ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2101engrt-datasheets-9612.pdf | Править | 22 недели | Править | 60В | 2 Н-канала (полумост) | 300пФ при 30В | 11,5 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В при 2 мА | 9,5А 38А | 2,7 НК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2102ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/epc-epc2102-datasheets-9203.pdf | Править | Править | 60В | 2 Н-канала (полумост) | 830пФ при 30 В | 4,4 мОм при 20 А, 5 В | 2,5 В @ 7 мА | 23А Тдж | 6,8 НК при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К20-80ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/nexperiausainc-buk9k2080ex-datasheets-9534.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 12 недель | совместимый | 8 | 80В | 68 Вт | 2 N-канала (двойной) | 3462пФ при 25 В | 17 мОм при 10 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 23А Та | 25,5 НК при 5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20AM04FG | Микросеми | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°С~150°С ТДж | Масса | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/microsemicorporation-aptm20am04fg-datasheets-9635.pdf | СП6 | 108 мм | 21,9 мм | 62 мм | Без свинца | 7 | 36 недель | 6 | да | EAR99 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Нет | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | 1,25 кВт | ВЕРХНИЙ | НЕУКАЗАНО | 7 | 1 | Одинокий | 1,25 кВт | 2 | Р-XUFM-X7 | 32 нс | 64нс | 116 нс | 88 нс | 372А | 30 В | КРЕМНИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 200В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1250 Вт | 0,005 Ом | 3000 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 28900пФ при 25В | 5 мОм при 186 А, 10 В | 5 В @ 10 мА | 560 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2022УНС-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn2022uns7-datasheets-9316.pdf | 8-PowerVDFN | 14 недель | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,2 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 10,7А | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 1870пФ при 10В | 10,8 мОм при 4 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 10,7А Та | 20,3 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК9К45-100Э,115 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/nexperiausainc-buk9k45100e115-datasheets-8683.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | ЛАВИННЫЙ РЕЙТИНГ | Олово | не_совместимо | е3 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | ДА | 53 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 8 | 2 | Двойной | 53 Вт | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 4 нс | 8,47 нс | 27,75 нс | 41,34 нс | 21А | 10 В | 100 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,045 Ом | 100 В | 2 N-канала (двойной) | 2152пФ при 25 В | 42 мОм при 5 А, 10 В | 2,1 В при 1 мА | 33,5 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SLA5086 | Санкен | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/sanken-sla5086-datasheets-9667.pdf | 12-СИП | 12 | 12 недель | да | EAR99 | 8541.29.00.95 | 5 Вт | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 12 | НЕ УКАЗАН | 5 | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т12 | 5А | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ ИСТОЧНИК, 5 ЭЛЕМЕНТОВ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5 Вт | 5А | 10А | 0,22 Ом | 5 P-каналов, общий источник | 790пФ при 10 В | 220 мОм при 3 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭМ5К5Т2Р | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 6-SMD (5 выводов), плоский вывод | 6 | 150 мВт | *К5 | 150 мВт | 300 мА | 30 В | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 600 мОм при 300 мА, 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН2010УДЗ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/diodesincorporated-dmn2010udz7-datasheets-9328.pdf | 6-УДФН Открытая площадка | 16 недель | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 700мВт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 11А | 24В | 700мВт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2665пФ при 10 В | 7 мОм при 5,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 33,2 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM3911DCX6 РФГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm3911dcx6rfg-datasheets-9296.pdf | СОТ-23-6 | 20 недель | 20 В | 1,15 Вт | 2 P-канала (двойной) | 882,51 пФ при 6 В | 140 мОм при 2,2 А, 4,5 В | 950 мВ при 250 мкА | 2,2А Та | 15,23 НК при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ346ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerPAIR®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-siz346dtt1ge3-datasheets-9350.pdf | 8-PowerWDFN | 800 мкм | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 150°С | 16 Вт 16,7 Вт | 30 В | 2 N-канала (двойной) | 325пФ при 15В 650пФ при 15В | 28,5 мОм при 10 А, 10 В, 11,5 м Ом при 14,4 А, 10 В | 2,2 В при 250 мкА, 2,4 В при 250 мкА | 17А Тк 30А Тк | 5 нк при 4,5 В, 9 нк при 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССМ6П47НУ,ЛФ | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | 6-WDFN Открытая площадка | 16 недель | 6 | 1 Вт | 1 Вт | 4А | 8В | 20 В | -20В | 2 P-канала (двойной) | 290пФ при 10В | 95 мОм при 1,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 4,6 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM9933DCS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Диги-Рил® | 3 (168 часов) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm9933dcsrlg-datasheets-9380.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 28 недель | ДА | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПДСО-Г8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2 Вт | 4,7А | 20А | 0,06 Ом | 2 P-канала (двойной) | 640пФ при 10 В | 60 мОм при 4,7 А, 4,5 В | 1,4 В при 250 мкА | 4,7 А Тс | 8,5 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC4028SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/diodesincorporated-dmc4028ssd13-datasheets-9383.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2 | Другие транзисторы | 2,3 нс | 14,1 нс | 14,3 нс | 25,1 нс | 4,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 5,4А | N и P-канал | 604пФ при 20В | 28 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,5 А 4,8 А | 12,9 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3626С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3626s-datasheets-9036.pdf | 8-PowerTDFN | 5,1 мм | 1,05 мм | 6,1 мм | Без свинца | 6 | 18 недель | 90мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 7 нс | 23 нс | 25А | 12 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 17,5А | 0,005 Ом | 25В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1570пФ при 13В | 5 мОм при 17,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17,5 А 25 А | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMLDM5757 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°С~150°С ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmldm5757trpbfree-datasheets-9335.pdf | СОТ-563, СОТ-666 | 24 недели | ДА | Другие транзисторы | 0,35 Вт | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 350мВт | 0,43 А | 2 P-канала (двойной) | 175пФ при 16В | 900 мОм при 430 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 430 мА | 1,2 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня |
