Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактМассивы МОП-транзисторов(4365)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Текущий рейтинг | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Сопротивление | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Максимальный ток питания (Isup) | Максимальный переход температуры (Tj) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Максимальное двойное напряжение питания | Двойное напряжение питания | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Полярность/Тип канала | Напряжение стока к источнику (Vdss) | DS Напряжение проба-мин. | Технология полевых транзисторов | Пороговое напряжение | Мощность - Макс. | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (макс.) | Код JEDEC-95 | Выходной ток-Макс. | Техника управления | Конфигурация коммутатора | Максимальный ток стока (Abs) (ID) | Максимальный импульсный ток стока (IDM) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Снижение сопротивления до источника | Частота переключения-Макс. | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Рейтинг лавинной энергии (Eas) | Напряжение проба стока к источнику | Тип полярного транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Номинальный объем | Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Макс) @ Id | Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | Особенность левого транзистора | РДС на Максе |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CSD87351Q5D | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 8-PowerLDFN | 5 мм | 6 мм | Содержит свинец | 9 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 1,5 мм | EAR99 | Олово | Нет | 1 | е3 | 12 Вт | 260 | 1,27 мм | CSD87351 | 9 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | Двойной | 12 Вт | 16 нс | 2,1 нс | 32А | 8В | 30В | 12 В | 27В | 96А | ПУШ-ПУЛЬ | 1500 кГц | 30В | 2 N-канала (двойной) | 1255пФ при 15В | 2,1 В | 7,6 мОм при 20 А, 8 В | 2,1 В при 250 мкА | 7,7 нк при 4,5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMHC10A07T8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/diodesincorporated-zxmhc10a07t8ta-datasheets-9032.pdf | 1,4 А | 8-СМД, Крыло Чайки | 6,7 мм | 1,6 мм | 3,7 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | Нет СВХК | 1 Ом | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | ДВОЙНОЙ | 260 | ZXMHC10A07T8 | 8 | 40 | 1,3 Вт | 4 | 1,6 нс | 2,1 нс | 3,3 нс | 5,9 нс | 1,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | 100В | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 138пФ при 60В | 700 мОм при 1,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 1А 800мА | 2,9 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7922DN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si7922dnt1ge3-datasheets-9020.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 6 | 14 недель | Неизвестный | 195мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,3 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7922 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 2,6 Вт | 2 | Полномочия общего назначения FET | S-XDSO-C6 | 7 нс | 11нс | 11 нс | 8 нс | 25А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,5 В | 10А | 100В | 2 N-канала (двойной) | 3,5 В | 195 мОм при 2,5 А, 10 В | 3,5 В @ 250 мкА | 1,8 А | 8 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4904DY-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/vishaysiliconix-si4904dyt1e3-datasheets-2203.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | 14 недель | 186,993455мг | Нет СВХК | 8 | Нет | 2 Вт | СИ4904 | 2 | Двойной | 2 Вт | 2 | 8-СО | 2,39 нФ | 88 нс | 117 нс | 19 нс | 62 нс | 8А | 16 В | 40В | 2В | 3,25 Вт | 16мОм | 40В | 2 N-канала (двойной) | 2390пФ при 20 В | 16 мОм при 5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 8А | 85 НК при 10 В | Стандартный | 16 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4943BDY-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/vishaysiliconix-si4943bdyt1e3-datasheets-9089.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,55 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 186,993455мг | Неизвестный | 19мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ4943 | 8 | 2 | Двойной | 40 | 1,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 11 нс | 10 нс | 10 нс | 94 нс | -8,4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6,3А | -20В | 2 P-канала (двойной) | -1 В | 19 мОм при 8,4 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6,3А | 25 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMN6A09DN8TA | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/diodesincorporated-zxmn6a09dn8ta-datasheets-9099.pdf | 60В | 4,4А | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 40мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 8 | 2 | 40 | 2,1 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 4,9 нс | 5нс | 4,6 нс | 25,3 нс | 5,6А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,25 Вт | 4,3А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 1407пФ при 40В | 40 мОм при 8,2 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4,3А | 24,2 НК при 5 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87335Q3DT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НексФЕТ™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-csd87335q3dt-datasheets-0393.pdf | 8-PowerLDFN | 3,3 мм | 3,3 мм | Содержит свинец | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 1,5 мм | не_совместимо | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 6 Вт | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | CSD87335 | КОММУТАЦИОННЫЙ КОНТРОЛЛЕР | НЕ УКАЗАН | 20 мА | 25А | 30В | 750 мВ | 12 В | 27В | ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНАЯ МОДУЛЯЦИЯ | БАК | 6,7 мОм | 1500 кГц | 2 N-канала (двойной) | 1050пФ при 15В | 1,9 В @ 250 мкА | 7,4 нк @ 4,5 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI5504BDC-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 8-СМД, плоский вывод | 3,05 мм | 1,1 мм | 1,65 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 84,99187мг | 140мОм | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 3,1 Вт | ДВОЙНОЙ | С ИЗГИБ | 260 | СИ5504 | 8 | 2 | 40 | 1,5 Вт | 2 | Другие транзисторы | 4 нс | 10 нс | 5 нс | 10 нс | 4А | 20 В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,12 Вт 3,1 Вт | 4А | 10А | 30В | N и P-канал | 220пФ при 15В | 65 мОм при 3,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 4А 3,7А | 7 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMB2308PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-fdmb2308pz-datasheets-8883.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 3 мм | 725 мкм | 2 мм | Без свинца | 6 | 16 недель | 12,0024 мг | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | 8541.29.00.95 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,2 Вт | 2 | Другие транзисторы | 14 нс | 33нс | 58 нс | 74 нс | 7А | 12 В | КРЕМНИЙ | ОБЩИЙ СТОК, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 800мВт | МО-229 | 510 пФ | -20В | 2 P-канала (двойной) с общим стоком | 3030пФ при 10 В | 36 мОм при 5,7 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 30 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI7900AEDN-T1-E3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/vishaysiliconix-si7900aednt1e3-datasheets-8896.pdf | PowerPAK® 1212-8 двойной | 3,05 мм | 1,04 мм | 3,05 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,5 Вт | С ИЗГИБ | 260 | СИ7900 | 8 | Двойной | 40 | 1,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | S-XDSO-C5 | 850 нс | 1,3 мкс | 1,3 мкс | 8,6 мкс | 8,5 А | 12 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 6А | 30А | 20 В | 2 N-канальных (двойных) с общим стоком | 26 мОм при 8,5 А, 4,5 В | 900 мВ при 250 мкА | 6А | 16 НК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н10С4Л22АТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/infineontechnologies-ipg20n10s4l22atma1-datasheets-8875.pdf | 8-PowerVDFN | 1 мм | Содержит свинец | 12 недель | 8 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 60 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 60 Вт | 2 | 175°С | 5 нс | 3нс | 18 нс | 30 нс | 20А | 16 В | 100В | 100В | 2 N-канала (двойной) | 1755пФ при 25В | 22 мОм при 17 А, 10 В | 2,1 В при 25 мкА | 27 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI3900DV-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ТренчFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/vishaysiliconix-si3900dvt1e3-datasheets-4514.pdf | СОТ-23-6 Тонкий, ЦОТ-23-6 | 6 | 14 недель | 19,986414мг | 6 | EAR99 | Нет | е3 | Чистая матовая банка | 830мВт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | СИ3900 | 6 | Двойной | 30 | 830мВт | 2 | 10 нс | 30 нс | 6 нс | 14 нс | 2,4А | 12 В | КРЕМНИЙ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 2А | 20 В | 2 N-канала (двойной) | 125 мОм при 2,4 А, 4,5 В | 1,5 В @ 250 мкА | 2А | 4нК при 4,5 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SIZF906DT-T1-GE3 | Вишай Силиконикс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | TrenchFET® Gen IV | Поверхностный монтаж | -55°С~150°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/vishaysiliconix-sizf906dtt1ge3-datasheets-8842.pdf | 8-PowerWDFN | 6 | 14 недель | EAR99 | неизвестный | ДА | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Н6 | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 38 Вт Тк 83 Вт Тк | 60А | 80А | 0,0038Ом | 16 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 2000пФ при 15В 8200пФ при 15В | 3,8 мОм при 15 А, 10 В, 1,17 м Ом при 20 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 60А Ц | 22 нк при 4,5 В, 92 нк при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФДМС3622С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fdms3622s-datasheets-8927.pdf | 8-PowerTDFN | 5,1 мм | 1,05 мм | 6,1 мм | 6 | 13 недель | 171 мг | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 1 Вт | Двойной | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | Р-ПДСО-Н6 | 7 нс | 23 нс | 34А | 12 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 17,5А | 0,005 Ом | 25В | 2 N-канальных (двойных) асимметричных | 1570пФ при 13В | 5 мОм при 17,5 А, 10 В | 2 В @ 250 мкА | 17,5А 34А | 26 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С2Л35ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s2l35aatma1-datasheets-8691.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 10 недель | 8 | Без галогенов | 65 Вт | 65 Вт | 2 | ПГ-ТДСОН-8-10 | 790пФ | 20А | 20 В | 55В | 55В | 65 Вт | 28мОм | 2 N-канала (двойной) | 790пФ при 25 В | 35 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 27 мкА | 2А Тк | 23 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 35 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDS8935 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fds8935-datasheets-8705.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4 мм | 1,5 мм | 5 мм | 8 | 11 недель | 187 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | Нет | 3,1 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | Двойной | 3,1 Вт | 2 | Другие транзисторы | 5 нс | 3нс | 3 нс | 22 нс | 2,1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 80В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | -1,8 В | 1,6 Вт | 36 пФ | -80В | 2 P-канала (двойной) | 879пФ при 40 В | -1,8 В | 183 мОм при 2,1 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 19 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NVMFD5C672NLWFT1G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-nvmfd5c672nlwft1g-datasheets-8712.pdf | 8-PowerTDFN | 6 | 48 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | ДА | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ОСУШАТЬ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 3,1 Вт Та 45 Вт Тс | 146А | 0,0168Ом | 66 мДж | 2 N-канала (двойной) | 793пФ при 25 В | 11,9 мОм при 10 А, 10 В | 2,2 В @ 30 мкА | 12А Та 49А Ц | 5,7 НК при 4,5 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ4007СПД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-dmth4007spd13-datasheets-8742.pdf | 8-PowerTDFN | 23 недели | 8 | 2,6 Вт | PowerDI5060-8 | 2,026 нФ | 14,2А | 40В | 2,6 Вт | 2 N-канала (двойной) | 2026пФ при 30 В | 8,6 мОм при 17 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 14,2А | 41,9 НК при 10 В | Стандартный | 8,6 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTLLD4901NFTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ntlld4901nftwg-datasheets-8746.pdf | 8-PowerWDFN | Без свинца | 11 недель | Нет СВХК | 17,4 МОм | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | ДА | 810мВт | 8 | Двойной | 3,23 Вт | Полевой транзистор общего назначения | 6,3А | 20 В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,2 В | 800 МВт 810 МВт | 9,6А | 30В | 2 N-канала (двойной) | 605пФ при 15В | 17,4 мОм при 9 А, 10 В | 2,2 В @ 250 мкА | 5,5 А 6,3 А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Ш8К1ТБ1 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 150°С | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/rohmsemiconductor-sh8k1tb1-datasheets-8237.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | 8 | 2 Вт | *К1 | 2 Вт | 8-СОП | 230пФ | 5А | 30В | 2 Вт | 58мОм | 30В | 2 N-канала (двойной) | 230пФ при 10В | 51 мОм при 5 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 5А | 5,5 нк при 5 В | Ворота логического уровня | 51 мОм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMC8200S | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | PowerTrench® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/onsemiconductor-fdmc8200s-datasheets-8536.pdf | 8-PowerWDFN | 3 мм | 750 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 23 недели | 186 мг | Нет СВХК | 20МОм | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | 1 Вт | 2,5 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 35 нс | 18А | 20 В | КРЕМНИЙ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 700мВт 1Вт | 6А | 30 пФ | 30В | 2 N-канала (двойной) | 660пФ при 15 В | 2,3 В | 20 мОм при 6 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 6А 8,5А | 10 нк @ 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FQS4903TF | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | QFET® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-fqs4903tf-datasheets-8716.pdf | 500В | 370 мА | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 8 | 5 недель | 230,4 мг | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | е3 | 2 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | FQS4903 | Двойной | 2 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 5,5 нс | 20нс | 45 нс | 20 нс | 370 мА | 25В | 500В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 0,37 А | 500В | 2 N-канала (двойной) | 200пФ при 25В | 4 В | 6,2 Ом при 185 мА, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 8,2 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FCAB21520L1 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/panasonicelectroniccomComponents-fcab21520l1-datasheets-8856.pdf | 10-СМД, без свинца | 16 недель | 10-СМД | 3,8 Вт Та | 2 N-канала (двойной) | 5250пФ при 10 В | 1,4 В @ 1,64 мА | 38 НК при 4 В | Стандартный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИПГ20Н06С2Л65ААТМА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 175°С | -55°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineon-ipg20n06s2l65aatma1-datasheets-0295.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 10 недель | 8 | Без галогенов | 43 Вт | 43 Вт | 2 | ПГ-ТДСОН-8-10 | 410пФ | 2 нс | 3нс | 7 нс | 10 нс | 20А | 20 В | 55В | 55В | 43 Вт | 53мОм | 2 N-канала (двойной) | 410пФ при 25В | 65 мОм при 15 А, 10 В | 2 В @ 14 мкА | 20А | 12 НК при 10 В | Ворота логического уровня | 65 мОм | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QH8KA4TCR | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/rohm-qh8ka4tcr-datasheets-0297.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 8 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф8 | КРЕМНИЙ | РАЗДЕЛЬНЫЙ, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1,5 Вт | 9А | 40А | 0,017Ом | 6,2 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1400пФ при 10В | 17 мОм при 7 А, 4,5 В | 1,5 В при 1 мА | 9А | 12 НК при 4,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPG20N06S4L26AATMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101, OptiMOS™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/infineontechnologies-ipg20n06s4l26aatma1-datasheets-8344.pdf | 8-PowerVDFN | Содержит свинец | 6 | 12 недель | 8 | EAR99 | не_совместимо | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 33 Вт | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | Двойной | НЕ УКАЗАН | 33 Вт | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | 3нс | 10 нс | 15 нс | 20А | 20 В | 60В | КРЕМНИЙ | ОСУШАТЬ | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 35 мДж | 2 N-канала (двойной) | 1430пФ при 25В | 26 мОм при 17 А, 10 В | 2,2 В @ 10 мкА | 20 НК при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMN6066SSD-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/diodesincorporated-dmn6066ssd13-datasheets-8307.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 66мОм | 8 | да | EAR99 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,8 Вт | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | DMN6066SSD | 8 | Двойной | 40 | 2,14 Вт | 2 | Полевой транзистор общего назначения | 2,7 нс | 2,4 нс | 5,4 нс | 14,7 нс | 3,3А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 60В | 60В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 4,4А | 2 N-канала (двойной) | 502пФ при 30В | 66 мОм при 4,5 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 10,3 нк при 10 В | Ворота логического уровня | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HP8K22TB | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 8-PowerTDFN | 6 | 20 недель | EAR99 | не_совместимо | ДА | ДВОЙНОЙ | ПЛОСКИЙ | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 2 | Р-ПДСО-Ф6 | КРЕМНИЙ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ ПОДКЛЮЧЕНИЕ, ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ОТВЕТ, 2 ЭЛЕМЕНТА СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ | ДРЕНАЖНЫЙ ИСТНИКОЧ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 30В | 30В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 25 Вт | 12А | 48А | 0,0133Ом | 11,4 мДж | 2 Н-канала (полумост) | 1080пФ при 15В | 4,6 мОм при 20 А, 10 В | 2,5 В при 1 мА | 27А 57А | 16,8 НК при 10 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДМТХ6010ЛПД-13 | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q101 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~175°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/diodesincorporated-dmth6010lpd13-datasheets-8679.pdf | 8-PowerTDFN | 23 недели | 8 | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,8 Вт | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 47,6А | 60В | 2 N-канала (двойной) | 2615пФ при 30 В | 11 мОм при 20 А, 10 В | 3 В @ 250 мкА | 13,1 А Та 47,6 А Тс | 40,2 НК при 10 В | Стандартный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ZXMHC10A07N8TC | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/diodesincorporated-zxmhc10a07n8tc-datasheets-8688.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,5 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | 73,992255мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 870мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | ZXMHC10A07 | 8 | 40 | 1,36 Вт | 4 | Другие транзисторы | 1,6 нс | 2,1 нс | 3,3 нс | 5,9 нс | 1А | 20 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | Н-КАНАЛ И П-КАНАЛ | 100В | МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК | 1А | 0,7 Ом | -100В | 2 N и 2 P-канала (H-мост) | 138пФ при 60В | 700 мОм при 1,5 А, 10 В | 4 В @ 250 мкА | 800 мА 680 мА | 2,9 НК при 10 В | Стандартный |
