Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Справочный стандарт | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SQJ980AEP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqj980aept1ge3-datasheets-8013.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 12 недель | Неизвестный | 41мОм | 8 | EAR99 | ДА | 34 Вт | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г4 | 17А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 75В | 75В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2В | 34 Вт Тс | 10 мДж | 2 N-канала (двойной) | 790пФ при 35 В | 50 мОм при 3,8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 17А Тк | 21 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ942EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/vishaysiliconix-sqj942ept1ge3-datasheets-7636.pdf | ПауэрПАК® СО-8 | 4 | 12 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 17 Вт 48 Вт | 15А | 60А | 0,022 Ом | 18,5 мДж | 2 N-канала (двойной) | 809пФ при 20В 1451пФ при 20В | 22 мОм при 7,8 А, 10 В, 11 м Ом при 10,1 А, 10 В | 2,3 В @ 250 мкА | 15А Ц 45А Ц | 19,7 нк при 10 В, 33,8 нк при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3600С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3600s-datasheets-8063.pdf | 5 мм | 1,05 мм | 6 мм | 7 | 13 недель | 171 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | КВАД | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-PQFP-N7 | 1,68 нФ | 5,3 нс | 3,9 нс | 38 нс | 30А | 20 В | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛЬНЫЙ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 15А | 1,6 мОм | 90 пФ | 25В | 1,8 В | 5,6 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD85302LT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 4-XFLGA | 1,35 мм | 1,35 мм | Без свинца | 4 | 6 недель | Нет СВХК | 4 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 200 мкм | 1,7 Вт | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | CSD85302 | 2 | 37 нс | 54нс | 99 нс | 173 нс | 7А | 10 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ИСТОЧНИК | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 24мОм | 79 пФ | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 7,8 нк @ 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7904BDN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/vishaysiliconix-si7904bdnt1ge3-datasheets-7920.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | Неизвестный | 30МОм | 8 | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7904 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2,5 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C6 | 5 нс | 15нс | 5 нс | 25 нс | 6А | 8В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | УСИЛИТЕЛЬ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 17,8 Вт | 6А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 860пФ при 10 В | 30 мОм при 7,1 А, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 24 НК при 8 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB42EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjb42ept1ge3-datasheets-7973.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 4 | 14 недель | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Р-ПССО-Г4 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 48 Вт | 30А | 120А | 0,0095Ом | 31 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1500пФ при 25В | 9,5 мОм при 10 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 30А Ц | 30 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6992 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-PowerWDFN | 18 недель | 8 | да | 3,1 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 31А | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 820пФ при 15 В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 19А 31А | 13 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMA3027PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-fdma3027pz-datasheets-7975.pdf | 6-ВДФН Открытая площадка | 2 мм | 725 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 40мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,4 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,4 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5,2 нс | 3нс | 11 нс | 17 нс | 3,3А | 25В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,9 В | 700мВт | 0,087Ом | 80 пФ | -30В | 2 P-канала (двойной) | 435пФ при 15В | 87 мОм при 3,3 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БУК7К45-100ЕХ | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/nexperiausainc-buk7k45100ex-datasheets-7956.pdf | СОТ-1205, 8-ЛФПАК56 | 6 | 12 недель | 8 | АЭК-Q101; МЭК-60134 | 53 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 8 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Г6 | 21,4А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 100В | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 53 Вт | 0,0376Ом | 46 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1533пФ при 25 В | 37,6 мОм при 5 А, 10 В | 4 В при 1 мА | 25,9 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8М13ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 недель | 30В | 2 Вт | N и P-канал | 1200пФ при 10В | 29 мОм при 7 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 6А 7А | 18 НК при 5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АОН6998 | Альфа и Омега Полупроводник Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-PowerWDFN | 18 недель | 8 | да | 3,1 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 26А | 30В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 820пФ при 15 В | 5,2 мОм при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 19А 26А | 13 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИЗ320ДТ-Т1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerPAIR®, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/vishaysiliconix-siz320dtt1ge3-datasheets-7454.pdf | 8-PowerWDFN | 800 мкм | 14 недель | EAR99 | неизвестный | НЕ УКАЗАН | 2 | НЕ УКАЗАН | 150°С | 16,7 Вт 31 Вт | 25В | 2 N-канала (двойной) | 660 пФ при 12,5 В 1370 пФ при 12,5 В | 8,3 мОм при 8 А, 10 В, 4,24 м Ом при 10 А, 10 В | 2,4 В при 250 мкА | 30А Ц 40А Ц | 8,9 нк при 4,5 В, 11,9 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMNH6022SSDQ-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmnh6022ssdq13-datasheets-7867.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 18 недель | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-G8 | 22,6А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 7.1А | 45А | 0,03 Ом | 24 мДж | 2 N-канала (двойной) | 2127пФ при 25 В | 27 мОм при 5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 7,1 А 22,6 А | 32 НК при 30 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJB80EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sqjb80ept1ge3-datasheets-7905.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 1,267 мм | 4 | 14 недель | неизвестный | ДА | ОДИНОКИЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | 48 Вт | 2 | 175°С | Р-ПССО-Г4 | 10 нс | 23 нс | 30А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 84А | 0,019 Ом | 80В | 2 N-канала (двойной) | 1400пФ при 25В | 19 мОм при 8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 30А Ц | 32 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К52ГЗЭТБ | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 100В | 1,4 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 610пФ при 25 В | 170 мОм при 3 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 3А Та | 8,5 НК при 5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QH8M22TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/rohmsemiconductor-qh8m22tcr-datasheets-7909.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 16 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 40В | 40В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,1 Вт Та | 4,5 А | 18А | 0,059 Ом | 1,6 мДж | N и P-канал | 193пФ 450пФ при 20В | 46 мОм при 4,5 А, 10 В, 190 м Ом при 2 А, 10 В | 2,5 В @ 10 мкА, 3 В @ 1 мА | 4,5 А Та 2 А Та | 2,6 нк, 9,5 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EPC2110ENGRT | EPC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭГАН® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/epc-epc2110engrt-datasheets-7777.pdf | Править | 16 недель | Править | 80пФ | 3,4А | 120 В | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 80пФ при 60В | 60 мОм при 4 А, 5 В | 2,5 В @ 700 мкА | 3,4А | 0,8 нк при 5 В | GaNFET (нитрид галлия) | 60 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ914EP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/vishaysiliconix-sqj914ept1ge3-datasheets-7918.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | PowerPAK® SO-8 двойной | 30В | 27 Вт Тс | 9,8 мОм | 2 N-канала (двойной) | 1110пФ при 15В | 12 мОм при 4,5 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 30А Ц | 25 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QS8J1TR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/rohmsemiconductor-qs8j1tr-datasheets-7732.pdf | 8-СМД, плоский вывод | Без свинца | 8 | 52 недели | 8 | да | EAR99 | Нет | е2 | ОЛОВО МЕДЬ | 1,25 Вт | 260 | *J1 | 8 | 10 | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 12 нс | 75нс | 215 нс | 390 нс | 4,5 А | 10 В | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,029 Ом | -12В | 2 P-канала (двойной) | 2450пФ при 6В | 29 мОм при 4,5 А, 4,5 В | 1 В @ 1 мА | 31 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDZ1323NZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-fdz1323nz-datasheets-7841.pdf | 6-XFBGA, WLCSP | 2,3 мм | 150 мкм | 1,3 мм | 6 | 10 недель | 50мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 2 Вт | НИЖНИЙ | МЯЧ | Одинокий | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 12 нс | 13нс | 13 нс | 34 нс | 10А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 500мВт | 380 пФ | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 2055пФ при 10 В | 13 мОм при 1 А, 4,5 В | 1,2 В @ 250 мкА | 24 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TSM8588CS РЛГ | Тайванская полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/taiwansemiconductorcorporation-tsm8588csrlg-datasheets-7764.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60В | 1,4 Вт Ta 5,7 Вт Tc | Дополняющие N и P-каналы | 527пФ при 30В 436пФ при 30В | 103 мОм при 2,5 А, 10 В, 180 м Ом при 2 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 2,5 А Та 5А Тс 2А Та 4А Тс | 9,4 нк при 10 В, 9 нк при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87312Q3E | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 3,3 мм | 3,3 мм | Содержит свинец | 7 | 6 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 900 мкм | EAR99 | ЛАВИННЫЙ НОМИНАЛ, СВЕРХНИЗКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ | Золото | не_совместимо | е4 | 2,5 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | CSD87312 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 2,5 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | 7,8 нс | 16 нс | 2,8 нс | 17 нс | 27А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 45А | 16 пФ | 30В | 2 N-канальных (двойных) с общим обвинением | 1250пФ при 15В | 33 мОм при 7 А, 8 В | 1,3 В @ 250 мкА | 8,2 нк @ 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFC4K110NUZTDG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-efc4k110nuztdg-datasheets-7767.pdf | 10-СМД, без свинца | 13 недель | да | 24В | 2,5 Вт | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 25А | 49 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМН1250УФЭЛ-7 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmn1250ufel7-datasheets-7575.pdf | 12-UFQFN Открытая площадка | 12 | 22 недели | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 660мВт | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 8 | S-PQCC-N12 | 2А | КРЕМНИЙ | СЛОЖНЫЙ | 12 В | 12 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 660мВт | 2А | 0,45 Ом | 13 пФ | 8 N-каналов, общий затвор, общий источник | 190пФ при 6В | 450 мОм при 200 мА, 4,5 В | 1 В при 250 мкА | 1,9 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТЛ50ДН6Ф7 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СТРипФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stl50dn6f7-datasheets-7656.pdf | 8-PowerVDFN | Без свинца | 6 | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 8 месяцев назад) | EAR99 | не_совместимо | е3 | Матовый олово (Sn) | 62,5 Вт | ПЛОСКИЙ | 260 | СТЛ50 | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 57А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,011 Ом | 2 N-канала (двойной) | 1035пФ при 30В | 11 мОм при 7,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 57А Тк | 17 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SQJ844AEP-T1_GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, TrenchFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-sqj844aept1ge3-datasheets-7678.pdf | PowerPAK® SO-8 двойной | 12 недель | EAR99 | неизвестный | 48 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 8А | 30В | 48 Вт | 2 N-канала (двойной) | 1161пФ при 15 В | 16,6 мОм при 7,6 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 26 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8K33FRATB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | 150°С | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 | 20 недель | Неизвестный | 8 | EAR99 | не_совместимо | ДА | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | 5А | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2,5 В | 5А | 20А | 0,056Ом | 2 N-канала (двойной) | 620пФ при 10 В | 48 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5А Та | 12 НК при 5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD86311W1723 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 12-УФБГА, ДСБГА | 0 м | 625 мкм | 0 м | Содержит свинец | 12 | 6 недель | Нет СВХК | 12 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 375 мкм | EAR99 | 8541.29.00.95 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,5 Вт | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | CSD86311 | 12 | Двойной | НЕ УКАЗАН | 1,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Не квалифицированный | 5,4 нс | 4,3 нс | 2,9 нс | 13,2 нс | 4,5 А | 10 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 25В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1В | 0,051 Ом | 13 пФ | 25В | 2 N-канала (двойной) | 585пФ при 12,5 В | 1 В | 39 мОм при 2 А, 8 В | 1,4 В при 250 мкА | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7228DN-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si7228dnt1ge3-datasheets-7581.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 13 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 23 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7228 | 8 | Двойной | 30 | 2,6 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C6 | 5 нс | 10 нс | 10 нс | 15 нс | 8,8А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 480пФ при 15В | 20 мОм при 8,8 А, 10 В | 2,5 В при 250 мкА | 26А | 13 НК при 10 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS6892A | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fds6892a-datasheets-7538.pdf | 20 В | 7,5 А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 187 мг | Нет СВХК | 18МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 8 нс | 15нс | 9 нс | 26 нс | 7,5 А | 12 В | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 900 мВ | 900мВт | 30А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 1333пФ при 10 В | 900 мВ | 18 мОм при 7,5 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 17 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня |
